CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

DALSA Offers Customized HV CMOS Fabrication and HV ASIC Design Service

DALSA offers industry-leading manufacturing capability and design support for high voltage CMOS ICs such as drivers for inkjet print heads, flat panel displays, LEDs and LCDs, micromirrors, and microf

模拟
2010-02-20

ASIC CMOS DESIGN OFFER
微功耗LTC221有数据锁存的四CMOS模拟开关

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基础实用电路
2010-02-20

模拟开关 WIDTH LTC CMOS
两种CMOS系统直流电机控制开关电路

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基础实用电路
2010-02-20

控制开关开关电路直流电机控制 CMOS
精密CMOS单模拟开关电源电路图

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基础实用电路
2010-02-20

模拟开关开关电源电路图 WIDTH CMOS
三星拟再新增CMOS8寸厂

三星电子(SamsungElectronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸厂

消费电子
2010-02-08

三星影像传感器晶圆厂 CMOS
再度出手三星拟再新增CMOS 8寸厂

三星电子(Samsung Electronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸

电子设计自动化
2010-02-05

三星影像传感器晶圆厂 CMOS
Siemon采用Luxtera技术推出主动光缆产品

2/1/2010，硅CMOS光子技术开发商Luxtera宣布同布线系统厂商Siemon合作，利用Luxtera的40Gbps光模块产品，Siemon将会推出Moray主动光缆产品。Siemon表示他们选择Luxtera的光模块是看中了其硅CMOS光子技术和高性能，低

通信技术
2010-02-03

光子光缆 TE CMOS
三星拟再新增CMOS 8寸厂

三星电子(Samsung Electronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸

模拟
2010-02-01

三星影像传感器晶圆厂 CMOS
超低压差CMOS线性稳压器的设计

　随着笔记本电脑、手机、PDA 等移动设备的普及,对应各种电池电源使用的集成电路的开发越来越活跃,高性能、低成本、超小型封装产品正在加速形成商品化。LDO(低压差)型线性稳压器由于具有结构简单、成本低廉、低噪声、

线性电源
2010-02-01

低压线性稳压器 BSP CMOS
Vishay 推出循环寿命长达两百万次的面板电位计

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款经济、长寿命的面板电位计 --- P11L，该电位计具有四种模块和12.5mm的紧凑外形。标准的低成本面板电位计的循环寿命只有50000次，而Vishay的P11L的寿命则长达2百万次

显示光电
2010-01-26

器件 Vishay 电位 CMOS
巧焊场效应管和CMOS集成电路

焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。

模拟
2010-01-19

集成场效应管 CMOS集成电路 CMOS
监控用CMOS与CCD图像传感器对比

CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方

显示光电
2010-01-13

CIS CCD图像传感器 CAMERA CMOS
监控用CMOS与CCD图像传感器对比

CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方

线性电源
2010-01-11

CIS CCD图像传感器 CAMERA CMOS
监控用CMOS与CCD图像传感器对比

CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方

数字电源
2010-01-11

CIS CCD图像传感器 CAMERA CMOS
监控用CMOS与CCD图像传感器对比

CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方

数字电源
2010-01-11

CIS CCD图像传感器 CAMERA CMOS
CMOS系统电源接口－直流开关电路

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基础实用电路
2010-01-06

直流开关电路系统电源 CMOS
CMOS系统电源接口－交流开关电路图

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基础实用电路
2010-01-06

开关电路图系统电源交流开关 CMOS
安捷伦GoldenGate 4.4加速先进CMOS RFIC设计

安捷伦科技(Agilent Technologies)宣布推出旗下RFIC仿真、验证与分析软件的最新版本──GoldenGate 4.4。该软件具备强化的效能、更高稳定度与良率分析，以及RF-混合讯号仿真效能，可为先进节点RFIC设计实现更高效能

模拟
2010-01-05

安捷伦 RF IC设计 CMOS
硕达今90元兴柜挂牌

杨青山认为，硕达已建构优异的设计、生产、销售体系，正朝全球最大的记忆卡代工、SIP系统级封装模块厂目标迈进。图文/张秉凤小型记忆卡封测、模块厂－硕达科技今（31）日以90元登录兴柜挂牌交易，兴柜市场半导体

模拟
2009-12-31

系统级封装 SIP PACKAGE CMOS
东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件

东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。如果采用该技术层叠100层16GB的内存芯

模拟
2009-12-27

晶圆 MOSFET MOS元件 CMOS

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森与海巷

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三星拟再新增CMOS8寸厂

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