或有兴起势头 联电14nm＋20nm混合工艺曝光

【赛迪网讯】在半导体代工行业当中，除了声名显赫的台积电和GlobalFoundries两家以外，联电的名字可能有些人还不太熟悉，其实它同样是代工行业不可忽视的力量。近日该公司就宣布，将会积极开发14nm工艺，和GlobalFoundries 14nm-XM技术类似，也采用20nm工艺的后端元素。
据其高管表示：“根据IBM FinFET技术授权，联电决定在20nm工艺的基础上开发14nm FinFET(场效应晶体管)技术。这将是一个最优化的兼顾低功耗和高性能的方案，对于双重图案光刻带来的额外成本也能够很好的起到抑制作用。”
另外，联电自己的20nm工艺也要使用FinFET晶体管技术，同样可以做到快速升级。
虽然联电此次并未披露具体时间表，不过考虑到联电的28nm HKMG工艺也要到2014年初才会量产，14nm FinFET则更遥遥无期，所以估计怎么也得2016-2017年了。