MOSFET
-
IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器 (LEV) 、直
-
高效高可靠性LED驱动设计心得技巧分享
近日，小编采访了LED驱动电路设计方面的资深达人DougBailey，他总结了设计工作中需要注意的问题和亲身设计心得，为大家分享总结如下： 一、不要使用双极型功率器件
-
Vishay的SiZ340DT再度获奖
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其3mm x 3mm封装的SiZ340DT双片MOSFET在《今日电子》杂志的第十二届年度Top-10电源产品评奖中一举获得十佳电源产品奖和最佳应用奖等两项奖项。
-
Vishay发布新款12V芯片级MOSFET 可有效降低超便携产品的功耗
新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V电压和±8V VGS下实现35mΩ导通电阻日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和
-
汽车车窗控制电路
汽车车窗控制电路
-
MOSFET选择策略详解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制
-
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同优点，具有高效率和高功率密度21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该
-
麦瑞半导体推出一款85V 全桥 MOSFET 驱动器 MIC4606
为何需要MOSFET驱动器呢？因为要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够
-
光伏组件户外性能测试平台设计
在传统工作模式电子负载的基础上提出的一种户外光伏组件测试平台，以自动切换工作模式的可编程电子负载为核心，实现了对光伏组件IV特性曲线更加精确而完整地测量。它可
-
IR推出坚固的车用双低侧驱动IC AUIRB24427S
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用大电流双低侧驱动IC AUIRB24427S，适合混合动力电动汽车 (HEV) 、电动车 (EV) 和大功率工业转换器中的开关电源
-
盘点关于开关电源设计的经典问答题
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。
-
为便携式设备快速充电
移动设备正日益成为我们日常生活不可或缺的一部分。以智能手机为例，除了简单的手机呼叫功能外，智能手机现在还具有丰富的特性，能够支持社交网络、Web 浏览、消息发送、游
-
2014年开关电源主力市场发展如何？
随着电力电子技术的高速发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化，率先完成计算机
-
IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的
-
德州仪器推出业界首批支持集成型MOSFET的大电流PMBus转换器
20A 及 30A SWIFT™ DC/DC降压转换器支持电压、电流以及温度监控日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首批具有 PMBus 接口的 18V、20A 及 30A 同步 DC/DC 降压转换器。该
-
IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具备极低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变
-
盘点2013中国十大电路保护技术厂商（下）
安森美半导体安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、
-
超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种 MOSFET 将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生
-
反激式LED驱动中的PFC原理
作为一种固态光源，发光二级管(LED)具备使用寿命长、功效出色以及环保特性，因此得到了广泛应用。目前，LED正在取代现有的照明光源，如白炽灯、荧光灯和HID灯等。若要点亮LED，需要用恒定电流进行操作，而且必须具有
-
保护敏感电子组件，抵御高压瞬态
汽车和工业应用中常常遇到持续时间从几微秒到数百毫秒的高压电源尖峰。这些系统中的电子产品不仅必须耐受瞬态电压尖峰而不被损坏，而且在很多情况下还必须在出现电压尖峰时
