CMOS

东芝推出适用于工业设备过流检测的高速响应、I/O全范围双通道比较器(CMOS)

中国上海，2025年12月24日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出一款双通道比较器(CMOS)——“TC75W71FU”。该产品具有高速响应和I/O全范围(轨到轨)的特点，适用于工业设备[1]中的过流检测。新产品于今日起开始出货。

CMOS图像传感器有哪些优点？你了解CMOS传感器噪声与暗电流吗

以下内容中，小编将对CMOS图像传感器的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对CMOS图像传感器的了解，和小编一起来看看吧。

CMOS传感器有哪些特点？CMOS传感器噪声控制技术涉及哪些方面

CMOS传感器将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

CMOS传感器工作原理是什么？如何评估CMOS传感器性能

以下内容中，小编将对CMOS传感器的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对CMOS传感器的了解，和小编一起来看看吧。

CMOS怎么完成像素阵列和信号处理？CMOS、CCD性能对比

本文中，小编将对CMOS传感器予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。

TrendForce集邦咨询: 錼创科技将并购Lumiode，以加速近眼显示Micro LED发展

Dec. 19, 2025 ---- PlayNitride (錼创科技)董事会于12月16日公告表示，将以200万美元收购美国Lumiode Inc.之100%股权。TrendForce集邦咨询分析，Lumiode已成立十年，这项并购案将有助PlayNitride在扩张技术与专利版图的同时，获取更多北美客户以及销售渠道，从而提升该公司在近眼显示与医疗等非显示应用的国际竞争力。

CMOS 技术赋能微型化毫米波传感器：突破与未来展望

在物联网、自动驾驶、医疗诊断等领域快速发展的当下，对传感器的微型化、低功耗、高集成度需求日益迫切。毫米波传感器因具备高分辨率、强抗干扰能力和全天候工作特性，成为感知技术的重要发展方向。而CMOS(互补金属氧化物半导体)技术的成熟，为毫米波传感器的微型化突破提供了关键支撑，推动其从实验室走向大规模商业化应用。

汽车级图像传感器选型，CMOS与CCD在ADAS环视系统中的噪声抑制对比

智能驾驶技术快速迭代，ADAS环视系统作为车辆周边环境感知的核心模块，对图像传感器的性能提出了严苛要求。其中，噪声抑制能力直接影响系统在低光照、强干扰等极端场景下的可靠性。本文从技术原理、工程实践及未来趋势三个维度，对比分析CMOS与CCD传感器在ADAS环视系统中的噪声抑制特性。

相机清空 CMOS 中电荷的底层原理(下)

相机清空 CMOS 中电荷的底层原理(上)

ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器

中国上海，2025年7月29日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴设备和室内探测器等小型应用中的测量放大器。

太赫兹射频前端集成：InP HEMT与CMOS的异质封装方案

太赫兹（THz）波段位于微波与红外光之间，具有独特的频谱特性，在高速通信、高分辨率成像、安全检测等领域展现出巨大的应用潜力。然而，太赫兹射频前端作为太赫兹系统的关键组成部分，其集成面临诸多挑战。砷化铟高电子迁移率晶体管（InP HEMT）凭借其优异的高频性能，在太赫兹频段具有出色的增益和噪声特性；而互补金属氧化物半导体（CMOS）技术则以其高集成度、低成本和成熟的制造工艺著称。将InP HEMT与CMOS进行异质封装，整合两者的优势，成为实现高性能、低成本太赫兹射频前端集成的有效途径。

量子-经典混合芯片的接口设计，超导量子比特到CMOS控制电路的协同

量子计算迈向实用化的进程，量子-经典混合芯片架构成为突破技术瓶颈的关键路径。超导量子比特虽具备高速门操作与可扩展性优势，但其运行需在毫开尔文级低温环境中维持量子态相干性;而CMOS控制电路则依赖室温环境下的成熟工艺与高集成度。这种物理条件的极端差异，催生了量子-经典接口设计的核心挑战：如何在超低温与室温之间实现高效、低噪声的信号传输与协同控制。从超导谐振腔的量子态编码到CMOS芯片的脉冲序列生成，接口设计正成为连接量子世界与经典世界的桥梁。

什么是BiCMOS？BiCMOS的工艺流程是什么样的？

为增进大家对BiCMOS技术的认识，本文将对BiCMOS以及BiCMOS工艺流程予以介绍。

CMOS图像传感器工作过程: 复位、光电转换、积分、读出几部分介绍

CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成,这几部分通常都被集成在同一块硅片上。

双极结型晶体管展现实力

在 CMOS 和宽带隙半导体技术的进步中，您很容易忘记 William Shockley 于 1949 年发明的第一个晶体管是双极结型晶体管 (BJT)。尽管它们已经不再流行，但这些不起眼的设备仍然在各种类型的电子设备中大量高效可靠地运行。事实上，在某些应用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同类产品。 BJT 技术的最新改进将使它们成为半导体技术领域的重要组成部分。

高速AD转换器的生存指南，第四部分

类似的原理也可以应用于任何使用差动信号的高速接口技术。事实上,随着数据传输速度的加快,需要增加对这些项目的关注。随着数据速率进入Gbps范围,过程和板几何形状变得更小,在短得多的传输距离时,串扰等不必要的影响会成为一个问题。

高速AD转换器的生存指南，第三部分

在模拟数字转换器(ADC)空间,目前主要有三种类型的数字输出使用的ADC制造商。如本文之前部分所述,这三种输出是互补金属氧化物半导体(CMOS)、低压差动信令(LVDS)和电流模式逻辑(CML)。

高速AD转换器的生存指南，第二部分

目前，已经有两个标准已经编写来定义LVDS接口。最常用的ANSI/TIA/EIA-644规范,题为"低压差动信令(LVDS)接口电路的电气特性。另一种是题为"用于可伸缩相干接口的低压差动信号(LVDS)标准"的IEEE标准159.3。"

高速AD转换器的生存指南，第一部分

由于设计者可以选择许多类似数字转换器,在选择过程中需要考虑的一个重要参数是包括的数字数据输出类型。目前,高速转换器使用的三种最常见的数字输出类型是互补金属氧化物半导体(CMOS)、低压微分信号(LVDS)和电流模式逻辑(CML)。