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ASM：迈入FinFET将需要全方位ALD方案
半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。
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运用FinFET技术14奈米设计开跑
虽然开发先进微缩制程的成本与技术难度愈来愈高，但站在半导体制程前端的大厂们仍继续在这条道路上努力着。Cadence日前宣布，配备运用IBM的FinFET制程技术而设计实现之ARM Cortex-M0处理器的14奈米测试晶片已投入试产
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运用FinFET技术 14nm设计开跑
虽然开发先进微缩制程的成本与技术难度愈来愈高，但站在半导体制程前端的大厂们仍继续在这条道路上努力着。Cadence日前宣布，配备运用IBM的FinFET制程技术而设计实现之ARM Cortex-M0处理器的14奈米测试晶片已投入试产
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台积电16nm工艺提早到来
根据DIGITIMES Research分析师研究，台湾半导体制造公司（TSMC）有望提前投产20nm制程，同时也有提前拿出16nm FinFET工艺。研究报告指出，台积电在最近一个投资者会议上透露的信息清楚地表明，台积电半导体工艺取得了
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台积电16nm工艺提早到来 等待非常值得
根据DIGITIMES Research分析师研究，台湾半导体制造公司（TSMC）有望提前投产20nm制程，同时也有提前拿出16nm FinFET工艺。 研究报告指出，台积电在最近一个投资者会议上透露的信息清楚地表明，台积电半导
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台积电16nm工艺提早到来
根据DIGITIMES Research分析师研究，台湾半导体制造公司（TSMC）有望提前投产20nm制程，同时也有提前拿出16nm FinFET工艺。 研究报告指出，台积电在最近一个投资者会议上透露的信息清楚地表明，台积电半导体工艺取得
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Cadence、IBM推动SOI FinFET迈向14nm
EDA供应商Cadence Design Systems日前宣布，已运用IBM的14nm 绝缘层上覆矽 ( SOI ) FinFET制程开发一款基于ARM处理器的测试晶片。该晶片采用ARM Cortex-M0核心，这也是ARM, Cadence和IBM共同开发14nm及以下节点SoC之
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Cadence、IBM推动SOI FinFET迈向14nm
EDA 供应商 Cadence Design Systems 日前宣布，已运用 IBM 的 14nm 绝缘层上覆矽(SOI) FinFET 制程开发一款基于 ARM 处理器的测试晶片。该晶片采用 ARM Cortex-M0 核心，这也是 ARM, Cadence 和 IBM 共同开发 14nm 及
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或有兴起势头 联电14nm＋20nm混合工艺曝光
【赛迪网讯】在半导体代工行业当中，除了声名显赫的台积电和GlobalFoundries两家以外，联电的名字可能有些人还不太熟悉，其实它同样是代工行业不可忽视的力量。近日该公司就宣布，将会积极开发14nm工艺，和GlobalFou
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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联电研发14nmFinFET技术 较28nm效能提升35～40%
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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联电14nmFinFET制程技术后年试产
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14奈米FinFET制程技术，预计效能可较现今28奈米制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与
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联电40纳米年底占比15%，Q4续处分业外转投资
联电(2303)执行长孙世伟表示，40纳米制程于今年底到达15%营收的内部目标可望提前完成。先进制程的28纳米进度符合预期。此外，第四季将持续处分业外持股以缓和认列日本子公司损失对损益的影响。 联电公司指出，40纳米
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研发进度超前台积电16nm明年底试产
台积电16奈米鳍式电晶体(FinFET)制程量产时程可望提前。台积电预估2013年6月即可提供IC设计客户，16奈米晶圆光罩共乘服务(Cyber??shuttle)，并将于明年底开始试产，后年初正式量产，借此巩固全球晶圆代工市场龙头地位
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台积电拟2013年用ARMv8作为16nm FinFET制程的验证
台积电在上周二的年会上公布了该公司的路线图，其中提到他们将会在明年年底开始尝试用 ARM 的第一个 64-bit 处理器(ARMv8 指令集)来作为 16nm FinFET 制程的验证。 按照这份路线图，台积电计划在 2013 年 11 月开始
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台积电拟携ARM V8进军16nm FinFET
【摘要】台积电在10月16日的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合作伙伴们
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台积电16纳米FinFET制程明年到来
台积电在10月16日的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。台积电与其合作伙伴们表示，用
