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内存价格开始下滑：最高接近30%
最近一个多月的时间内，尤其是双11之后，内存价格开始普遍下滑，而且幅度相当夸张，最高甚至接近30%。好消息是，闪存也终于要迎来降价了。日前，集邦咨询旗下半导体研究中心
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NAND闪存超级周期将发生逆转
内存/闪存行业周期即将到来，下行风险也随之升高，受行业龙头三星重挫影响其他的闪存供应商群股市集体大跌盘。
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三星垄断走开!中国怒砸180亿造内存
这一年多来内存价格的疯涨让太多人感到心痛，而问题的根源在于DRAM内存颗粒掌握在韩国三星、SK海力士和美国美光等极少数巨头手中，合计份额超过90%，很容易形成垄断，下游和市场完全没有任何周旋余地。如今，中国正
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Intel 10nm NAND闪存,64层堆叠，晶体管密度暴增2.7倍
Intel这几年制造工艺的推进缓慢颇受争议，而为了证明自己的技术先进性，Intel日前在北京公开展示了10nm工艺的CPU处理器、FPGA芯片，并宣称同样是10nm，自己要比对手领先一代，还透露了未来7nm、5nm、3nm工艺规划。
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由东芝存储器引起的“腥风血雨”何时才能结束
今年3月，总部位于台湾新竹的记忆解决方案制造商 Macronix (旺宏电子)分别提交了美国地方法院诉讼和美国国际贸易委员会( ITC )投诉。据台湾媒体报道，富士康正在与旺宏开展战略联盟，试图在收购东芝内存方面获得优势。
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长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存！
国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果虐的够呛(主要是指国内市场份额)，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。为了让国产闪存
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韩国3D NAND闪存Q3有望占全球一半市场
市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
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三星继续统治全球NAND闪存市场，营收暴涨34%
三星在全球NAND闪存依然是统治性地位，去年营收141.51亿美元，同比暴涨了34%，遥遥领先第二名的东芝。
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全面逆袭!国产自主3D NAND闪存大跃进
按照我国半导体产业发展规划看，存储芯片是最优先的，而紫光占据了这股发展力量的主力，去年7月，他们参与了长江存储科技有限责任公司的投资，这是个总投资1600亿元的国家存储器项目，主攻3D NAND。
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8G手机内存时代到来，SK海力士豪掷8亿美元在华投资设厂
作为苹果和索尼的供应商，世界第二大存储芯片制造商SK海力士公司将花费127.73亿人民币在首尔南部的清州建造新工厂，还将斥资54.91亿人民币在无锡建厂，以增加动态随机存取存储（DRAM）芯片的产能。
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64层堆栈美光3D NAND闪存已在路上，小伙伴们期待么?
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
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东芝宣布推出最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器
东京-东芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器，采用了堆栈式单元结构。该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款[2]样品出货的产品。新型存储器采用 3
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SSD大爆发!踩着机械硬盘的尸体飞奔
机械硬盘市场一片哀鸿遍野，西部数据和希捷都陷入了史上最低谷，同比跌幅超过20%，但是同时，SSD固态硬盘却在持续爆发。TrendForce的数据显示，2016年第一季度SSD全球出货量达3077.7万块，同比猛增32.7%。 这其中，
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东芝面向汽车应用推出e·MMC NAND闪存
采用最先进的工艺技术，支持日益复杂的汽车信息娱乐应用的数据存储和计算需求东芝公司旗下半导体与存储产品公司今天宣布推出面向汽车应用的15nm e･MMC TM[1]NAND闪
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详解如何选择合适的SSD驱动器
随着信息的爆发式增长，相关部门在部署信息存储应用时，越来越多地考虑固态硬盘(SSD)技术，这是因为这种技术具有特别快速的性能。然而，他们可能没有认识到市场上有不同版本
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基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的
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ST闪存技术解析
前言闪存是手机、数码相机、数字电视和机顶盒或发动机控制模块等数字应用中一种十分常见的半导体存储器，这类芯片需具备系统级编程功能和断电数据保存功能。闪存兼备高存储
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全新赛普拉斯SLC NAND闪存系列可降低系统成本，提升系统安全性
赛普拉斯半导体公司今日宣布推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前，高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码，并利用商用级SLC NAND闪存存储系统固件和应用。全新的赛普拉斯SecureNAND™闪存系列通过为机顶盒、POS机、可穿戴设备和其他高安全应用提供带有集成式分区保护特性的单一非易失性内存，可帮助用户降低系统成本，提高系统的安全性。
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全新赛普拉斯SLC NAND闪存系列可降低系统成本，提升系统安全性
21ic讯，全球嵌入式系统解决方案领导者赛普拉斯半导体公司(Nasdaq：CY)今日宣布推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前，高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码，并利用商用级
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东芝研发全球首款搭载TSV技术的16颗粒堆叠式NAND闪存
东芝公司今日宣布研发全球首款*1运用硅通孔(TSV)技术的16颗粒(最大)堆叠式NAND闪存。将于8月11日至13日在美国圣克拉拉举行的2015年闪存峰会(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
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