MOSFET
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HOMSEMI 中低压Power MOSFET 全面升级8英寸 0.18μm Trench工艺
2011年12月，广州成启半导体有限公司宣布，HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工艺晶圆。成启半导体表示，这次产品升级已经过一年准备和试产，将使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG
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HOMSEMI MOSFET在全数字式汽车HID安定器中的应用和评测
HOMSEMI MOSFET在全数字式汽车HID安定器中的应用和评测 本方案以高性能MCU为核心，配与成启半导体(HOMSEMI)的MOSFET,单芯片实现灯的点灯控制，谐振控制，功率曲线控制和保护控制。基于数字化控制的精细过程管理，使
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HOMSEMI MOSFET基于逆变焊机的应用与评测
逆变焊机的电路结构,一般是采用整流--逆变--再整流的过程,即交流--直流--交流.由于逆变过程中工作频率高,因此控制过程的动态特性统计局到提高,焊机的体积小,重量轻. 本逆变焊机由香港凯泰科电子有限公司（KEYTECH）
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智能MOSFET提高医疗设计的可靠性同时提升性能
所有的医疗应用在要求高可靠性的同时仍然要为最终用户提供所需的技术进步。由于各医疗设备公司间竞争激烈，他们的最终应用、功能急剧增加，但是没有考虑到另外一个可能的失效点的影响。在所有这些点都需要电源，并且
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Diodes推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器
21ic讯 Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。该控
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分享降低轻负载功耗的五个设计小窍门
就电源而言，要想满足当今苛刻的效率要求是颇具挑战性的。光是理解终端设备、电源点评以及管理机构间众多不同的计划和指令就已经很困难了。这些指令包括能源指令、加利福尼亚能源委员会以及欧盟待机效率倡议等。然而
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MAX1870简介及应用
MAX1870是Maxim公司推出的升／降压型智能电池充电管理集成电路，可以在电池电压高于或低于适配器电压的情况下。用于对2～4节锂离子电池的充电控制。该器件内嵌有用户可编程的8位RISC微控制器内核和多通道数据获取单元
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MAX1870简介及应用
MAX1870是Maxim公司推出的升／降压型智能电池充电管理集成电路，可以在电池电压高于或低于适配器电压的情况下。用于对2～4节锂离子电池的充电控制。该器件内嵌有用户可编程的8位RISC微控制器内核和多通道数据获取单元
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MAX1870简介及应用
MAX1870是Maxim公司推出的升／降压型智能电池充电管理集成电路，可以在电池电压高于或低于适配器电压的情况下。用于对2～4节锂离子电池的充电控制。该器件内嵌有用户可编程的8位RISC微控制器内核和多通道数据获取单元
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智能MOSFET提高医疗设计的可靠性同时提升性能
所有的医疗应用在要求高可靠性的同时仍然要为最终用户提供所需的技术进步。由于各医疗设备公司间竞争激烈，他们的最终应用、功能急剧增加，但是没有考虑到另外一个可能的失效点的影响。在所有这些点都需要电源，并且
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智能MOSFET提高医疗设计的可靠性同时提升性能
所有的医疗应用在要求高可靠性的同时仍然要为最终用户提供所需的技术进步。由于各医疗设备公司间竞争激烈，他们的最终应用、功能急剧增加，但是没有考虑到另外一个可能的失效点的影响。在所有这些点都需要电源，并且
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TI推出4A与5A双通道输出MOSFET驱动器
21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。首款 120 V 启动高侧／低侧 MOSFET 驱动器 UCC27210 与 UCC2721
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瑞萨电子推出低功耗P通道MOSFET
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子（Li-ion）二级电池的充电控制开关和与
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飞兆半导体推出单一P沟道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT
21IC讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。FDMA905P和FDME9
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(五)
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能(上接第1
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(五)
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能(上接第1
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MOSFET的UIS和雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
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开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析
1引言开关电源是目前用途非常广泛的一种电源设备，然而随着开关频率以及开关速度的不断提高，产生的电磁干扰越来越大，由于市场准入制度的实施，电磁干扰研究已引起了足够的重视。干扰源是电磁干扰的三要素之一，是电
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以节能为标杆 电源拓扑结构该如何选择
世界各地有关降低电子系统能耗的各种倡议，正促使单相交流输入电源设计人员采用更先进的电源技术。为了获得更高的功率级，这些倡议要求效率达到87%及以上。由于标准反激式(flyback)和双开关正激式等传统电源拓扑都不
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(三)
摘要：新推出的全桥移相控制器LM51346，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器LM5046：28个PIN脚功能(上接第
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