据韩国Etnews4月9日报道,目前全球最大的 DRAM 存储器供应商三星电子,除了面临因存储器价格下跌,使得营运业绩严重下跌的危机之外,日前还爆发出该公司提供给美国亚马逊(Amazon)使用的1x(18nm)纳米制程产品出现瑕疵,让亚马逊紧急更换由另一家韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)来供应,并且对三星进行索赔的情况,严重冲击了三星DRAM的市场商誉。
Fidelix的加入对东芯无异于锦上添花,需要强调的是,Fidelix在韩国是继三星、海力士之后的第三大存储器芯片生厂商。因此,东芯半导体有着和主流市场接触和竞争的机会,也有了引领国内存储技术发展的使命。是目前国内唯一可以同时提供NAND/ NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。
日前爆出三星供货给亚马逊的服务器DRAM出现瑕疵,据韩媒《etnews》报导,亚马逊为寻找替代产品,开始转向SK海力士订购DRAM,外界也开始关注三星DRAM瑕疵事件是否会为SK海力士带来间接利益。
半导体业界分析,三星电子以技术领先的策略,阻止了主力商品DRAM市场恶化。随着全球客户减少数据中心的投资,DRAM价格暴跌、需求开始钝化,从今年起到2月底为止,DRAM价格已下跌将近30%。
昨(27)日,据IHS Markit报道,最近对市场状况的担忧加上平均销售价格急剧下滑,将导致DRAM市场在2019年达到770亿美元,同比下降22%。此外,DRAM的价格下跌和需求疲软可能会持续到2019年第三季度。
从整个内存和存储市场规模来看, PC和互联网时代贡献了380亿美元市场规模,移动时代大约620亿美元,2017年的数据经济时代整个全球市场规模达到1280亿,未来机会是不可限量的,根据很多市场统计数据可以发现,到2021年每年会产生62万亿GB数据。迅速增长的存储市场,具体有什么驱动因素呢?
根据DRAMeXchange调查,累积在DRAM供应商的库存水位在第1季底普遍已超过六周(含Wafer bank),而买方库存水位虽在不同产品别略有增减,但平均亦至少达五周,在服务器以及PC客户端甚至超过七周。
美光公司已宣布计划将其DRAM和NAND闪存产品的产量削减5%,并将资本支出将调降5亿美元,用来抵消内存价格下跌带来的影响。
随着10纳米成为业界最小的存储器工艺节点,三星现在已准备好应对日益增长的市场需求,新的DDR4 DRAM与之前的1Y纳米级版本相比,制造生产率提高了20%以上。
二季度美光科技净利润为16.2亿美元,超出预期,每股收益为1.42美元。财报发布后,美光科技股价上涨5%。美光同时表示,预计下半年内存芯片市场将出现复苏。
三星再次更新内存技术,在NVIDIA的GTC大会上专门为数据中心、GPU等高性能计算带来了更新的HBM2E内存。这款芯片是业界首款符合HBM2E规范的产品。
台湾科技部在14日发表由清华大学团队研发出的最新磁阻式随机存取内存(MRAM)技术,称对半导体产业发展将有决定性的影响力。
三星电子14日表示,将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
据国外媒体报道,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的最新调查显示,2019年Q1,由于市场供过于求,DRAM产业的大部分交易已改为月结价(Monthly Deals),价格也在2月份出现大幅下滑,季度降幅已从最初估计的25%调整至近30%,这将是自2011年以来单季最大跌幅。
据businessKorea报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。
据报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。
其中,全年来看三星电子占市场份额的43.9%,达到437.47亿美元。其次是SK海力士,达到294.09亿美元,占29.5%
从去年Q4季度以来,DRAM内存的价格就已经开始由涨转跌,由于智能手机及经济环境的变化导致需求放缓,再加上厂商库存增加,内存价格已经开始降了。从市场调研数据来看,内存价格确实是不断在下滑的,仅仅是今年
今年以来DRAM价格持续下跌,DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利,南亚科将朝向优化产品组合方向调整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外,南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权,并启动自主研发的10纳米世代制程研发。
2月27日,南亚科总经理李培瑛表示,去年大幅成长的服务器存储器市场经过两季的调整,3月起市况开始好转,第二季DRAM 市况可望较第一季略为回温。