MOSFET
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英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电机、光伏逆变器、不间断电源、电机驱动和固态断路器等。
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开启电子热管理技术圈的正向设计之门|鲁欧智造第三届用户大会成功举办
7月18日，由鲁欧智造(山东)数字科技有限公司主办、中关村集成电路设计园、北航确信可靠性联合实验室协办的第三届用户大会在北京朗丽兹西山花园酒店成功举办。本次大会以“开启电子热管理技术圈的正向设计之门”为主题，吸引了来自全国各地的300余名行业专家、企业代表及技术精英齐聚北京。
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配置四开关降压-升压型µModule稳压器来适应不同应用：升压、降压或反相输出
许多电源转换应用都需要支持宽输入或输出电压范围。ADI公司的一款大电流、高效率、全集成式四开关降压-升压型电源模块可以满足此类应用的需求。该款器件将控制器、MOSFET、功率电感和电容集成到先进的3D集成封装中，实现了紧凑的设计和稳健的性能。这款µModule®稳压器支持非常宽的输入和输出电压范围，拥有高功率密度、优越的效率和出色的热性能。本文重点介绍了该款器件的多功能性，展示了它在各种拓扑中的应用，包括降压拓扑、升压拓扑和适用于负输出应用的反相降压-升压配置。
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MOSFET失效模式分析：从雪崩击穿到热失控的预防措施
在电力电子系统中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心开关器件，其可靠性直接影响系统寿命。据统计，功率器件失效案例中，MOSFET占比超过40%，主要失效模式包括雪崩击穿、热失控、栅极氧化层击穿等。本文从物理机制出发，系统分析MOSFET的典型失效模式，并提出针对性的预防策略，为高可靠性设计提供理论支撑。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，体二极管反向恢复与开关振铃的协同抑制
在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性，成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速开关过程中产生的直流电磁干扰(EMI)、体二极管反向恢复电流及开关振铃现象，正成为制约系统可靠性的关键瓶颈。本文从器件物理机制出发，结合工程实践，系统分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出体二极管反向恢复与开关振铃的协同抑制策略。
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iDEAL的SuperQ技术正式量产，推出150V与200V MOSFET，展示业界领先的性能指标
美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。
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Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来
协议旨在整合利用Microchip mSiC™技术与台达智能节能解决方案，加速可持续应用开发
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英飞凌荣获DENSO商业合作伙伴奖
【2025年7月17日, 德国慕尼黑讯】全球领先的交通出行解决方案供应商DENSO在其年度北美商业合作伙伴大会(NABPC)上，为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)授予了2025年北美商业合作伙伴“价值领导者”奖。共有来自北美各地的约150名供应商代表参加了此次大会，DENSO在会上表彰了15家杰出的商业合作伙伴。
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英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用
【2025年7月1日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ，广泛适用于车载充电器（OBC）、 DC-DC转换器、电动汽车（xEV）辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等工业应用。
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罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”
应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升
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SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。
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英飞凌CoolMOS™ 8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
【2025年6月13日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS™ 8提供了一体化解决方案，将优化光宝科技新一代技术在现有及未来服务器应用与数据中心设计中的性能。
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英飞凌推出全新紧凑型CoolSET™封装系统（SiP），可在宽输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出
【2025年5月28日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSET™封装系统（SiP）。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85 - 305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。系统中的高压 MOSFET采用小型SMD封装，拥有低RDS(ON)且无需外部散热器，从而缩小了系统尺寸并降低了复杂性。CoolSET™ SiP支持零电压开关（ZVS）反激式操作，在实现低开关损耗和低EMI特性的同时，提高系统可靠性和稳健性。这使其成为大型家用电器和AI服务器等应用的理想解决方案。此外，这款控制器使开发者更容易满足严格的能源标准，帮助他们设计开发出与时俱进的最新功率解决方案。
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利用理想二极管，实现稳健的电源
稳健的系统通常允许使用多个电源。使用多个不同电源为器件供电时，需要部署若干开关以将电源相互分隔开，以防损坏。对此，固然可在电源路径中使用多个二极管来实现，但更灵活、更高效的方法是使用理想二极管。本文将介绍此类理想二极管的优势。文中将展示两个版本的理想二极管：一个是无需根据电压电平选择输入电源轨的理想二极管；另一个版本则更加简单，始终由更高的电压为系统供电。
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英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
【2025年5月16日, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采用紧凑型5x6 mm² 双面散热（DSC）封装的OptiMOS™ 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的 IBC级。应用测试表明，其效率较之前使用的解决方案提高约 0.4%，相当于每kW负载节省约4.3 W。如果能扩展到系统层面，如服务器机架或整个数据中心，则将带来显著的节能效果。
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英飞凌与科士达深入合作，全栈方案树立UPS高效可靠新标杆
【2025年4月10日, 中国上海讯】在全球数据中心加速向高效化、集约化转型的背景下，高频中大功率UPS（不间断电源）市场需求持续攀升，对能效、功率密度及可靠性的要求亦日益严苛。 近日，英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC™二极管、650V CoolSiC™ MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案，助力科士达100kVA在线式UPS系统实现关键突破，满足数据中心对高可靠、高能效电源的严苛需求。
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英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
【2025年3月27日, 德国慕尼黑讯】Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的 MOSFET 内阻（RDS(on)），进而减少了导通损耗，提高了整体设备效率和电流密度，而且还节省了与MOSFET相关的成本。
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纳祥科技NX7011，应用于电机的双N沟道MOSFET，替代AP20G02BDF
纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。 在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
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纳祥科技30V 20A双N沟道MOSFET NX7010，高性能PIN TO PIN AP20H03DF
纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时，两个MOS管都处于导通状态，电流从N1的源极流向N2的漏极，再从N2的源极回到N1的漏极；当栅极电压小于截止电压时，两个MOS管都处于截止状态，电路中的电流几乎为零。 在性能上，NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF
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Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封装融合卓越散热性能、紧凑尺寸与便捷封装特性，适用于高功率应用场景
