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BiCMOS的典型电路结构了解吗？BiCMOS有哪些应用领域？
为增进大家对BiCMOS的认识，本文将对BiCMOS的典型电路结构、BiCMOS工艺实现基础和BiCMOS的核心应用领域予以介绍。
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BiCMOS技术有哪些核心优势？BiCMOS技术有哪些主要的改进方向？
BiCMOS是一种将双极型晶体管与CMOS技术融合的半导体工艺。BiCMOS通过结合BJT的高频、高驱动特性与CMOS的低功耗优势，实现高速模拟电路与复杂数字逻辑的集成。
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什么是BiCMOS？BiCMOS的工艺流程是什么样的？
为增进大家对BiCMOS技术的认识，本文将对BiCMOS以及BiCMOS工艺流程予以介绍。
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全差分BiCMOS采样 保持电路仿真设计
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一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级
(1．重庆邮电学院 重庆 400065；2．信息产业部电子二十四所 重庆 400060) 摘 要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏
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全差分BiCMOS采样 保持电路仿真设计
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意法半导体与Mikron二度联手开发90nm生产线
【导读】该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18微米生产线将主要专注于电源管理类、双极类以及BiCMOS类芯片，而新Fab将主要用来生产RFD、智能卡以及工业级芯片。 摘要： 该Fab将耗资4亿美元，预计
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集成电路产业细分领域行业概况分析之IC制造
2012年，面临国内外半导体市场增速大幅放缓的不利影响，中国IC制造业整体仍然保持了稳定增长的势头，销售规模已超过500亿元，达到501.1亿元，较2011年的431.6亿元，增长了16.1%。2013年前三季度，IC制造业规模达到45
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LM358和LMV358有什么区别?
LM358和LMV358有什么区别?LMV358为低电压，但应该不能算mos器件。工艺上叫BICMOS工艺。具体区别可以查看对比一下两者的datasheet。
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采用TDA7388调频立体声解码器
采用TDA7388调频立体声解码器
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ST28纳米CMOS制程开发向客户开发
意法半导体(STMicroelectronics，ST)与CMP(Circuits Multi Projets®)携手宣布，大专院校、研究实验室及企业可通过CMP提供的芯片中介服务使用意法半导体的28纳米(nm)CMOS制程开发芯片设计。双方在上一代CMOS合作项
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ST通过CMP提供28纳米CMOS制程
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与CMP（Circuits Multi Projets?）携手宣布，大专院校、研究实验室及企业可通过CMP提供的芯片中介服务使用意法半导体的28纳米（nm）CMOS制程开发芯片设计。双方在上一代CMOS合作
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新型BiCMOS集成运算放大器设计
为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调
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基于0．5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计
摘要：为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数
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俄罗斯Mikron与意法二度联手 开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSCMikron宣布与意法半导体合资的90nm8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18微
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俄罗斯Mikron与意法联手开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18
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Mikron与意法二度联手 开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18
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Mikron 意法二度联手 开发90nm生产线
据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。 该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.
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新型BiCMOS带隙基准电路的设计
在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D
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新型BiCMOS带隙基准电路的设计
在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D
