二季度美光科技净利润为16.2亿美元,超出预期,每股收益为1.42美元。财报发布后,美光科技股价上涨5%。美光同时表示,预计下半年内存芯片市场将出现复苏。
三星再次更新内存技术,在NVIDIA的GTC大会上专门为数据中心、GPU等高性能计算带来了更新的HBM2E内存。这款芯片是业界首款符合HBM2E规范的产品。
台湾科技部在14日发表由清华大学团队研发出的最新磁阻式随机存取内存(MRAM)技术,称对半导体产业发展将有决定性的影响力。
三星电子14日表示,将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
据国外媒体报道,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的最新调查显示,2019年Q1,由于市场供过于求,DRAM产业的大部分交易已改为月结价(Monthly Deals),价格也在2月份出现大幅下滑,季度降幅已从最初估计的25%调整至近30%,这将是自2011年以来单季最大跌幅。
据businessKorea报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。
据报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。
其中,全年来看三星电子占市场份额的43.9%,达到437.47亿美元。其次是SK海力士,达到294.09亿美元,占29.5%
从去年Q4季度以来,DRAM内存的价格就已经开始由涨转跌,由于智能手机及经济环境的变化导致需求放缓,再加上厂商库存增加,内存价格已经开始降了。从市场调研数据来看,内存价格确实是不断在下滑的,仅仅是今年
今年以来DRAM价格持续下跌,DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利,南亚科将朝向优化产品组合方向调整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外,南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权,并启动自主研发的10纳米世代制程研发。
2月27日,南亚科总经理李培瑛表示,去年大幅成长的服务器存储器市场经过两季的调整,3月起市况开始好转,第二季DRAM 市况可望较第一季略为回温。
从营收角度观察,厂商普遍难逃季衰退的命运。产业龙头三星在服务器内存出货大减的冲击下,第四季位元出货在三大原厂中下滑最多,营收较上季下滑25.7%,来到94.5亿美元,市占则跌至41.3%。
外电报导指出,美国半导体大厂美光科技周二股价上扬,主要因为该公司首席执行长预计下半年情况将会改善。
外电报导指出,美国半导体大厂美光科技周二股价上扬,主要因为该公司首席执行长预计下半年情况将会改善。
瑞士信贷(Credit Suisse)董事总经理、台湾股票研究主管Randy Abrams表示,许多芯片公司表示,尽管预计2019年第一季度前景不佳,但该季度可能会触及“周期底部”。他说,投资者通常会试图\"把握底部时间\",\"担心稍后的复苏速度\"。Kiwoom Securities全球战略与研究主管Daniel Yoo表示,半导体行业的低迷周期“可能比预期短得多”。
Kiwoom Securities全球战略与研究主管Daniel Yoo表示,半导体行业的低迷周期“可能比预期短得多”。
台湾是美光的DRAM生产重镇,并在此建立DRAM卓越中心。美光桃园厂预计今年进入1Y纳米技术量产,台中厂将于明年进入1Z纳米技术量产。
南亚科总经理李培瑛表示,今年上半年受全球经济放缓、中美贸易战、关税提高造成供应链调整与CPU 短缺等因素影响,预期DRAM 市场上半年市况保守,第1 季度价格下跌幅度可能与去年第4 季的下滑1 成相近,第2 季目前仍难以预期。
具体来说,美光科技将在DRAM和NAND闪存领域的投资较之前的计划减少12.5亿美元。南亚和海力士计划各自降价40%。三星电子(Samsung Electronics)可能也会效仿。
由于需求疲弱,继三星、美光和南亚科后,韩国存储器大厂SK海力士决定将今年资本支出大砍四成。