CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

5.6GHz CMOS低噪声放大器设计

摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路，采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明：在5．6GHz工作频率，电压增益约为18．5dB；噪声系数为1．78dB；增益1dB压缩点为-21．72dBm；输入参考三阶交

线性电源
2010-04-07

CMOS 放大器设计低噪声放大器 HZ
CMOS探测器在射线检测中的设计应用

CMOS探测器在射线检测中的设计应用

嵌入式软件
2010-04-05

探测器 BSP RADIO CMOS
DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

本文设计了一种应用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CM0S压控环形振荡器。电路采用四级延迟单元能方便的获得正交输出时钟，每级采用RS触发结构来产生差分输出信号，在有效降低静态功耗的同时．具有较好的抗噪声能力。在延迟单元的设计时。综合考虑了电压控制的频率范围以及调节线性度，选择了合适的翻转点。仿真结果表明．电路叮实现2MHz至90MHz的频率调节范围，在中心频率附近具有很高的调节线性度，可完全满足DSP芯片时钟系统的要求。

数字电源
2010-03-30

DSP 环形振荡器 PLL CMOS
DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

嵌入式教程
2010-03-30

DSP 环形振荡器 PLL CMOS
受量子薄膜技术获得突破，CMOS影像传感器地位受冲击

就像是“胶卷”已经几乎消失在大众视野里一样，一种新研发的量子薄膜(quantum film)可能会让数码相机里的CMOS影像传感器位置不保。该种薄膜是以类似传统底片的材料所制成，即一种具备嵌入粒子的聚合物；不过不同于

消费电子
2010-03-29

影像传感器薄膜量子 CMOS
CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路

摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路，利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电，提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明，该电路产生的电压稳

模拟
2010-03-29

控制电路电压控制音频功率放大器 CMOS
三维封装中的电镀和清洗技术

上海新阳半导体材料股份有限公司 Tony(巴中)副总经理喻涵各位尊敬的领导及行业内的专家、前辈们，大家好！我是来自上海新阳的喻涵。虽然说这几年新阳一直在做传统的框架封装，但四年前开始公司开始着手进行先进封装

模拟
2010-03-18

封装芯片级 3D封装 CMOS
GlobalFoundries德国Dresden工厂将投产22nmCMOS制程

GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab1正在启动22nmCMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。此前，Fab1被认为将作为45/40nm和32

模拟
2010-03-15

ESD GLOBALFOUNDRIES FAB CMOS
GlobalFoundries德国Dresden工厂将投产22nm CMOS制程

GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab 1正在启动22nm CMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。此前，Fab 1被认为将作为45/40nm和

模拟
2010-03-15

ESD GLOBALFOUNDRIES FAB CMOS
RF CMOS大厂Peregrine扩大欧洲厂联电为代工伙伴

美国RF CMOS与混合讯号通讯IC大厂Peregrine Semiconductor 10日发布新闻稿指出，该公司扩大欧洲厂的设计与生产规模，并在法国的Aix-en-Provence增设一间新厂。Peregrine在欧洲的业务包括法国Aix-en-Provence设计中心

模拟
2010-03-11

联电 AI RF CMOS
RF CMOS大厂Peregrine扩大欧洲厂联电为代工伙伴

美国RF CMOS与混合讯号通讯IC大厂Peregrine Semiconductor 10日发布新闻稿指出，该公司扩大欧洲厂的设计与生产规模，并在法国的Aix-en-Provence增设一间新厂。Peregrine在欧洲的业务包括法国Aix-en-Provence设计中心

模拟
2010-03-11

联电 AI RF CMOS
低成本的 CMOS 运算放大器(ADI)

Analog Devices宣布针对中国市场发布全新的低成本、高速 CMOS 运算放大器 ADA489系列。与其它供应商提供的产品相比，ADA4891系列能够帮助设计师以更低的成本和更低的功耗实现同样的高速性能。与此同时，ADI 在高速运

模拟
2010-03-04

运算放大器 ADI BSP CMOS
CMOS Sensor抢产能转进二线晶圆代工厂

赵凯期／台北虽然近期市场有传出IC设计业者减单消息，但对于最先进制程12吋晶圆及最成熟制程的6吋及8吋晶圆产能来说，反而看到台湾及海外IC设计公司在第2季先行卡位投单，力保第3季有足够晶圆产出的动作出现，其中

模拟
2010-03-04

晶圆代工驱动IC SENSOR CMOS
三星拟再新增CMOS 8寸厂

三星拟再新增CMOS 8寸厂

嵌入式软件
2010-03-02

三星影像传感器晶圆厂 CMOS
DALSA Offers Customized HV CMOS Fabrication and HV ASIC Design Service

DALSA offers industry-leading manufacturing capability and design support for high voltage CMOS ICs such as drivers for inkjet print heads, flat panel displays, LEDs and LCDs, micromirrors, and microf

模拟
2010-02-20

ASIC DESIGN OFFER CMOS
微功耗LTC221有数据锁存的四CMOS模拟开关

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基础实用电路
2010-02-20

模拟开关 WIDTH LTC CMOS
两种CMOS系统直流电机控制开关电路

620)this.width=620;" />

基础实用电路
2010-02-20

控制开关开关电路直流电机控制 CMOS
精密CMOS单模拟开关电源电路图

620)this.width=620;" />

基础实用电路
2010-02-20

模拟开关开关电源电路图 WIDTH CMOS
三星拟再新增CMOS8寸厂

三星电子(SamsungElectronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸厂

消费电子
2010-02-08

三星影像传感器晶圆厂 CMOS
再度出手三星拟再新增CMOS 8寸厂

三星电子(Samsung Electronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸

电子设计自动化
2010-02-05

三星影像传感器晶圆厂 CMOS

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