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力成毛利率可望提升
美国封装专利业者Tessera控告国内外DRAM业者侵权案，美国国际贸易委员会（ITC）终判Tessera败诉，原本有付Tessera权利金的封测厂力成科技（6239）指出，若未来不需要再缴交权利金予Tessera，力成代工价格将更具优势，
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海力士调高资本支出 规模逼近华亚科
国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息，韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出，预估将从1兆韩元调高至1.5兆韩元，相当于12.7亿美元，虽然以全球的角度来看，2010年的资本支出仍高居全球第三大，然经此一调高
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DDR3注定要夺取DRAM王座
2009年即将结束，DDR2作为DRAM市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3几年前就已经问世，iSuppli公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它
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海力士调高资本支出规模逼近华亚科
国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息，韩国大厂海力士（Hynix）宣布调高2010年资本支出，预估将从1兆韩元调高至1。5兆韩元，相当于12。7亿美元，虽然以全球的角度来看，2010年的资本支出仍高居全球第三大，然经此一
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台湾当局续推DRAM再造研拟产业再生立法
台湾“经济部长”施颜祥29日表示，若“立法院”三读通过否决“国发基金”投资DRAM再造，“经济部”已研拟三个替代方案，包括由民间资金投资、横向整合、参考日本产业再生法，建立法制基础，继续推动DRAM产业的再造。
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DRAM内存芯片2010年将严重缺货厂商受益
由于消费者需求增长，以及企业进入PC更换周期，2010年下半年DRAM内存将严重缺货。 2009年，DRAM芯片价格在大部分时间内都呈增长趋势，因为受经济低迷影响许多厂商都削减了产量，只是在刚刚过去的两个月内趋于稳定。
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基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
1、引言 当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60％的速率增长，存储器芯片每年仅仅增加10％的带宽，本文就如何设计一种符合当代DRAM结构的高效存储器控制器进行研究。 本文第二部分介绍当代D
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NAND闪存芯片价格本月逐步趋于平稳
根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均
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硅晶圆涨 崇越台胜科乐
半导体硅晶圆价格「涨」声响起，崇越（5434）已顺势调高售价一成，明年第一季再涨5%，持续推升获利；台胜科 （3532）产线冲上满载，朝转盈之路迈进，明年第一季跟进涨价，对明年前三季市况看法乐观。 全球前两大半导
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2010年下半年存储器芯片供给料出现短缺
行业研究公司DRAMeXchange称，电脑存储芯片或将在明年下半年出现供应不足，因消费者需求升温，且公司将开始进行推迟了的电脑更新工作。 DRAMeXchange周四预计，明年个人电脑出货量将增长13%，其中笔记本增长22。5%至
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三星成台湾科技业公敌 前十大科技公司均拼不过
台湾《商业周刊》日前撰文称，三星像糖果也像毒药，从来没有一刻像今日，它能够全面影响台湾的电子科技股，让张忠谋、郭台铭与施崇棠等人，都必须找出一套抗星策略。台湾前十大科技公司拼不过一家三星电子，三星已成
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DDR3将成主流，后段封测厂设备将跟着升级
全球最大美国消费性电子展CES即将在明年1月7日到10日登场，芯片龙头厂英特尔将在展中推出新架构Nehalem、Westmere、以笔记计算机为主的Atom系列的处理器及芯片组，并全面支持DDR3，将推升DDR3成为明年度主流产品。由
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2010年下半年内存芯片将会严重短缺
据国外媒体报道，行业跟踪公司DRAMeXchange认为，随着消费者需要更多的容量和企业开始更换电脑，计算机内存芯片在明年下半年将可能会短缺。 由于受到经济衰退影响，内存芯片厂商减少生产能力和资本开支，引起内存芯
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海力士：2010年DRAM供不应求
据华尔街日报(WSJ)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现，将提升资本支出并扩张产能。 海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑，此外，预期2010
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DRAMeXchange：2010年下半年存储器芯片供给料出现短缺
行业研究公司DRAMeXchange称，电脑存储芯片或将在明年下半年出现供应不足，因消费者需求升温，且公司将开始进行推迟了的电脑更新工作。 DRAMeXchange周四预计，明年个人电脑出货量将增长13%，其中笔记本增长22。5%至
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2010年下半年内存芯片将会严重短缺
据国外媒体报道，行业跟踪公司DRAMeXchange认为，随着消费者需要更多的容量和企业开始更换电脑，计算机内存芯片在明年下半年将可能会短缺。 由于受到经济衰退影响，内存芯片厂商减少生产能力和资本开支，引起内存芯
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DDR3时代来临 封测受惠最大
英特尔将在明年初美国消费性电子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3处理器及芯片组，可望推动DDR3在明年登上市场主流位置。国内外DRAM厂主流产品线已由70奈米DDR2快速转进50奈米DDR3，随
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京元电、硅格 爆发力强
看好明年 封测景气回温，京元电明年营收有机会挑战历史新高。图为京元电董事长李金恭。 记者何易霖／摄影 二线封测厂接单热，京元电（2449）第三季转盈后，本季业绩持续向上，明年营收将挑战2007年的历史新高
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2010年DRAM制造商资本支出将猛增80%
据DRAMeXchange的预测，2010年DRAM制造商资本支出总额将达到78.5亿美元，较2009年的43亿美元增长80%。虽然增长迅猛，但较2007年的214亿美元还是有一定差距。 2011年和2012年全球DRAM制造商资本支出预算将达到100亿
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存储器价格回温美光亏损11季后首度获利
美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17。4亿美元，较2009年度同期成长约24%。净利为2。04亿美元，每股盈余
