MOSFET
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向设计的思路，选取(100)晶向的衬底硅片，采用多晶硅栅自对准工艺，结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件，提取参数结果，并最终完成工艺产品试制，达到了500 V／8 A高压、大电流VDMOS
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向设计的思路，选取(100)晶向的衬底硅片，采用多晶硅栅自对准工艺，结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件，提取参数结果，并最终完成工艺产品试制，达到了500 V／8 A高压、大电流VDMOS
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车用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、
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Dual Cool封装MOSFET（飞兆）
随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fa
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Dual Cool封装MOSFET（飞兆）
随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fa
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车用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、
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满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
当维持相同的结点温度时，可以获得更高的输出功率和改善功率密度。另外，散热能力的提高使得电路在提供额定电流的同时，还可以额外提供不超过额定电流50%的更高电流，并使器件工作在更低的温度、减少发热对其他器件的影响，也提高了系统的可靠性。
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控制驱动VR的方法
为减小导通损耗及反向恢复损耗，同步整流需要精确的时间控制电路，虽然已有几种方法来产生控制信号，我们现在采用一种从反馈系统来有源控制的栅驱动信号的定时系统。其关键优点在于该电路将根据元件状态的变化来特
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一种MOSFET双峰效应的简单评估方法
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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一种MOSFET双峰效应的简单评估方法
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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安森美半导体下一代计算产品用平台方案
日前，应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出一系列新产品，简化及加速计算平台的设计，包括应用于即将发布的第二代Intel Core处理
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下一代计算产品用平台方案（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出一系列新产品，简化及加速计算平台的设计，包括应用于即将发布的第二代Intel® Core™处理器系列(代号Sandy Bridge)。这些新产品包括高能效电源管理器件，以及应用于高带
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本土IC公司推出新款600V MOSFET产品
功率MOSFET市场为欧美IDM半导体厂商所掌控，诸如Vishay、TI、凌力尔特在电源管理应用市场，而飞兆、英飞凌等公司的高压MOSFET广泛应用于工业、汽车等市场。甚至，随着高压功率器件市场的快速增长，几年前IR也开始不断
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下一代计算产品用平台方案（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出一系列新产品，简化及加速计算平台的设计，包括应用于即将发布的第二代Intel® Core™处理器系列(代号Sandy Bridge)。这些新产品包括高能效电源管理器件，以及应用于高带
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新型-30V P 沟道功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS
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准谐振反激的原理、应用及参数计算
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰
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多芯片模块XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 开发了3A 降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块XCM526系列。XCM526系列产品是降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块。由于采用低导通电阻(70
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多芯片模块XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 开发了3A 降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块XCM526系列。XCM526系列产品是降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块。由于采用低导通电阻(70
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汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
