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台积电加码5980万美元投资晶圆级封装技术
晶圆代工厂商台积电(TSMC)宣布，核准资本预算5,980万美元(约19.7亿新台币)，建立300mm厂晶圆级封装(WaferLevelPackage)技术及产能。台积电指出，晶圆级封装技术可有效缩小终端产品尺寸，顺应了应未来市场需求，提高台
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1.5GHz BiCMOS级间电感匹配低噪声放大器设计
由于共源共栅级结构能同时满足噪声和功率匹配的要求，因此在LNA的设计中被广泛采用。但共源级和共栅级之间的匹配是个关键问题，笔者通过在其之间插入一个级间匹配电感，使得这个问题得以解决。
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东芝推出支持WLAN、PHS及蓝牙的SiGe BiCMOS功放IC
东芝美国电子元器件公司(Toshiba America Electronic Components, TAEC)日前发布一款中等功率SiGe BiCMOS功率放大器TA4401CT，该产品适合于1.9GHz至2.5GHz频带的无线应用，包括无线LAN(WLAN)、PHS以及蓝牙等。
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Philips 融合微波应用的硅基BiCMOS技术
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IBM增产无线设备芯片 新型产品明年正式面世
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