受到部份零组件缺货影响,ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期,导致固态硬碟(SSD)需求急降,价格也一路走跌,2018年上半年NAND Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期,三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画,新产能将在2019年后开出,届时NAND Flash市场将供过于求。
如何从Flash启动嵌入式系统以Arty A7开发板为例手把手教你实现在诸多关于MicroBlaze软核处理器的例程中,往往都是使用JTAG下载然后借助SDK执行程序代码。然而无论是在项目展
近期编码型存储器(Nor Flash)因市场需求不减,价格依旧持续维持高档。不过,目前大陆有新产能开出,加上新的解决方案应用,导致供需双方面都有变化的情况下,整体市场价格开始有松动倾向。
2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。
多位分析师近来发表NAND Flash价格触顶言论,引发市场忧虑,美国内存芯片大厂美光(Micron)周二以优于市场预期的上季业绩,和亮眼的本季财测,打脸分析师,应能让紧张的投资人安心享受年终假期。
DRAM严重供不应求,三星明年首季再涨价3%至5%之后,SK海力士 下季也将涨价约5%,全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次。
据报道,根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季在需求端面临到传统淡季的冲击,包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%,而服务器需求相对持平,整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率,位元产出成长亦较第四季高于5%,预期NAND Flash市场将进入供过于求态势,2018年第一季固态硬盘、NAND Flash颗粒及waf
Holtek新一代BS83xxxC系列Touch Flash MCU,除承袭BS83BxxA系列的优点以外,更全面提升MCU的抗干扰能力,可抵抗各式噪声的干扰,如:电源噪声、RF干扰、电源波动等,可应用于各式有按键需求如油烟机、电磁炉、微波炉、厨房秤等产品。
H-Jtag V1.0 烧写NOR Flash
以ARM为核心的嵌入式设备,是一种以计算机为核心的产品,必须要有存储软件的存储器。单片机中软件存储在单片机芯片内的ROM存储器中,单片机的ROM容量很小,一般都小于1MByt
随着信息技术的发展,信息的载体-芯片的使用也越来越多了,随之而来的芯片安全性的要求也越来越高了,各个芯片厂商对芯片保密性要求越来越高,芯片的加密,保证了芯片中的信息的安全性。经常有客户打电话过来问,这个芯片加密了还能不能用啊。本文通过对芯片的加密的介绍来看看不同的Flash,MCU以及DSP加密的效果。
随着信息技术的发展,信息的载体-芯片的使用也越来越多了,随之而来的芯片安全性的要求也越来越高了,各个芯片厂商对芯片保密性要求越来越高,芯片的加密,保证了芯片中的信息的安全性。经常有客户打电话过来问,这个芯片加密了还能不能用啊。本文通过对芯片的加密的介绍来看看不同的Flash,MCU以及DSP加密的效果。
说到STM32的flash,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然, FLASH还可以用来装数据。
Nand Flash存储器是flash存储器的一种,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,如嵌入式产
SK海力士(SK Hynix)日前终于如愿以美日韩联盟成员身分与东芝(Toshiba)签约,也为延宕许久的东芝半导体出售一案,暂时划下句点。尽管SK海力士强调仅是投资者,但SK海力士与东芝在NAND Flash市场上,其实有许多复杂的竞争及利害,因此未来SK海力士NAND Flash事业发展动向,格外引起业界高度关注。
近期市场传出 NAND Flash 大厂东芝产能出现问题,损失 10 万片产出,经调查与确认后,东芝确实在产在线遭遇一些问题,且整体产出量较原先预期少 ,但影响程度远低于外界谣传近 10 万片的规模,且东芝工厂产线也未出现停摆。 对于东芝客户来说,在第 4 季议价时所承诺的交货数量也没有受到直接冲击。
NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用,然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况,针对这种情况,本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法,实验结果表明,此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外,针对NAND FLASH的关键时序参数,如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等,使用测试系统为器件施加适当的控制激励,完成NAND FLASH的时序配合,从而达到器件性能的测试要求。
Nand Flash存储器是flash存储器的一种,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,如嵌入式产
引言随着嵌入式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、MP3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用,Flash存储器已经逐步取代其他半导体存储元件,成为嵌入式系统中主要数
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海欧比特公司自主研发的一款大容量(2Tb)NAND FLASH,文中介绍了该芯片的结构和原理,并针对基于FPGA的应用进行了说明。