腹背受敌的美光“开挂”了？DRAM 有望迎来新突破？

几年前的美光，可谓是腹背受敌，不仅在加工技术方面饱受争议，市场销量竞争也不及其他企业。今天，该公司虽在很多方面不敌三星，但相较SK海力士而言已经能够迎头赶上。一路奋起直追的美光，在今年4月，为了应对DRAM和新工艺技术需求的增长，开始在台湾台中附近的园区正式动工，打造新的无尘室来进行内部研发。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示:“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等广泛长期趋势的推动，内存和存储的长期需求前景是不可抗拒的。”“新美光凭借创新的产品、反应性供应链以及与全球客户建立的良好关系，很好地利用了这些趋势。”

台湾美光记忆体已经100%使用美光第一代10nm级制造技术(也称为1X nm)生产DRAM产品，并将在不久的将来直接进入第3代10nm级工艺(也称为1Z nm)。与此同时，美光去年在台中附近开设了一家新的测试和包装工厂，创建了全球唯一的垂直集成DRAM生产工厂之一。

此外，美光还宣布，计划斥资20亿美元在日本广岛附近的校园新建一间洁净室。据报道，新的生产能力将用于制造采用美光13纳米工艺技术的DRAM。

随着越来越难以扩展新的制造技术(无论是在工程方面还是在财务挑战方面)，与所有DRAM制造商一样，美光将拥有多个10纳米级节点。除了今天使用的第一代和第二代10纳米级的工艺技术，鉴于现在面临不同的发展阶段，美光计划引入至少四个以上为10nm级的制造工艺：1Z，1 α，1 β和1 γ (希腊γ，不是y)。

TechInsights的分析师表示，美光已经悄然开始使用其1Xnm工艺技术的die微缩版本的1Xs，这意味着美光10nm级的制造工艺的总数将超过6种。美光本身没有证实这一点，但它表示，它在所有的生产设施中都有研发人员，以确保最高产量(和其他属性)，这可能意味着不同晶圆厂可能存在相同节点的变化。

目前，美光公司正在加大其用于制造各种产品的第二代10nm级制造工艺(即1Y nm)，该工艺用于制造该公司的各种产品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。