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氮化镓（GaN）器件在高频电源中的应用：选型与驱动电路设计
随着5G通信、电动汽车快充和航空航天等领域的快速发展，高频电源对功率器件的性能要求日益严苛。氮化镓（GaN）凭借其3倍于硅的电子迁移率和10倍于硅的临界击穿场强，成为高频电源设计的理想选择。某通信基站电源厂商采用GaN器件后，开关频率从100kHz提升至1MHz，功率密度提高4倍，系统效率突破96%。本文从器件选型和驱动设计两个维度，系统阐述GaN在高频电源中的关键技术。
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服务器电源、电动车(EV)以及无线充电成 GaN 增长三大源动力
在当今快速发展的电子领域，氮化镓(GaN)技术正凭借其卓越的性能，在众多应用市场中崭露头角，其普及率在近年来得到了显著提升。据相关数据显示，全球 GaN 功率元件市场规模预估从 2023 年的 2.71 亿美元左右上升至 2030 年的 43.76 亿美元，年复合增长率(CAGR)高达 49%。GaN System 中国区总经理林志彦表示，服务器电源、电动车(EV)以及无线充电将是驱动 GaN 快速成长的三大关键市场。
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氮化镓(GaN)技术：推动电源管理的革新力量
在当今数字化时代，电子设备的广泛应用使得电源管理成为了一个至关重要的领域。从智能手机、笔记本电脑到数据中心、电动汽车，高效的电源管理对于设备的性能、能效和尺寸都起着决定性作用。近年来，氮化镓(GaN)技术的兴起，为电源管理带来了前所未有的变革，正逐渐成为推动电源管理不断革新的关键力量。
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为什么氮化镓(GaN)成为第三代半导体材料的杰出代表
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的杰出代表，在T=300K时展现出卓越的性能，成为半导体照明中发光二极管的核心成分。
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氮化镓双向开关推动电力电子技术变革
单器件双向控制，开启无限可能
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作为领先的垂直整合制造商（IDM），英飞凌在 300mm氮化镓生产路线图方面取得突破
【2025年7月3日，德国慕尼黑讯】随着氮化镓（GaN，以下同）半导体需求的持续增长，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供，英飞凌有望扩大客户群体，并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
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如何在开关模式电源中运用氮化镓技术
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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意法半导体宣布扩大在新加坡的“Lab-in-Fab”厂内实验室合作项目，推进压电MEMS技术的开发应用
2025年5月29日，中国--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM)日前宣布与新加坡科技研究局微电子研究所 (A*STAR IME) 和爱发科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半导体在新加坡的“厂内实验室”(LiF)合作项目。新一期项目包括与新加坡科技研究局材料研究与工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡国立大学 (NUS)的合作项目。
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英飞凌推出650 V CoolGaN™ G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
【2025年5月26日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。
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英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。
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GaN 功率器件：提升电源管理设计的秘诀
在当今的电子设备领域，电源管理设计至关重要，其性能直接影响着设备的整体表现。随着科技的不断进步，氮化镓(GaN)功率器件应运而生，为电源管理设计带来了新的突破和提升。
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GaN 车载应用已成趋势
在全球汽车产业加速向电气化、智能化转型的浪潮中，功率半导体技术的革新成为关键驱动力。氮化镓(GaN)作为一种新兴的宽禁带半导体材料，正凭借其独特的性能优势，逐渐在车载应用领域崭露头角，成为行业瞩目的焦点。从当前发展态势来看，GaN 车载应用已成不可逆转的趋势。
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氮化镓（GaN）快充芯片技术：小型化与能效提升的双重突破
在消费电子设备日益普及的今天，用户对充电速度和设备便携性的需求不断攀升。传统的硅基快充芯片在满足这些需求方面逐渐力不从心，而氮化镓（GaN）快充芯片技术的出现，为快充领域带来了小型化与能效提升的双重突破。
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氮化镓器件的发展之路并非一帆风顺
在半导体领域，氮化镓(GaN)器件以其卓越的性能优势，如高电子迁移率、高击穿电场、低导通电阻等，被视为极具潜力的下一代功率器件，有望在众多领域掀起变革。然而，尽管前景诱人，氮化镓器件的发展之路并非一帆风顺，诸多不利因素成为其大规模推广应用的绊脚石。
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意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
2025年4月1日，中国苏州 — 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与8英寸高性能低成本硅基氮化镓(GaN-on-Si)制造全球领军企业英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK)，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。
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芯向未来 ，2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会成功举办
上海2025年3月17日 /美通社/ -- 3月14日， "2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会"（ICIC 2025，以下同）在深圳举行。本届大会汇聚600多位业界精英，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了精彩探讨，首次在国内展示了英飞凌两款...
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阻碍氮化镓器件发展的不利因素
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其宽禁带宽度、高击穿电压、高热导率、高电子饱和漂移速度等卓越特性，在光电子、电力电子、射频微波等诸多领域展现出了巨大的应用潜力。然而，如同任何新兴技术一样，氮化镓器件在发展过程中也面临着一系列严峻的挑战，这些不利因素在一定程度上阻碍了其大规模商业化应用与进一步的技术突破。
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芯向未来 ，2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会成功举办
【2025年3月17日, 中国上海讯】3月14日， “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”(ICIC 2025，以下同)在深圳举行。本届大会汇聚600多位业界精英，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了精彩探讨，首次在国内展示了英飞凌两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，彰显了英飞凌在技术创新领域的领先地位，并解读最新产品与解决方案，为行业注入新动能，助力企业在低碳数字变革的浪潮中把握先机。
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英飞凌 CoolGaN™功率晶体管赋能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德国慕尼黑讯】由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，领先的音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得更加复杂。为了解决这些难题，SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌先进的氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。
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碳化硅 SiC、氮化镓 GaN 器件的介绍及未来市场
在半导体技术持续迭代的进程中，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)器件作为第三代半导体的杰出代表，凭借其卓越的性能优势，正逐步改写着电子产业的格局，成为推动众多领域变革的关键力量。深入了解这两种器件的特性、应用现状以及未来市场走向，对于把握半导体行业发展脉搏意义重大。
