如何选取MOS管？MOS管击穿问题分析

一直以来，MOS管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOS管的相关介绍，详细内容请看下文。

一、MOS管击穿问题分析

（一）MOS管被击穿的原因

1. 高输入电阻与小电容

MOS管的输入电阻极高，而栅源极间的电容又非常小，这使得它们极易受到外界电磁场或静电的影响。少量电荷就可以在极间电容上形成相当高的电压，从而损坏MOS管。

2. 保护措施不足

尽管大多数MOS管的输入端都配备了抗静电保护措施，但这些措施往往不足以应对极端情况。例如，当瞬间输入电流超过保护二极管的容限或静电电压过高时，保护电路可能失去作用。

3. 操作不当

在存储、运输、组装和调试过程中，如果操作不当，也可能导致MOS管被击穿。例如，使用未接地的工具、工作台或仪表，或者操作人员穿着易产生静电的衣物，都可能对MOS管造成损害。

（二）解决方案

1. 改进存储和运输条件

为了减少静电对MOS管的影响，建议在存储和运输中使用金属容器或导电材料进行包装，并避免将它们放置在易产生静电的化工材料或化纤织物中。这样可以有效地防止静电积累和放电。

2. 优化组装和调试环境

组装和调试时，工具、仪表和工作台应良好接地，以减少静电的产生。操作人员应避免穿着尼龙、化纤等易产生静电的衣物，并在接触集成块前先接地。

3. 使用保护电阻和栅极电阻

在MOS管的输入端串接保护电阻可以限制瞬间输入电流，从而保护MOS管不被过大的电流损坏。同时，连接栅极电阻可以提供偏置电压，并为场效应管提供泻放路径，以保护栅极和源极之间的区域。

4. 正确焊接操作

焊接时，电烙铁必须可靠接地，以防止漏电击穿器件输入端。建议在断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

二、如何选取MOS管

法则之一：用N沟道orP沟道

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

法则之二：确定MOS管的额定电流

该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求

须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。

以上所有内容便是小编此次为大家带来的有关MOS管的所有介绍，如果你想了解更多有关它的内容，不妨在我们网站进行探索哦。