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更快：15纳米制程NAND闪存芯片即将量产
东芝和SanDisk公司共同开发并即将量产世界上第一批15纳米制程技术的NAND闪存芯片，数据传输率比前代19纳米制程快1.3倍，将广泛应用在智能手机和平板电脑领域。对用户来说，低成本结构的杀伤力不容小觑。东芝还表示将
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闪迪东芝发布15nm闪存芯片，提速30%
半导体有多种类型，又有不同容量、速度和作用，但最广泛使用最常见的是NAND闪存（Flash），因此针对此类芯片的任何一次进步都有可能影响到各个行业。日前，SanDisk和东芝宣布，已经完成了迄今为止全球最
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美光NAND闪存和DRAM技术创新获SI认可
美光科技有限公司今天宣布，美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得Semiconductor Insights公司(简称SI公司)认可，进入SI第八届Insight 年度大奖的最终
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NAND闪存蚕食DRAM地盘 处理器主板或搭闪存用的总线
在固态硬盘(SSD)正被市场疯狂采用的此时，我知道这个标题感觉不太礼貌，但这种装置只能说是产业界着眼于闪存(flash)的永久储存性──也就是储存的数据即使在装置断电后仍能有效保存，又称作“非挥发性(nonvolat
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内存技术更新至少还得再等十年
很少人会想到 NAND快闪内存已经快要消失在地平在线、即将被某种新技术取代，笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于闪存储存系统的电话会议，听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代内存技术的规
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基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的
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东芝开发出最快的嵌入式NAND闪存模块设备控制器
东京—东芝公司2014年2月25日宣布，该公司已经开发出全球最快的符合JEDEC固态技术协会(JEDEC)制定的通用闪存存储(UFS)Ver.2.0和UFS统一存储器扩展(UME)Ver.1.0标准的嵌
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为eMMC5.0而生，闪迪新款iNAND闪存亮相
2月24日，闪迪推出首款128G TF卡，刷新了TF卡的存储记录。除此TF卡外，闪迪在MWC2014大会上还带来新一代iNAND Extreme至尊级eMMC闪存存储卡，支持eMMC5.0接口，高达300MB/s的读取速度，提升了I/O性能。
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2013年半导体市场的输家和赢家
【导读】全球半导体市场营收在经历了2012年下滑2.5%之后，在2013年增长近5%，有所恢复， 这要归功于存储领域的强劲表现。根据IHS初步估算，2013年全球半导体销售额从2012年的3029亿美元增长4.9%，来到3179亿美元。
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三星850引路：2T民用SSD不是梦，价格颤抖
三星的高端SSD产品线自2012年的840 Pro发布之后就再也没有得到更新了，只是在去年初的时候将低端的840升级到了840 EVO系列，除此以外就再无动作。 CES2014大展即将召开，三星也参与了本次展会，国外媒体
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东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块
新产品符合JEDEC e·MMC™ 5.0版标准东芝公司宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。同时该模块符合最新的e·MMC™[1]标准，旨
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海力士量产全球最先进闪存颗粒 明年将再更新
韩国SK海力士今天宣布，公司已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更
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全球第一：海力士量产16nm 8GB闪存颗粒
韩国SK海力士今天宣布，已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更小，
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全球第一：海力士量产16nm 8GB闪存颗粒
韩国SK海力士今天宣布，已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更小，
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SK海力士开始量产64GB 16纳米NAND闪存芯片
根据韩国内存芯片制造商SK海力士消息，公司已经开始大规模批量生产64GB 16nmMLCNAND闪存芯片。公司表示，SK海力士的16nmNAND闪存已于6月进入第一版本的批量生产，最近已开始第二版本的大规模生产。由于芯片尺寸
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SK海力士开始量产64GB 16纳米NAND闪存
元器件交易网讯 11月20日消息，根据韩国内存芯片制造商SK海力士消息，公司已经开始大规模批量生产64GB 16nm MLC NAND闪存芯片。公司表示，SK海力士的16nm NAND闪存已于6月进入第一版本的批量生产，最近已开始第二版本
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东芝推出采用19纳米工艺技术的嵌入式NAND闪存模块
东芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e?MMCTM [1]标准，旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄
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东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块
21ic讯 东芝公司今天宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e･MMCTM [1]标准，旨在应用于智能手机
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东芝公布上半年财报：NAND闪存创最高营业利润记录
讯：东芝2013年10月30日发布了2013财年上半年（2013年4～9月）的合并财报。销售额同比增加13％，为30392亿日元，营业利润同比增加54％，为1056亿日元，实现大幅增益。其中，NAND闪存所属的电子元器件部门业绩尤
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东芝2013财年上半年大幅增益，NAND闪存业绩喜人
东芝2013年10月30日发布了2013财年上半年（2013年4～9月）的合并财报。销售额同比增加13％，为30392亿日元，营业利润同比增加54％，为1056亿日元，实现大幅增益。其中，NAND闪存所属的电子元器件部门业绩尤其出色，“
