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京元电、硅格 爆发力强
看好明年 封测景气回温，京元电明年营收有机会挑战历史新高。图为京元电董事长李金恭。 记者何易霖／摄影 二线封测厂接单热，京元电（2449）第三季转盈后，本季业绩持续向上，明年营收将挑战2007年的历史新高
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2010年DRAM制造商资本支出将猛增80%
据DRAMeXchange的预测，2010年DRAM制造商资本支出总额将达到78.5亿美元，较2009年的43亿美元增长80%。虽然增长迅猛，但较2007年的214亿美元还是有一定差距。 2011年和2012年全球DRAM制造商资本支出预算将达到100亿
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存储器价格回温美光亏损11季后首度获利
美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17。4亿美元，较2009年度同期成长约24%。净利为2。04亿美元，每股盈余
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PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM现货价大涨3%
沈寂已久的DRAM价格再度动起来，存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观，DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态，目前个人计算机(PC)搭载存储器平均容量成长16%至2。92GB，未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB，市场对于
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海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM
韩国存储器厂海力士(Hynix)于2009年12月20日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位元I/O通道，数据处理速率每秒28GB/s，电压为1。35V。 新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造，体积
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好羡慕！台积电宣布明年起加薪15% 分红奖金全年奖不完
台积电董事长张忠谋宣布，2010年起全体员工本薪调涨15%。(巨亨网记者叶小慧摄) 晶圆代工市场竞争激烈，加上分红制度费用化冲击，台积电(TSMC；TSM-US；2330-TW)为巩固人才诱因，董事长暨执行长张忠谋今(21)日宣布，
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报告称半导体市场今年缩水11％至2260亿美元
据路透社报道，由于全球经济回暖，市场调研机构Gartner于本周四修正了对2009年全球半导体市场的估计。根据其最新预测，2009年全球半导体市场规模将缩水11.4%，至2260亿美元。而根据Gartner今年10月份的估计，2009年全
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FormFactor推出全新12吋DRAM晶圆探针卡
全球先进晶圆探针卡供货商 FormFactor公司宣布针对DRAM市场，推出新一代12吋全晶圆接触探针卡SmartMatrix 100探针卡解决方案，以持续稳固龙头地位，至于竞争对手日商麦克尼克司（MJC）今年也将重振雄风，希望可以重新
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海力士2010年半导体生产开支将增加一倍
据国外媒体报道，据《韩国时报》报道，内存芯片厂商海力士半导体计划在2010年向芯片生产投入大约2.3万亿韩元（约20亿美元），比2009年的资本开支增加一倍。 这项开支有1.5万亿韩元（大约13亿美元）用于DRAM内存生产
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12月上旬合约价DRAM持平Flash下跌
12月上旬的存储器合约价格中，DRAM合约价意外持平开出，南亚科副总经理白培霖表示，主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故；而NANDFlash合约价格则反应市场需求不佳，16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合
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尔必达蚕食台12寸厂DRAM产能
日系DRAM大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄再度访台，8日将与新策略联盟伙伴茂德董事长陈民良联合召开记者会，说明双方合作代工细节。由于坂本幸雄过去惯常与力晶合作亮相，这次换成茂德，变化过程颇耐人寻味，尔必达2
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DRAM厂资本支出竞赛三星更胜台厂一筹
台系DRAM厂开始规划2010年资本支出，估计包括南亚科、华亚科、力晶和茂德4家DRAM厂2010年资本支出逾新台币700亿元，且主要支出集中在台塑集团身上，台DRAM厂似乎又生龙活虎起来，开始扩大投资规模，然相较于三星电子
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台“经济部”无力扭转情势 DRAM再造方案全面停摆
根据政府官员表示，日前“立法院”经济委员会通过决议，要求行政院国发基金不得用于「DRAM产业再造计画」一事，经过“经济部”一再向立委沟通，确定未获得立委同意，目前「DRAM产业再造方案」已面临全面停摆的情况。
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三星焦点转向Flash 打算全面称霸内存市场
内存产业经历1年冰河期，今年第3季终于春暖花开。更值得注意的是，三星日前宣布30奈米3-bit MLC NAND Flash开始量产，显示三星关注焦点不再是DRAM，且称霸内存企图心十足。 据台湾媒体报道，DRAM产业原已因供过于求
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韩国海力士社长称，1-3月DRAM销售跌幅料小于往年水准
韩国海力士半导体(000660。KS：行情)社长金锺甲周三表示，该公司预期1-3月动态随机存取记忆体(DRAM)营收的季度跌幅将小于往年水准。海力士为全球第二大记忆体厂商。 金锺甲在日本千叶半导体设备贸易展场边表示，与
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三星焦点转向Flash 打算全面称霸内存市场
12月3日消息，内存产业经历1年冰河期，今年第3季终于春暖花开。更值得注意的是，三星在11月30日晚间宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash开始量产，显示三星关注焦点不再是DRAM，且称霸内存企图心十足。 据台湾媒体报
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力晶第4季DRAM产出大跃进季增率挑战30~40%
台系DRAM厂为抓准DRAM价格复苏的时间点，开始大量增加投片量，其中力晶增产的幅度将居冠，传出第4季位元成长率将较第3季明显大增30~40%，力晶11月出货量大幅成长，也将反映在11月营收上，出现大幅度成长；再者，除了
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台DRAM厂拼增产抢回市占率惟制程进度仍落后
经历上一波DRAM产业不景气，台系DRAM厂伤得很重，好不容易等到价格反弹到现金成本之上，开始全力扩产找回过去失落的市占率，惟即使目前台系DRAM厂再努力，也只能用落后的制程来追赶，传出三星电子(SamsungElectronic
