DRAM提前萎靡,短暂反弹成昙花一现 iSuppli:DRAM市场9月料将放缓,较预期提早一个月低落。NAND情况待观望。 据国外媒体报道,市场研究机构iSuppli表示,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场的短暂反弹已经结束,9月将再
2001年DRAM市场价格崩溃以来,经历了市场恶化最严重的半年后,2007年下半年DRAM市场开始重现谨慎乐观气氛,预计2007年下半年销售价格将一路走高。下半年的乐观因素包括返校带来的销售高峰,以及季节性假日需求来临,
今年台湾地区厂商的半导体资本支出将提高40亿美元,达到130亿美元。“从整体产业来看,我们预测今年资本支出将增长5%。”SMA的总裁GeorgeBurns在报告中表示。“几乎所有增长都发生在台湾地区。” SMA预测,中国大陆和
根据集邦科技(DRAMeXchange)所发表的最新内存市场报告指出,上周DRAM现货报价受到三星停电事件影响而短暂走高,但后续追价力道不强,使得部份库存较多的分销商反手杀出手中的库存。集邦表示,DDR2 eTT报价在上周五(1
美国加州圣克拉拉市和韩国利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc(ISi),与海力士(Hynix)半导体有限公司(韩国证券期货交易所:HynixSemi)今日宣布:海力士已经
SEMI发布预测认为,尽管内存价格急剧下跌,但今后对300mm晶圆生产设施的投资仍将持续。08年底,全球300mm晶圆的生产能力将增至07年初的2倍。SEMI认为,产能扩大的原因是增加了25家新开工的300mm晶圆半导体工厂。
主要DRAM内存芯片供应商Q2收入大幅下降