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一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0．5 V的带隙基准源电路。该设计中，电路采用新型电流模带隙基准，解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题，且实现了较低的基准电压；增加了修调电路，实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证，其结果显示，当温度在-40～+120℃范围内变化时，输出基准电压的温度系数为15 ppm／℃；电源电压在2～4 V范围内变化时，基准电压摆动小于O．06 mV；低频下具有-102．6 dB的PSRR，40
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一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0．5 V的带隙基准源电路。该设计中，电路采用新型电流模带隙基准，解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题，且实现了较低的基准电压；增加了修调电路，实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证，其结果显示，当温度在-40～+120℃范围内变化时，输出基准电压的温度系数为15 ppm／℃；电源电压在2～4 V范围内变化时，基准电压摆动小于O．06 mV；低频下具有-102．6 dB的PSRR，40
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基于BiCMOS宽动态可变增益放大器的设计
基于栅压控制MOS管等效电阻实现放大器输出电阻和射极电阻同时改变的原理，构造一种新型可变增益放大器，通过控制电路和稳压电路提高了增益动态范围和电路稳定性。采用UMC O．5μm BiCMOS工艺，使用HSpice软件仿真，结果表明该放大器可在O～70μA的较小控制电流下实现增益在O～66 dB宽范围内连续变化，带宽超过73 MHz，具有良好的线性度。
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全新低电流BiCMOS光电烟雾探测器IC（Allegro）
Allegro MicroSystems 推出一款全新的低电流 BiCMOS 光电烟雾探测器 IC，该 IC 具有超低待机电流，平均电池寿命长达 10 年。 Allegro 的 A5303 器件可与红外光室配合使用，感测烟雾微粒散发的光线。联网功能让设备实
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全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计
0 引言随着数字技术、微机和模数转换技术的研究与进展，作为模拟和数字信号接口电路的模数转换器(ADC)得到了广泛应用。由于ADc中的重要组成单元——采样／保持(S／H)电路的精度和速度直接决定ADC的性能，所以设计高
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恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新SiGe（硅锗）工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推
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台积电联手IMEC公司开发22nm制程技术
最近芯片制造业各大巨头连连作出合并动作，继不久前GF的大股东ATIC买下新加坡特许半导体之后，最近台积电与比利时IMEC公司也正式签署了合作开发 协议，双方将协力进行混合信号IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有关技术产品的研
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光通信芯片将趋向于采用CMOS工艺
在3G之后，FTTx将是光通信建设的又一高潮，我们将进入一个全新的宽带时代。从目前三大运营商对FTTx的部署来看，光节点会越来越多，可预见不久的将来出现光通信新一轮井喷式的发展。EPON、GPON是目前FTTx的主流网络方
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新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术（恩智浦）
恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦成立的独立半导体公司），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本优势
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英特尔将二期制造设备和技术售与方正微电子
英特尔将二期制造设备和技术售与方正微电子
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射频芯片：工艺成本功耗是永恒热点
射频芯片：工艺成本功耗是永恒热点
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射频芯片：工艺成本功耗是永恒热点
支持手机功能的两大核心芯片之一的射频收发芯片一直被认为是中国无线通信和3G产业的薄弱环节。去年下半年，国内两家领先的射频芯片企业锐迪科微电子(上海)有限公司(以下简称“锐迪科”)和鼎芯通讯(上海)有限公司(以下
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射频芯片：工艺成本功耗是永恒热点
支持手机功能的两大核心芯片之一的射频收发芯片一直被认为是中国无线通信和3G产业的薄弱环节。去年下半年，国内两家领先的射频芯片企业锐迪科微电子(上海)有限公司(以下简称“锐迪科”)和鼎芯通讯(上海)有限公司(以下
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Jazz有意并购8英寸厂 目标不在亚洲
由于第三季度产能利用率激增，Jazz半导体日前有意收购或合作运营一座8英寸工厂，Jazz市场营销部副总裁ChuckFox表示。 Fox表示，8英寸厂很可能不会位于亚洲，而是坐落在生产成本更加低廉的地区。 他另外指出
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台积电将建立12寸晶圆级封装技术与产能
全球晶圆代工龙头台积电表示，该公司董事会已核准资本预算5,980万美元，建立12寸晶圆级封装(WaferLevelPackage)技术与产能。 台积电董事会并核准资本预算2,280万美元，将原本每月可生产12,600片八寸晶圆的0.18微米逻
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台积电加码5980万美元投资晶圆级封装技术
晶圆代工厂商台积电(TSMC)宣布，核准资本预算5,980万美元(约19.7亿新台币)，建立300mm厂晶圆级封装(WaferLevelPackage)技术及产能。台积电指出，晶圆级封装技术可有效缩小终端产品尺寸，顺应了应未来市场需求，提高台
