摘要:本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。关键词:安全工作区 失效机理 短路电流Tsc1、
本文通过案例和实验,概述了四种IGBT及其子器件的失效模式:MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词:栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
摘要:本文通过案例和实验,概述了四种IGBT及其子器件的失效模式:MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词:栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
中科院微电子所超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的年轻研究团队紧张而期待。由他们设计的一款IGBT芯片,在合作伙伴——上海华虹NEC电子有限公司的工艺线上流片完成,要进行超高压测试。之所以紧张,是因为他们没有像
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一,其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。 当时,这家位于上海市漕河泾的工厂,产品基本出口。 由于之前发展的保守与缺乏战略,从2006年上市后到2009年,
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一,其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时,这家位于上海市漕河泾的工厂,产品基本出口。由于之前发展的保守与缺乏战略,从2006年上市后到2009年,这
上海先进半导体:告别被动代工,孵化国内芯片设计企业先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一,其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时,这家位于上海市漕河泾的工厂,产品基本出口。由于之
20世纪60年代,开关电源的问世,使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来,开关电源技术有了飞迅发展和变化,经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。 功
21ic讯 国际整流器公司 (IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司获颁伊顿亚太区2011年最佳供应商奖。伊顿(Eaton)公司总部位于美国,并在上海设有亚太区总部,该公司是为单相与三相UPS、电信
移相器简介 两个同频信号,特别是工频信号之间的移相,在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头,以跨相的方法进行移相,可统称为电工式移相。
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT IGBT)芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、
移相器简介 两个同频信号,特别是工频信号之间的移相,在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头,以跨相的方法进行移相,可统称为电工式移相。
移相器简介 两个同频信号,特别是工频信号之间的移相,在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头,以跨相的方法进行移相,可统称为电工式移相。
移相器简介 两个同频信号,特别是工频信号之间的移相,在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头,以跨相的方法进行移相,可统称为电工式移相。
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT IGBT)芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、国家
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT IGBT)芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协
功率半导体器件的广泛应用可以实现对电能的传输转换及最佳控制,大幅度提高工业生产效率,大幅度节约电能、降低原材料消耗。 在过去的10年里,“18号文”推动中国半导体产业经历了一个跨越式发展的时
本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题,并从实际应用中总结出各种保护方法,这些方法实用性强,保护效果好,是IGBT保护电路设计必备知识。 IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的