单片机自身的 RAM 存储空间和引脚数目往往有些不足,当需要在外部拓展不太多的时候,8155 芯片就是首选了。一片 8155,可以提供 256 字节的 RAM,3 个并行 IO 接口和一个 14 位的
步骤与图示:1.先给个CPU的数据,需要注意的是三个红圈的地方,架构,型号,Flash和SRAM大小如图1(STM32F107VC 256KB FLASH,64KB SRAM)图12.Target的设置1)勾上可以用微库,减小生成代码的大小2,3)分别定义ROM区位
目前使用的图像跟踪系统前端输入信号一般都是PAL制式的标准全电视信号,每20 ms一场,每40 ms一帧。模拟信号经过视频解码器转换成720×576大小的数字信号后,再对其中
目前采用的LED大屏幕显示系统的控制电路,大多由单个或多个CPU及复杂的外围电路组成,这种电路设计,单片机编程比较复杂,整个电路的调试比较麻烦,可靠性和实时性很难得到保证。针对这种情况,提出一种SD卡
51单片机RAM分为四个区域1.工作寄存器区(00H~1FH)2.位寻址区(20H~2FH)3.用户RAM区(30H~7FH)4.特殊功能寄存器(80H~FFH)其中1.2.3处于RAM低128单元,4处于高128单元也就是声明变量时data与idata位置而栈就是在用户RAM区
累加器A与片外数据存储器RAM传送指令(4条)这4条指令的作用是累加器A与片外RAM间的数据传送。使用寄存器寻址方式:MOVX @DPTR,A;(A)→((DPTR)) 累加器中的内容送到数据指针指向片外RAM地址中MOVX A, @DPTR;(
在各种单片机应用系统中,芯片存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性,对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。本
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是ReadOnlyMemory的缩写,RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大
MCU 异于 资源丰富的linux 平台。 MCU(如: 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常运行在内嵌Flash 中。 在某些特定应用场合,需要将部分函数运行于RAM 中。 昨天,为解决次问题,实现了一种解法,具体做法如
SARM空间是AVR单片机最重要的部分,所有的操作必须依赖该部分来完成。变量在SARM空间的存储模式有tiny,small,large 三种,也就是对应于__tiny, __near,__far三中存储属性。一旦选择为哪种存储模式,对应的数据默
对外部RAM单元只能使用寄存器间接寻址方式,与累加器A之间进行数据传送,外部RAM数据传送指令有4条。 前2条采用DPTR作间址寄存器,因DPTR为16位地址指针,所以这两条指令可寻址外部RAM的整个64KB空
在Keil 里使用 DeBug 模式时,如要 查看外部 RAM 的数据 或查看 ACC 的内容可以进行以下操作;sysGetTxMode:LCALLCom0185(C:2B95)JNB0xE0.0,sysGetTxMode................retCom0185:MOVDPTR,#0x7020MOVXA,@DPTRRRCAR
一个小的项目,在测试时间和产品量稍微大一些之后,出现了一些莫名其妙的非逻辑错误的Bug(最头疼的是不能每次都能复制出来)。经过修改后,最近一个月的测试都没有出现。本人在这里得到了原子哥和其他朋友的很多帮助
FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意。
STM8S003为例 ,其1RAM,最高512默认为堆栈用的留给用户的就只有512这512按51的理解分 为idata xdata 即@tiny @near不加关键字限制,就默认为idata区(小于256的地址),char tttds[258];如果idata区超出范围 则提示
对于新手来说,编译内核相对有一些难度,甚至不知道如何入手,现在我归纳了一下,写出这一篇还算比较详细的步骤,希望能对各位新手有一些帮助。
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引言 可编程逻辑控制器(PLC)以其高可靠性和使用方便的特性.使其在现代工业控制中得到了广泛的应用。随着工厂自动化的进展,对PLC之间以及PLC同其他控制设备之间相互联系的要求也相应提高。由于PLC的通讯方式为串行通