介绍了大电流便携式DC/DC中MOSFET的迭代流程和功耗计算。
介绍了大电流便携式DC/DC中MOSFET的迭代流程和功耗计算。
对于大多数多电源设计来说,相比简单的电源排序,使各电源的电压执行同步上升和下降跟踪是更加可取的解决方案。虽然从理论上讲这样做较为困难,但已经有了专用器件,这些器件能够极大地简化跟踪电路的设计 —— 即使在采用了大量特性迥然不同的电源系统中也是如此。
对于大多数多电源设计来说,相比简单的电源排序,使各电源的电压执行同步上升和下降跟踪是更加可取的解决方案。虽然从理论上讲这样做较为困难,但已经有了专用器件,这些器件能够极大地简化跟踪电路的设计 —— 即使在采用了大量特性迥然不同的电源系统中也是如此。
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572,具备综合的性能优势,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7
图 1 所示电路主要用途是用于驱动频率范围为 1 Hz 至 300 kHz、占空因子为 0 ~ 100%的功率 MOSFE
讨论了MAX1715在移动通信平台中的应用方法,电路设计,参数计算及实验电路和实验结果。
SKHI22A/B是德国西门康(SEMIKRON)公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。