功率MOSFET的参数测试说明

功率MOSFET的参数，分为静态参数及动态参数，此处以MSC750SMA170B为例说明，如下图1为静态参数。

图1 静态参数说明

IGSS为栅源极的漏电流，一般测试方式为，设置漏极和源极短路，在栅极和源极之间施加不同的电压得到栅源漏电流。从上述静态特性指标中，可以看出规格为+-100nA.

图2 IGSS测试说明

IDSS为漏极漏电流，一般测试方式为，设置栅源电压为0，在漏源之间施加不同的电压测试其漏极的漏电流，此处在规格中可以看出，在1700V的Vds电压下，常温下其漏电流为100uA,而在高温下，结温125C时，这项测试规格为500uA.

图3 IDSS测试说明

VBR(DSS)是指漏源击穿电压，即保证器件在漏极和源极之间阻断的最大电压，其中分为VBR(DSS)和VBR(DXS), 前者是栅极核源极之间短路时测试得到的漏极最大电压，而后者是栅极核源极施加反向偏置时测试得到的漏极最大电压。

从上图1中可知，此项规格按照栅源短路的条件测试，VBR(DSS)，其规格为最小1700V.

图4 VBR(DSS)测试说明

上图表示在短路VGS时测试DS的击穿电压的测试电路图。

综上，以上简单介绍MOSFET的静态参数测试方式。