当前位置:首页 > 电源 > 功率器件
[导读]21ic讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531

21ic讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531 与 UCC27532 输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力,以充分满足太阳能 DC/AC 逆变器、不间断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。

当前的可再生能源应用需要电源组件的支持,以更高效率安全地提高供电量。设计人员喜欢采用 IGBT 或最新 SiC FET ,以在超过 400V 的电压下降低功率损耗。这些器件不但支持高达 1,200 伏的关态电压,而且还提供比同等 MOSFET 更低的导通电阻。它们通常由 TI 微控制器或专用数字电源控制器(如 UCD3138)管理。此外,基于 IGBT 和 SiC FET 的新一代设计方案还需隔离功率级高噪声开关环境中的功率与信号。

UCC27531 和 UCC27532 可避免数字控制器运作时太靠近电源电路,从而延长隔离式电源设计方案的寿命。

UCC27531 的主要特性与优势:

· 强大的输出驱动功能:2.5 A 源极与 5 A 汲极峰值电流支持更快的 IGBT 充电,可确保运作可靠高效;

· 最快速的传播时间:17 纳秒的典型延迟值可提高驱动器效率;

· 高可靠性:UVLO 设置与轨至轨输出电压可提供系统保护;

· 可处理高噪声环境:负输入电压处理使驱动器能支持多种工业设计;

· 系统保护:拆分输出配置可提高 Miller 接通抗扰度,防止 IGBT/MOSFET 损坏。

不断壮大的 IGBT 驱动器系列

最新输出级驱动器进一步壮大了 TI 驱动 IGBT 的模拟及数字控制器产品系列。ISO5500 等隔离式栅极驱动器可在大电流、高电压设计方案中提高安全性与系统性能。此外,该驱动器还可在长时间内、在不同温度和湿度下确保 SiO2 电介质的稳定性,提供业经验证的高可靠性。另外,TI 还提供庞大完善的单双通道 5A 高速低侧电源管理栅极驱动器之产品阵容,如 UCC2751x 和 UCC2752x 系列等。

供货情况与价格

采用 6 引脚、SOT-23 封装的 UCC27531 与 UCC27532 栅极驱动器现已开始供货。同步提供的还有 UCC27531EVM-184 IGBT 驱动器子卡评估板,可通过 TI eStore 订购。此外,PSpice 模型与《IGBT 35V 单通道栅极驱动器》应用手册还有助于加速设计进程。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

IGBT是一个发热源,其导通与关断都需要损耗,损耗越大,发热量自然就会越多。而IGBT的开通与关断并不是瞬间完成的,有开通时间与关断时间。

关键字: IGBT

在功率电子系统中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的驱动电路设计直接影响开关损耗、电磁干扰(EMI)和器件可靠性。门极电阻(Rg)与钳位二极管(Dclamp)作为驱动电路的核心元件,其参数优化需平衡开关速度、电压尖峰抑...

关键字: IGBT 门极电阻 钳位二极管

美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产,首款产品为150V MOSFET。同时,一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。

关键字: MOSFET 功率器件 IGBT

中国上海,2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司(以下简称“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交...

关键字: 汽车电子 IGBT SiC

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

关键字: IGBT

在新能源汽车产业蓬勃发展的浪潮中,功率器件作为核心 “大脑”,其重要性不言而喻。回顾过往,IGBT 主导了新能源汽车的上半场,而如今,SiC 正加速上车,开启新的发展周期。

关键字: IGBT 功率器件 SiC

【2025年6月18日, 德国慕尼黑讯】随着纯电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)销量的快速增长,电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年,电动汽车的生产比例将实现两位数增长,从2024年的2...

关键字: IGBT RC-IGBT 芯片 电动汽车

IGBT常采用的一体式封装设计,其中不仅集成了IGBT芯片,还包含了二极管芯片

关键字: IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优...

关键字: IGBT FRD

【2025年3月31日, 中国上海讯】三十载精“芯”“质”造,阔步新征程。日前,英飞凌无锡工厂迎来了在华运营三十周年的里程碑。历经三十年的深耕发展,无锡工厂已成为英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一,生产的产品广泛应用于...

关键字: 智能工厂 IGBT 电动汽车
关闭