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德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求
21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531
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IR扩充坚固可靠的600V沟道超高速IGBT系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D，这些经过优化的新器件尤
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飞兆高可靠性和卓越开关性能的阳极短路型IGBT
高功率和高频率感应加热(IH)家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。 飞兆半导体的高电压场截止阳极短路(Shorted Anode)
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飞兆半导体的阳极短路型IGBT具有高可靠性和卓越开关性能，适用于高功率感应加热应用
高电压IGBT可降低系统整体成本、电路板尺寸和总功耗高功率和高频率感应加热(IH)家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微
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开关电源历程
1. 电力电子技术的发展现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五
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UPS发展方向的几个标志
1.高频化电子产品的发展方向就是高频化、数字化，UPS产品也不例外。以往的工频机结构产品都是模拟电路，后来经过几次改进上升为数字与模拟相结合的产品，在当今数字时代，有
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VMOS、IGBT逆变充电电路图
逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。
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提高太阳能逆变器效能的IGBT选择方法
如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT应用中的常见问题解决方法
1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
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东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器
工作温度范围为-40°C至125°C，有助于减少逆变电路的死区时间，提高效率东芝公司(Toshiba Corporation今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的
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N沟道IGBT简化等效电路图讲解
N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路N沟道IGBT，Infineon(英飞凌)公司的产品。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠
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IGBT应用于电磁炉系统电路图
IGBT应用于电磁炉的系统框图电路图IGBT应用于电磁炉的系统框图电路如图为IGBT应用于电磁炉的系统框图电路图。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管
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用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
1 引言 scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括：可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键
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IGBT在大功率斩波中问题的应用
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和
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IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示
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IGBT绝缘栅双极晶体管栅极过压保护电路图
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
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英飞凌先进工艺将太阳能逆变器效率提升一倍
太阳能的转换效率问题是制约其应用的一个巨大挑战，业界正在为每一个进步而努力。日前英飞凌高管，负责销售、市场、战略和兼并的管理委员会成员Arunjai Mittal对本刊表示，英飞凌采用先进SiC工艺的JFET技术，可以将太
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