MOSFET
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新型MOSFET半桥器件（Diodes）
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型
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新型MOSFET半桥器件（Diodes）
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型
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电源设计小贴士12：电源效率最大化
在《电源设计小贴士 11》中，我们讨论了如何利用泰勒级数 (Taylor series) 查找电源中的损耗源。在本篇电源设计小贴士中，我们将讨论如何使用相同的级数最大化特定负载电流的电源效率。在《电源设计小贴士 11》中，我
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电源设计小贴士12：电源效率最大化
在《电源设计小贴士 11》中，我们讨论了如何利用泰勒级数 (Taylor series) 查找电源中的损耗源。在本篇电源设计小贴士中，我们将讨论如何使用相同的级数最大化特定负载电流的电源效率。在《电源设计小贴士 11》中，我
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3640M PWM控制IC。该产品适用于高性能同步DC-DC降压应用，包括服务器、存储、网络通信、游戏机和通用DC-DC转换器。IR3640M是一款单相位同步降压PWM控制器，
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3640M PWM控制IC。该产品适用于高性能同步DC-DC降压应用，包括服务器、存储、网络通信、游戏机和通用DC-DC转换器。IR3640M是一款单相位同步降压PWM控制器，
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飞凌）
英飞凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飞凌）
英飞凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
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关于MOSFET的双峰效应量化评估研究
摘 要：介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征，细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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关于MOSFET的双峰效应量化评估研究
摘 要：介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征，细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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利用集成化开关稳压器简化电源设计
本文讨论了如何利用集成化开关稳压器设计电源，并给出了在低输入电压应用中建议采用的输出电感和电容。
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利用集成化开关稳压器简化电源设计
本文讨论了如何利用集成化开关稳压器设计电源，并给出了在低输入电压应用中建议采用的输出电感和电容。
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
