试说明TLC5615的特点。答:10位CMOS电压输出;5 V单电源工作;与微处理器3线串行接口(SPI);最大输出电压是基准电压的2倍;输出电压具有和基准电压相同的极性;建立时间12.5μs;内部上电复位;低功耗,最高为l.75 mW;引脚
摘要:采用标准0.18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1.6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上
1,TTL电平:输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平:1逻辑电平电压接近
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布,高速数据转换器的市场领军供应商富士通半导体欧洲(FSEU)在高速ADC上取得最新突破,这将使得在世界范围内大规模部署单波长100Gbps的光传输系统成为可能。结合富士通在混合
21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics)与CMP(Circuits Multi Projets®)携手宣布即日起通过CMP向大学、研究实验室和设计企业提供意法半导体的H9A CMOS制程(130纳米光刻技术节点),该样片试制服务可提供大量模
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)已经凭借300mA单输出"TCR3DF系列"扩充了其专为移动设备打造的CMOS-LDO稳压器集成电路的阵容。"TCR3DF系列"具有低压差、低输出噪音和高速负载瞬态响应等特性。该系列的样品将于
尽管各厂现有的全片幅旗舰机在低光的表现都有着相当恐怖的表现,但在录像时由于受制于快门速度的限制,所以现有感光组件的低光能力,还是很难表现出几近黑暗下的拍摄场合 -- 事实上,若是想要在低光下拍摄凝结的照片
Aptina日前宣布与LFoundry建立牢固的战略合作关系,LFoundry在收购Micron的半导体制造工厂后将继续在意大利阿韦扎诺生产CMOS图像传感器。LFoundry带来了丰富的特种设备代工经验与客户至上的坚定理念,以此来巩固阿韦
一直以来,关于CMOS与CCD在视频成像领域里的争论从未间断。有人表示,以CMOS的资历它根本无法撼动CCD的,也有人认为,CCD已经成长多年,太多的技术已经形成定式,从而不利于它的更新。总之,伴随着CCD与CMOS在传感器
21ic讯 Aptina日前宣布与LFoundry建立牢固的战略合作关系,LFoundry在收购Micron的半导体制造工厂后将继续在意大利阿韦扎诺生产CMOS图像传感器。LFoundry带来了丰富的特种设备代工经验与客户至上的坚定理念,以此来巩
由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波杂志》主办的EDI CON(电子设计创新会议)将于2013年3月12~14日首次登陆北京,在北京国际会议中心隆重举行。EDI CON是为开发当今的通信、计算、RFID、无线、导航、航空航
CMOS传感器和CCD图像传感器在安防领域具有重要应用,并占据着一定的市场份额。尽管CCD图像传感器在安防市场中曾经占有重要地位,但随着市场发展需要,性能更好、成本更低、集成度更高的CMOS传感器凭借诸多优势逐渐在
使用 PIC 单片机 去设计工控电路,最头痛的问题,就是 PIC 单片机在受干扰后经常硬件死锁,大部份人归咎于 “CMOS的可控硅效应” 因而产生死锁现象,一般都认为 ‘死锁后硬件复位都是无效的.只有断电。&r
GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55纳米(nm)低功耗强化型(LPe)制程技术平台进行了最新技术强化,推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是业内首个且唯一支持ARM1.0
GLOBALFOUNDRIES 宣布将公司的 55 奈米 (nm) 低功率强化 (LPe) 制程技术平台持续向上提升,推出具备 ARM 合格的新一代记忆体和逻辑 IP 解决方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是业界首创唯一支援 ARM 1.0/1.2V 实体 I
东芝于日前宣布开发出了智能手机CMOS功率放大器的电源控制技术,能够用来改善智能手机发送WCDMA及LTE等信号时所必需的 CMOS功率放大器的电力效率。该技术可根据发送功率水平
对数字频率计数器来说,CMOS和TTL器件的连接降低了芯片总数,提供1Hz解决方案将原来低于20Hz提高到50MHz。采用文中给出的10:1预定标器,将范围扩大到大于300MHz,解决方案10Hz。
GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55纳米(nm)低功耗强化型(LPe)制程技术平台进行了最新技术强化,推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是业内首个且唯一支持ARM1.0/1.2V物理I
近日,GLOBALFOUNDRIES宣布将公司的55 纳米(nm) 低功耗强化型 (LPe)制程技术平台进行了最新技术强化, 推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是业内首个且唯
GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55 纳米(nm) 低功耗强化型 (LPe)制程技术平台进行了最新技术强化, 推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是业内首个且唯一