MOSFET
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专为12 V电池防反接设计的保护器件TPSMB非对称瞬态抑制二极管
创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用
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一文深入详解IGBT开关过程
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心器件，凭借其高输入阻抗、低导通损耗和快速开关能力，广泛应用于新能源汽车、工业变频、可再生能源等领域。其开关过程直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。
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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
中国上海，2025年12月18日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。
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了解齐纳二极管和建立自己的测试仪
二极管在正向工作时具有小的电压降(约0.2V至0.7V)。当反向布线时，它们有很大的电压降。流行的1N4001二极管的反向电压为50V或更高，而1N4007二极管的反向电压为1000V或更高。这意味着当它们的反向击穿电压超过时，它们将开始传导电流。
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安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作，共同推进新一代电源技术发展
此次合作将带来更智能的汽车电源解决方案，兼具卓越能效与优化性能
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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性
薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性
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在电子系统中，MOSFET的应用解析
在电子系统中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件，其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。
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大联大诠鼎集团推出基于PI产品的62W三输出定电压反激式电源解决方案
2025年11月13日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux™-2系列IMX2379F芯片的62W三输出定电压反激式电源解决方案。
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
中国上海，2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48VAI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。
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英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。
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大联大友尚集团推出基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案
2025年10月23日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC单栅极驱动器以及使用ST Gen3的1200V碳化硅MOSFET所设计的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案。
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英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7 功率MOSFET
【2025年10月22日, 德国慕尼黑讯】各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS™ 7系列为各类工业与消费应用场景提供了理想的解决方案，其产品涵盖高性能开关、电机驱动、RDS(ON)优化等特定应用领域。
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如何利用Arduino控制直流电机MOSFET速度
在本教程中，我们将学习如何使用MOSFET模块控制直流电机速度。
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体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
中国上海，2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。
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东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
中国上海，2025年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。
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开关电源MOSFET驱动电路的RCD缓冲设计详解
在开关电源设计中，MOSFET作为核心开关器件，其开关过程产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题直接影响系统可靠性。RCD（电阻-电容-二极管）缓冲电路通过钳位电压尖峰、抑制振荡，成为保护MOSFET的关键技术。本文从工作原理、参数设计、优化策略三方面解析RCD缓冲电路的核心设计要点。
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英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
【2025年9月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，该产品组合可同时支持顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种散热方案，为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源(SMPS)，可广泛应用于多个领域，包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。
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搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产
中国上海，2025年9月10日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。
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东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-
