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DRAM芯片库存减少，韩国企业内存芯片真的有望转好吗？

据目前消息，有半导体行业观察人士指出，历经了今年的惨烈暴跌后，韩国内存芯片产业有望在 2020 年出现好转迹象。根据半导体市场专家的最新预测，在今年经历惨烈暴跌后，南

嵌入式硬件
2019-11-27

5G DRAM 嵌入式处理器
SK海力士推出首个五代双倍速率DRAM

DDR5是继DDR4的之后，新一代DRAM标准规格，应用在大数据、AI(人工智能)以及机器学习上，拥有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的电力消耗减少30%，数据传送速度也快了1.6倍。

嵌入式动态
2019-10-30

sk海力士新品发布 ddr5 DRAM
这项将要变革存储架构的技术是时候关注下了

自计算机诞生以来，DRAM+SSD+HDD这样的存储架构便从未改变过。而近2年随着数据量的爆发以及企业、消费者对传输性能、时延等要求增加，这样的架构已难以满足需求。在这样的背景下，英特尔、三星、镁光等

充电吧
2019-10-22

存储芯片英特尔内存 DRAM
SK海力士开发出10纳米级DRAM

10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

嵌入式动态
2019-10-21

新品发布 1z纳米 DRAM
存储市场库存仍高美光明年仍采取保守策略

华为作为美光最大的客户之一，美国将华为列入实体名单一事对美光产生了非常严重的影响，美光业绩已经逐渐露出下滑趋势，上周五美光股价大跌近7%，南亚科、华邦电、威刚等存储器企业也纷纷走低。近期DRAM及N

充电吧
2019-10-21

芯片美光 nandflash DRAM
兆易创新拟定增募资约43亿元用于DRAM芯片研发及产业化等项目

9月30日消息，上交所上市公司兆易创新(SH:603986)今日发布公告称，拟定增募资约43亿元，用于DRAM芯片研发及产业化等项目。兆易创新公告截图本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民

充电吧
2019-10-16

芯片兆易创新兆易 dram芯片 DRAM
明年内存产能增长速度创十年新低国产内存仅占3%

据报道，由于上游内存厂商三星、SK海力士、三星等大幅削减产能投资，预计2020年内存产能增长只有12.5%，创下了10年来的新低，一切都在为内存涨价奠定基础。 DRAM内存价格从去年10月份开始由涨转

充电吧
2019-10-16

国产三星内存长鑫 DRAM
研调：DRAM价明年或反弹，大陆投片量估占全球低于3%

集邦科技存储器储存研究（DRAMeXchange）表示，今年8月DRAM合约价与前月持平，DDR4 8GB均价来到25.5美元，而9月合约价格虽然仍在议定中，但继续持平可能性高。展望2020年，因3大

充电吧
2019-10-11

DRAM
DRAM内存芯片价格暂时平稳：四季度或进一步下跌

连续经历N个月下跌后，DRAM内存芯片的价格在8月和9月份保持了基本稳定。DRAMeXchange采集的数据显示，DDR4-2133 8Gb(1GB)PC芯片在9月结束后的均价为2.94美元，和上月完全持平(约合21元)。不过，业内专家认为，上述局

半导体
2019-10-08

芯片内存 DRAM
国产内存年底量产但前路依旧漫漫

本月初，紫光集团旗下长江存储正式宣布，其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。虽然国产3D NAND已经取得了突破了，但是在DRAM内存芯片领域，国内依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晋华，由于

充电吧
2019-09-24

国产内存紫光长江存储 DRAM
紫光再换高管：孙世伟任武汉新芯总经理兼CEO

8月28日，继紫光集团宣布委任高启全为DRAM事业群CEO后，紫光旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称武汉新芯）宣布，聘请紫光集团全球执行副总裁孙世伟接任高启全担任武汉新芯总经理兼首席执行官（C

充电吧
2019-09-16

紫光武汉新芯孙世伟 DRAM
Q3业绩提前完成传美光停止出货内存涨价30%

从去年Q4季度开始，全球内存也从牛市转向了熊市，价格开始下滑，一直持续到今年Q2季度，据DRAMeXchange统计，Q2季度全球内存价格也跌了10%，全球产值也下滑了9.1%。不过Q2季度已经是过

充电吧
2019-09-12

美光内存涨价 DRAM
报告：DRAM价格将继续走低二季度内存跌幅近10%

据DRAM Exchange最新报告称，DRAM市场正在降价、且趋势是会继续走低。这份报告中指出，今年第二季度，DRAM价格下跌了近10%。目前的状况是供大于求，这是内存市场将持续下跌的部分原因。对

充电吧
2019-09-10

芯片 nand dram芯片 DRAM
全球内存厂2019Q2营收排名：三星第一韩国厂商占比超7成

8月12日消息近日，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了全球内存厂2019Q2营收排名，三星第一，SK海力士第二，美光第三。根据集邦咨询的统计数据，在2019年第二季度全球D

充电吧
2019-09-09

半导体三星韩国内存 DRAM
内存价格今年已经暴跌50% 价格反弹要等到明年Q2季度

随着日本宣布允许对韩国出口重要的半导体材料，持续了一个多月的日韩贸易争端有了缓和的可能，这也让全球内存及闪存市场面临的动荡缓和了，现在内存市场又要回到过剩的局面了，预计Q3季度价格还会继续下跌。从去

充电吧
2019-09-06

半导体内存 DRAM
将计算过程移步至内存里，这家公司有什么“骚操作”？

关于这个计算世界的一个关键的未来要素是移动数据。移动数据需要功率，以至于从内存中调用数据要比实际对其进行“计算”消耗更多的功率。这就是我们有缓存的原因，但即使有缓存，也需要对CPU进行广泛的管理。对于简单的操作，如位转移或和操作，目标是将计算能力转移到主DRAM本身，这样它就不必来回穿梭。今年在Hot Chips, UPMEM是第一批展示新技术的公司之一。

嵌入式动态
2019-08-21

内存移动数据行业资讯 DRAM
美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM

根据国外科技媒体报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。

单片机
2019-08-20

美光 10纳米 DRAM
美光第三代 10nm 制程已量产，首批器件功耗降低 40%

8月19日讯，美光宣布1z nm制程存储芯片量开始产，器件功耗降低40%。

嵌入式动态
2019-08-20

芯片美光厂商动态 DRAM
瑞昱SSD主控可减少75%的DRAM缓存暂不开发PCIe 4.0主控

随着NAND闪存的降价，SSD硬盘的价格越来越低，使得SATA与PCIe硬盘的价格相差无几了，选择M.2接口SSD的玩家越来越多，毕竟M.2的硬盘性能比SATA版高太多了。 PCIe硬盘要想实现高性

充电吧
2019-08-08

pcie 4.0 ssd 硬盘瑞昱主控 DRAM
内存价格太低三星推迟30万亿韩元的DRAM工厂计划

尽管内存现货价格上周涨了23%，但是调研公司盖特纳的报告显示全球半导体市场今年会继续降温，产值只有4290亿美元，同比下滑9.6%，主力产品内存芯片价格已经跌了42%，供过于求的情况要持续到明年Q2季

充电吧
2019-08-05

三星芯片内存内存芯片 DRAM

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DRAM芯片库存减少，韩国企业内存芯片真的有望转好吗？

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明年内存产能增长速度创十年新低国产内存仅占3%

研调：DRAM价明年或反弹，大陆投片量估占全球低于3%

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Q3业绩提前完成传美光停止出货内存涨价30%

报告：DRAM价格将继续走低二季度内存跌幅近10%

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内存价格今年已经暴跌50% 价格反弹要等到明年Q2季度

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