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集邦：全球DRAM产业Q3营收季增率高达40.7％
根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且
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TIMC与DRAM产业再造计划
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TM
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产业明显好转但是前景仍不明朗
全球半导体产业受金融危机的冲击已经一年过去。此次危机是历史上最严重的一次，所以尽管各国政府都奋力相救，但是由于受损太严重，产业的完全康复仍需要过程与时间。至此，产业链中各类公司今年前三个季度的财报都已
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金士顿：DRAM价格2.5美元很健康 看好明年NAND Flash市场前景
远东金士顿(Kingston)董事长蔡笃恭指出，目前PC OEM厂对于DDR2和DDR3货源都很缺，产业链库存水位不高，预计到2009年底前都没有淡季，展望2010年存储器产业，NAND Flash市场受惠终端应用多元化发展，包括手机应用起飞
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台系DRAM厂3Q亏损175亿元 4Q可望飞越损平点
受惠DRAM价格谷底翻身，台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小，合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元，累计前3季亏损731亿元，其中茂德亏损最多，华亚科亏损金额最小，展望第4季，DRAM价格持续走强
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海力士半导体预期第四季DRAM价格上扬 明年市场趋紧
韩国海力士半导体预估，动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲，并指出合约价格可能在11月进一步扬升，12月时趋稳。 海力士公司主管在投资人电话会议中称，由于产业供应增长有限，2010年料出现DRAM短
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英特尔宣布突破NAND闪存20纳米加工工艺极限
据国外媒体报道，英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术。这两家公司称，这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限，使加工工艺缩小到5纳米，从而更加节省成本。 英特尔研究员和内存
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宣明智：DRAM年年都要过冬 该做的就做
尽管上周南亚科及华亚科法说会时，公司对于DRAM市场多抱持乐观看法，不过台湾创新存储器公司(TIMC)董事长宣明智26日上午参观台湾宽频通讯展时却表达保守看法，认为DRAM年年都要过冬，对DRAM景气没有那么乐观，针对DR
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尔必达连亏8季首次获利
日系DRAM大厂尔必达(Elpida) 2010会计年度第2季(7~9月)出现连亏8季以来的首度由亏转盈，营收960亿日圆(约10.66亿美元)，营业利益5亿日圆，加上日前1Gb容量 DDR2价格冲上2.5美元价位， DRAM厂营运状况大幅转好，更开始
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iSuppli：DRAM业复苏 2010年可望延续
研究机构iSuppli表示，第2、第3季DRAM销售额与价格连续增长的幅度，至少创下5年来之最。该机构遂看好产业后市，2010年也将持续复苏。 据国外媒体报道，根据iSuppli初步预测，第3季全球DRAM销售额季增35%，第2季则增
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南亚科、华亚科冲刺50纳米 明年资本支出逾600亿新台币
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全
