安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证,非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV84
意法半导体近日推出一款全新功率 MOSFET产品,为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh™ V制造工艺和工业标准TO-247 封装,是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。意法半导
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多,这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列,该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多,这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
针对应用选择正确的MOSFET驱动器
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列,该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列
CMOS器件的等比例缩小发展趋势,导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体MOSFET,当氧化层厚度<2 nm时,大量载流子以不同机制通过栅介质形成显著的栅极漏电流。栅极漏电流不仅能产生
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。在种类繁多的便携式设备中,20V的P沟道S
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
全球节能环保意识高涨使得高效、节能产品成为市场发展的主流趋势。相应地,电源管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越来越多的应用到整机电子产品中。在功率器件产品中,MOSFET的市场需求增长最快。据分析机构数据显示
据中国电力企业联合会的数据显示,2008年中国的用电量增长了5.23%,其中工业用户约占中国电能消耗的70%;工业及信息化部预测2009年笔记本电脑将增长20%;另据国家统计局的统计,目前中国共有1.3亿户家庭拥有冰箱,1.
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封装,型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封装,型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET