美光第三代 10nm 制程已量产，首批器件功耗降低 40%

8月19日讯，美光宣布1z nm制程存储芯片量开始产，器件功耗降低40%。

前两天，美光公司宣布该公司以开始量产基于第三代 10nm 制程(又称 1z nm)制程的存储芯片，首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。随着时间的推移，该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比， 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度，在增强性能的同时、降低产品的功耗。

在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。

美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。

此外，美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，较同频的两个 8Gb DDR4 DRAM 还要低 40% 。

至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光称其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工艺较第二代 1Y nm 的比特密度更高，该公司可产出性价比更高的存储芯片。

鉴于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分档，我们只能预计其符合 JEDEC 的官方指定范围内。

预计首批 16 Gb DDR4 DRAM 产品将用于台式机、笔记本、工作站上的高容量(32GB 或更高)内存模组。

移动存储器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的传输速率可达 4266 MT/s 。

除了为高端智能机提供高达 16 GB(8x16Gb)的 LPDDR4X DRAM 封装，美光还将提供基于 UFS 的多芯片封装(uMCP4)，将 NAND 用于存储和 DRAM 。

该公司针对主流手机的 uMCP4 系列产品，将包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等产品。

最后，美光没有透露其生产 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工厂。不出意外的话，应该会在日本广岛工厂内生产。

与此同时，分析师猜测该公司会在台中附近的 Micron Memory Taiwan(前 Rexchip Semiconductor)晶圆厂启用 1Z nm 制程生产线。