Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C 适合超高功率密度应用

30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%

可靠性比额定结温为150° C业内标准值的MOSFET高三倍

21ic电源网讯 Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET(能在175° C下工作)的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。 更高的工作温度将功率密度提高了85%，可靠性比额定值为150° C业内标准值的MOSFET高三倍。

这一新的ET MOSFET产品系列符合IPC-9592电源转换标准，换言之，其最大结温可高达150° C，超过标准150° C MOSFET能达到的125° C，使更大的设计裕量成为可能。该产品系列包括19款新设备，提供5 mm x 6 mm和3 mm x 3 mm标准封装和新的TO-Leadless (TO-LL)封装。这些设备提供广泛的电压额定值，包括30V、40V、60V、80V、100V、120V和150V。

Fairchild的ET MOSFET系列将卓越的耐高温性能、更高的功率密度和更高的可靠性相结合，是用于各种应用比如DC-DC、AC-DC和电机驱动的理想选择，应用范围包括航空电子设备、微型太阳能逆变器、电动工具和电信。

Fairchild iFET产品系列副总裁Suman Narayan表示：“作为Fairchild整条ET MOSFET产品线的最新成员，在设计能够或必须耐受高温的产品时，该新系列产品为设计者提供了更大的设计裕量，而无需依赖散热片或其它增加产品成本和复杂性的散热方法。 这些新设备秉承Fairchild的传统，为设计者带来出色的解决方案，与竞争产品相比大幅增加了设计裕量。”

可在175° C下工作的能力使得这些新ET MOSFET特别适合必须在高温环境中工作的产品，如太阳能和以太网供电(POE)应用。 此外，设备的可靠性大幅提高，对于在恶劣环境中使用的产品是一大优势，如航空电子设备、铁路和电动工具应用。

在超小封装内提供扩展温度范围和更高的功率密度是该系列的主要优势，制造商可获得更多的产品设计灵活性。 它可以帮助设计者缩小产品尺寸，同时保持相同的功率输出，或者在不增加尺寸的条件下提高功率输出。

Fairchild将参加3.16-19在北加州夏洛特举行的2015年APEC展览，展位是905。我们的技术专家将在现场讨论和解答关于扩展温度(ET)中压MOSFET的问题和其他高能效解决方案。