更快：15纳米制程NAND闪存芯片即将量产

东芝和SanDisk公司共同开发并即将量产世界上第一批15纳米制程技术的NAND闪存芯片，数据传输率比前代19纳米制程快1.3倍，将广泛应用在智能手机和平板电脑领域。对用户来说，低成本结构的杀伤力不容小觑。

东芝还表示将会于四月末在日本四日市进行生产，这将是世界上第一批15纳米制程的NADA闪存芯片，超越前代19纳米制程工艺。

在15纳米制程技术将被应用到128千兆位(16GB)NAND闪存，每单元有两个比特位，东芝表示。处理技术的关键在于制造芯片的方法和芯片的大小。

NAND闪存断电之后仍然可以保存数据的存储介质。由于通过使用高速接口新的芯片可将数据传输速率提升到533 Mbps，这比19纳米制程技术快1.3倍。

SanDisk公司在另一项声明中表示，该技术将作为1Z-nm工艺的一个节点，直接推动它号称是世界上最小，最具成本效益的128千兆芯片的研发和生产。

“我们的15纳米技术将广泛的应用于各种解决方案，包括可移动存储卡，也包括企业固态硬盘，”SanDisk发言人在一封电子邮件中说。

SanDisk于2011年宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺并，并于2011年下半年开始量产。每一代的存储芯片采用了包括先进的工艺创新和单元设计解决方案在内的、时下最先进的闪存技术制造工艺。