MOSFET
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业内最低导通电阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同
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业内最低导通电阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
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完全自保护式低压侧MOSFET（Diodes）
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。
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完全自保护式低压侧MOSFET（Diodes）
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。
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半桥MOSFET驱动器（研诺）
研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech）宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低
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半桥MOSFET驱动器（研诺）
研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech）宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低
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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。
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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。
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超低压差线性稳压器的拓扑架构及应用趋势
近年来，低压差稳压器(LDO)在各类电子设备，尤其是对电能有苛刻需求的消费类电子中，得到了广泛的应用。但随着更低压差应用需求的发展，由于LDO拓扑架构的限制，越来越难以满足应用的需求。于是，基于新型拓扑架构的
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满足复杂DC-DC功率转换要求的解决方案
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满足复杂DC-DC功率转换要求的解决方案
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满足复杂DC-DC功率转换要求的解决方案
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抽头式电感器提高离线降压转换器的性能
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华微电子六英寸线投产试运行
华微电子(600360)六英寸新型功率半导体器件项目设备已经安装调试完毕，日前正式通线并投入试运行。此举将公司在新型功率半导体器件领域的研发和生产向前推进了一大步。公司董事长夏增文表示，六英寸项目通线后，将加
