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氮化镓（GaN）器件在低纹波电源中的应用，高频开关与低反向恢复损耗的协同优势
在低纹波电源设计领域，氮化镓(GaN)器件正以独特的材料特性重塑技术边界。其核心优势源于高频开关能力与零反向恢复损耗的协同效应，这一组合不仅突破了传统硅基器件的物理极限，更在电源效率、体积优化及信号纯净度方面展现出革命性突破。
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氮化镓充电器和普通充电器的区别
在这个电子设备不离身的时代，充电器作为设备的 “能量补给站”，其重要性不言而喻。随着科技的飞速发展，氮化镓充电器逐渐走进大众视野，它与我们常见的普通充电器相比，有着诸多显著的区别。这些区别不仅体现在技术层面，更直接影响着我们的使用体验。接下来，就让我们深入探究氮化镓充电器和普通充电器的不同之处。
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氮化镓正逐步改变着电源管理设计的格局
氮化镓(GaN)技术作为一种宽带隙半导体技术，近年来在开关模式电源(SMPS)领域展现出巨大的潜力。与传统的硅基 MOSFET 相比，GaN 技术具有诸多优势，为开关模式电源的设计带来了新的思路和方法，正逐步改变着电源管理设计的格局。
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MPS ACDC 创新电源解决方案 高效驱动低碳化、小型化、智能化三重变革
9月16日，MPS ACDC新品发布会在北京成功举办。MPS ACDC 产品总监Peter Huang为大家分享了MPS ACDC产品的市场优势及其最新技术进展，同时揭晓了MPS在当今热门的手机、笔记本电脑等便携式设备PD快充，电视LED显示屏电源，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）功率器件，电动汽车充电，AI服务器供电等领域的先进技术、最新产品以及完整解决方案。
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大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
2025年9月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出两款基于英诺赛科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶体管和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC的48V四相2kW降压电源方案。
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英飞凌与零极创新签署谅解备忘录，共同开发用于轻型电动车的高性能氮化镓（GaN）逆变器
【2025年9月9日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布与九号公司（Ninebot）旗下子公司零极创新科技有限公司签署谅解备忘录，双方将进一步推动氮化镓（GaN）技术在轻型电动车（LEV）领域的应用。英飞凌将提供优质的GaN产品，帮助零极创新基于英飞凌新一代CoolGaN™ G5功率晶体管开发高性能电动两轮车逆变器系统，实现能效和性能的双提升。
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氮化镓（GaN）器件在高频电源中的应用：选型与驱动电路设计
随着5G通信、电动汽车快充和航空航天等领域的快速发展，高频电源对功率器件的性能要求日益严苛。氮化镓（GaN）凭借其3倍于硅的电子迁移率和10倍于硅的临界击穿场强，成为高频电源设计的理想选择。某通信基站电源厂商采用GaN器件后，开关频率从100kHz提升至1MHz，功率密度提高4倍，系统效率突破96%。本文从器件选型和驱动设计两个维度，系统阐述GaN在高频电源中的关键技术。
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服务器电源、电动车(EV)以及无线充电成 GaN 增长三大源动力
在当今快速发展的电子领域，氮化镓(GaN)技术正凭借其卓越的性能，在众多应用市场中崭露头角，其普及率在近年来得到了显著提升。据相关数据显示，全球 GaN 功率元件市场规模预估从 2023 年的 2.71 亿美元左右上升至 2030 年的 43.76 亿美元，年复合增长率(CAGR)高达 49%。GaN System 中国区总经理林志彦表示，服务器电源、电动车(EV)以及无线充电将是驱动 GaN 快速成长的三大关键市场。
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氮化镓(GaN)技术：推动电源管理的革新力量
在当今数字化时代，电子设备的广泛应用使得电源管理成为了一个至关重要的领域。从智能手机、笔记本电脑到数据中心、电动汽车，高效的电源管理对于设备的性能、能效和尺寸都起着决定性作用。近年来，氮化镓(GaN)技术的兴起，为电源管理带来了前所未有的变革，正逐渐成为推动电源管理不断革新的关键力量。
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为什么氮化镓(GaN)成为第三代半导体材料的杰出代表
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的杰出代表，在T=300K时展现出卓越的性能，成为半导体照明中发光二极管的核心成分。
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氮化镓双向开关推动电力电子技术变革
单器件双向控制，开启无限可能
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作为领先的垂直整合制造商（IDM），英飞凌在 300mm氮化镓生产路线图方面取得突破
【2025年7月3日，德国慕尼黑讯】随着氮化镓（GaN，以下同）半导体需求的持续增长，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供，英飞凌有望扩大客户群体，并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
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如何在开关模式电源中运用氮化镓技术
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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意法半导体宣布扩大在新加坡的“Lab-in-Fab”厂内实验室合作项目，推进压电MEMS技术的开发应用
2025年5月29日，中国--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM)日前宣布与新加坡科技研究局微电子研究所 (A*STAR IME) 和爱发科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半导体在新加坡的“厂内实验室”(LiF)合作项目。新一期项目包括与新加坡科技研究局材料研究与工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡国立大学 (NUS)的合作项目。
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英飞凌推出650 V CoolGaN™ G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
【2025年5月26日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。
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英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。
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GaN 功率器件：提升电源管理设计的秘诀
在当今的电子设备领域，电源管理设计至关重要，其性能直接影响着设备的整体表现。随着科技的不断进步，氮化镓(GaN)功率器件应运而生，为电源管理设计带来了新的突破和提升。
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GaN 车载应用已成趋势
在全球汽车产业加速向电气化、智能化转型的浪潮中，功率半导体技术的革新成为关键驱动力。氮化镓(GaN)作为一种新兴的宽禁带半导体材料，正凭借其独特的性能优势，逐渐在车载应用领域崭露头角，成为行业瞩目的焦点。从当前发展态势来看，GaN 车载应用已成不可逆转的趋势。
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氮化镓（GaN）快充芯片技术：小型化与能效提升的双重突破
在消费电子设备日益普及的今天，用户对充电速度和设备便携性的需求不断攀升。传统的硅基快充芯片在满足这些需求方面逐渐力不从心，而氮化镓（GaN）快充芯片技术的出现，为快充领域带来了小型化与能效提升的双重突破。
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氮化镓器件的发展之路并非一帆风顺
在半导体领域，氮化镓(GaN)器件以其卓越的性能优势，如高电子迁移率、高击穿电场、低导通电阻等，被视为极具潜力的下一代功率器件，有望在众多领域掀起变革。然而，尽管前景诱人，氮化镓器件的发展之路并非一帆风顺，诸多不利因素成为其大规模推广应用的绊脚石。
