Holtek推出专门应用于多彩RGB LED产品的USB Flash MCU - HT66FB572/HT66FB574,除适用于一般计算机外设与消费性产品外,其最大的特点是以内建定电流源分别配合15 / 24个PWM输出.
余承东日前爆料称,P10系列手机混用UFS和EMMC两种闪存方案的核心原因,就是供应链Flash严重缺货,华为的存储至今还处于缺货之中。那么,NAND Flash制造商如今产能状况如何?缺货问题何时能够得到缓解?
全球存储器龙头大厂针对3D NAND Flash开始全力强化其战力,包括韩系龙头的三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系东芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特尔(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生产,熟悉后段封测业者表示,估计2017年第3季NAND Flash供需紧绷市况可望稍微缓解,价格涨势回稳,而进入3D NAND时代后,存储器封测业者中,又以力成最为受惠。
力晶集团执行长黄崇仁表示,第五代行动通讯(5G)快速兴起,将启动大量影像传输需求,加上汽车电子及云端服务器快速成长,将开启另一波内存(DRAM和Flash)强劲需求,但供给端都遭遇程技术瓶颈,预料明年DRAM还是会缺货。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
根据市场研究机构集邦咨询(TrendForce)最新研究指出,受到 2017 年搭载 OLED 面板的智能手机数量大幅增加,以及 TDDI 技术所需 NOR Flash 产能提升的带动,加上如美光、兆
根据科技网站 ZDNet 的报导指出,半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知,预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧,这也迫使得英特尔未来将优先以供应数
Holtek在血糖仪产品上,继第一代HT45F65/HT45F66/HT45F67之后再推出高度整合的BH66F2470及BH67F2470。
Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等
固态硬盘(Solid State Drives),简称固盘,固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同,在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
SK海力士(SK Hynix)入主东芝(Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化,但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划,是否能为SK海力士带来1加1大于2的事业综效,外界出现不同评价。
NAND Flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
3D 架构的 NAND 型快闪内存(Flash Memory)竞争越来越激烈,东芝(Toshiba)于去年 7 月宣布领先全球同业开始提供堆叠 64 层的 256Gb(32GB)3D Flash 的样品出货,之后三星于去年 8 月宣布,堆叠 64 层的 3D Flash 产品将在 2016 年 Q4(10-12月)开卖。而现在又换东芝出手,宣布容量提高 1 倍的 64 层 512Gb(64GB)3D Flash 已进行送样,且将在今年下半年量产。
存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动的完成程序或数据的存取。存储器是具有记忆功能的设备,它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。
近年来,企业加速整合并购,有一些企业也自我断臂修整,以让关键业务盈利能力更强,由于经济效益不明显,美光计划出售Nor Flash业务,全力发展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根据
存储器产品主要包括DRAM内存和FLASH闪存。从历史发展经验来看,存储器产业是一个周期波动的产业,同时也是一个高度垄断和高风险的产业。2016年12月底总投资240亿美元的长江存储国家存储器基地正式开工建设,同时福建晋华和合肥长芯等存储器项目也正在积极筹备和建设当中。
受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升,以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘(SSD),NAND Flash需求正快速成长,各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号,若能整合好跨领域人才和技术,中国3D NAND Flash有望弯道超车。
Holtek推出BC68F0031 RF透传专用Flash MCU,作为RF IC与主控系统芯片间桥接应用,让通信格式自定义化,使复杂系统能快速增添RF通信功能。
最近几年存储器市场大热,储存型快闪存储、DARM在淡季爆出“大冷门”,飙出历年最大涨幅后,编码型快闪存储也紧随其后,在蛰伏4年后,首次涨价,首季调涨5~7%不等,下季涨幅更大,估计会超过10%。
单片机运行时的数据都存在于RAM(随机存储器)中,在掉电后RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。