DRAM

关注人关注

我要报错

DRAM晶片价格居高不下智能手机需求旺

近来DRAM 价格晶片大宗订单的价格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供应给日益成长的智慧手机市场，令人担心个人电脑(PC)未来的供应。预料在8月之前苹果最新iPhon

嵌入式硬件
2014-07-24

DRAM 晶片智能手机 PC
尔必达将在台湾证交所上市开创日企先河

据日本媒体报道，日本半导体巨头尔必达公司(Elpida)25日宣布，将于2011年4月前在台湾证券交易所上市。尔必达将发行台湾存托凭证，筹资约100亿日元(约合7.95亿元人民币)。据

嵌入式硬件
2014-07-23

尔必达 PID WORLD DRAM
许庭祯16年面板人生眼光一路精准

1998年前后台湾跨入面板产业，投资热潮方兴未艾，许庭祯受奇美创办人许文龙征询，加入奇美电的创始团队，却因体悟到面板厂投资压力，成为最早退出的人。当年许庭祯拿到电机博士学位，先后在摩托罗拉、应材就职，当他

显示光电
2014-07-22

电机 DRAM
全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机

全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机，虽然2010年上半年在供给不足的情况下，DRAM报价达到顶峰，但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺，加上DRAM产业供给端大量

嵌入式硬件
2014-07-21

计算机时序 DDR3 DRAM
IBM首席技术官：相变存储技术3-5年内实现商业化

IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片，并会在3-5年内在服务器机型上投入使用。Menon称IBM将

嵌入式硬件
2014-07-20

IBM 存储技术 PCM芯片 DRAM
Gartne：2014年全球半导体产业可成长6.7%

国际研究暨顾问机构Gartner 发布最新预测， 2014年全球半导体销售业绩将稳步达到3,360亿美元，较2013年成长6.7%，高于上一季所预测的5.4%。2014年第二季较诸前一季之成长幅度已超出预期，连同晶圆代工龙头台积电(TSM

模拟
2014-07-15

半导体半导体产业 GARTNER DRAM
DRAM与快闪记忆体仍扮演重要角色 MRAM普及尚需时日

磁阻内存的概念几乎是和磁盘记录技术同时被提出来的。但是众所周知，内存读写的速度需要达到磁盘读写的速度的100万倍，所以不能直接使用磁盘记录技术来生产内存。磁阻内存的设计看起来并不复杂，但是对材料的要求比较

消费电子
2014-07-09

内存 ST SPI DRAM
产业专家：MRAM的时代还没来！

磁阻式随机存取记忆体(MRAM)或许在许多应用领域有取代DRAM与SRAM的潜力，但就连市场上唯一家生产这种非挥发性记忆体的供应商都认为，这种取代的过程得花上好一段时间。一份来自资料储存产业顾问机构CoughlinAssociat

半导体
2014-07-09

RAM SPI EV DRAM
因DRAM价格下跌三星半导体16产线将转产闪存

三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2

嵌入式硬件
2014-07-08

半导体三星计算机 DRAM
存储器大厂尔必达标准型DRAM将依赖台厂

日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加，但相较上季却是明显缩水，主要还是受到个人计算机(PC)市场需求不振的影响，未来尔必达

嵌入式硬件
2014-07-08

存储器尔必达 MOBILE DRAM
DRAM下季合约价喊涨

DRAM拉货潮启动，加上芯片厂制程推进受阻，主流DDR34Gb颗粒现货报价攀上4.35美元，创近一年半新高价，本季涨幅近二成，有机会向历史新高4.6美元迈进，华亚科、南科将成为大赢家。DRAM市调机构集邦科技表示，本季DRAM

半导体
2014-07-08

存储器 GB DDR3 DRAM
NAND Flash进入10纳米时代

不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产

智能硬件
2014-07-07

Flash 电容器 NAND DRAM
NAND Flash进入10纳米时代

不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产

消费电子
2014-07-07

Flash 电容器 NAND DRAM
系统OEM备货需求稳健 6月下旬NAND Flash合约价续扬2-5%

市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，NAND Flash供货商为了追求利润极大化，开始重新配置产能，透过缩减通路供给量来满足系统OEM客户订单需求，带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价上涨

消费电子
2014-07-07

Flash NAND OEM DRAM
NAND Flash颗粒涨声待续

全球市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，NAND Flash供应商为了追求利润极大化，开始重新配置产能，透过缩减通路供给量来满足系统EM客户订单需求，带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价

消费电子
2014-07-07

Flash NAND OEM DRAM
DRAM合约价明显上涨估下半年需求增温

全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，6月下旬合约价持平，4GB均价为30.5美元，换算颗粒价格约为3.5美元，与现货价格(DDR3 4Gb 512M

嵌入式硬件
2014-07-03

OEM EXCHANGE DRAM PC
专家：磁阻式随机存取记忆体的时代还没来

磁阻式随机存取记忆体(MRAM)或许在许多应用领域有取代 DRAM 与 SRAM 的潜力，但就连市场上唯一家生产这种非挥发性记忆体的供应商都认为，这种取代的过程得花上好一段时间。

嵌入式硬件
2014-07-03

磁阻 SPI EV DRAM
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现

1 引言FIFO(First In First Out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取，而这种先进先出的结构

电子设计自动化
2014-06-30

SRAM POS FIFO DRAM
预测：2014全球IC设计产业营收一览

根据TRI观察，2014上半年台湾IC设计产业受惠于中国大陆与新兴市场智慧手机需求旺盛、4K2K电视渗透率上升、世足赛带来LCDTV需求等三大因素，拉动了智慧手机晶片、驱动IC及电视SoC晶片之营收持续高涨，形成半导体产业少

半导体
2014-06-30

LTE IC设计 DRAM
消息称尔必达正考虑收购台湾DRAM厂

排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida Memory)，正考虑收购台湾DRAM同业以巩固自身市场地位?彭博社(Bloomberg)的一篇报导指出，由台湾

嵌入式硬件
2014-06-26

尔必达 MOTO CHIP DRAM

首页上一页 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 下一页尾页

DRAM

DRAM晶片价格居高不下智能手机需求旺

尔必达将在台湾证交所上市开创日企先河

许庭祯16年面板人生眼光一路精准

全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机

IBM首席技术官：相变存储技术3-5年内实现商业化

Gartne：2014年全球半导体产业可成长6.7%

DRAM与快闪记忆体仍扮演重要角色 MRAM普及尚需时日

产业专家：MRAM的时代还没来！

因DRAM价格下跌三星半导体16产线将转产闪存

存储器大厂尔必达标准型DRAM将依赖台厂

DRAM下季合约价喊涨

NAND Flash进入10纳米时代

NAND Flash进入10纳米时代

系统OEM备货需求稳健 6月下旬NAND Flash合约价续扬2-5%

NAND Flash颗粒涨声待续

DRAM合约价明显上涨估下半年需求增温

专家：磁阻式随机存取记忆体的时代还没来

基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现

预测：2014全球IC设计产业营收一览

消息称尔必达正考虑收购台湾DRAM厂

相关标签

关注此标签的用户(人)

热门活动

课程视频