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IGBT开通时间与关断时间的工作特性
IGBT是一个发热源，其导通与关断都需要损耗，损耗越大，发热量自然就会越多。而IGBT的开通与关断并不是瞬间完成的，有开通时间与关断时间。
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MOS管发热的主要原因有哪些
在开关电源中，如果MOS管的关断和导通速度不够快，也会产生附加的功率损耗。
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MOS管米勒效应详解
米勒效应是指MOS管在开关过程中，栅极和漏极之间的反向传输电容(Cgd)在开关作用下引起的瞬态变化现象。这种现象会导致驱动电压和漏源电流在一段时间内维持不变，形成一个“米勒平台”，从而增加开关损耗，降低效率。
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一文搞定MOS管和IGBT管的区别
IGBT的工作原理结合了MOSFET和BJT的优点，通过控制MOSFET的栅电压来控制BJT的导通和截止。IGBT适合用于大电流、高电压的开关任务，具有低导通压降和高功率处理能力。
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MOSFET开关管损失了解吗？限制MOSFET开关速度的因素有哪些
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。
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MOS管与IGBT管的区别汇总
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是电力电子领域中两种重要的功率开关器件，它们在结构、工作原理、性能特点以及应用场合等方面都存在显著的差异。
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MOS管的基本知识汇总
MOS管的工作原理基于电场效应，即通过控制栅极电压来改变栅源之间的电场，从而控制源极和漏极之间的电流。当栅极电压超过一定阈值时，会在栅极下方的半导体表面形成一层导电沟道，使源极和漏极之间导通。反之，当栅极电压低于阈值时，沟道消失，源极和漏极之间截止。
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如何选择MOS管？MOS管常见2大失效原因，你知道吗？
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOS管的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOS管具备清晰的认识，主要内容如下。
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如何测试mos管开关速度？mos管源极和漏极有什么区别？
在下述的内容中，小编将会对mos管的相关消息予以报道，如果mos管是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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mos管插入式封装了解吗？MOS管产生尖峰的原因有哪些？
一直以来，mos管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来mos管的相关介绍，详细内容请看下文。
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如何解决MOS管尖峰带来的影响？如何选择MOS管封装？
在这篇文章中，小编将对MOS管的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对MOS管的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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MOS管尖峰产生的原因是什么？如何解决MOS管尖峰
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如何选取MOS管？MOS管击穿问题分析
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寄生电容对MOS管快速关断有何影响？MOS管拆装流程分享
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采用准谐振技术，减少谐振现象对MOS管的影响
反激电源中MOS管出现两次振铃现象的主要原因是由于功率级寄生电容和电感引起的谐振。
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寄生参数对MOS管有什么影响？MOS管工作状态解读
MOS管将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOS管的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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MOS管工作原理是什么？MOS管二级效应解读
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MOS管关断时尖峰电压的产生机理与应对策略
在现代电子电路中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）因其高输入阻抗、低驱动功率和快速开关特性而被广泛应用。然而，在MOS管的开关过程中，尤其是在关断时，常常会出现电压尖峰现象，这不仅影响电路的稳定性，还可能对MOS管造成损害。本文将深入探讨MOS管关断时尖峰电压的产生机理，并提出有效的应对策略。
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如何用MOS管实现电源防反接电路
在电子电路设计中，电源防反接是一个至关重要的问题。错误的电源极性连接可能会导致电路元件损坏，甚至引发整个系统的故障。为了解决这个问题，可以采用多种方法，其中一种高效且可靠的方法是利用MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)来设计防反接电路。
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PWM占空比如何控制从寄存器
PWM，也称脉冲宽度调制，它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。
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