SiC MOSFET的驱动典型形式及负压产生电路

SiC MOSFET的驱动相对简单，基本驱动方法和IGBT,Si MOSFET等相同，驱动电压为+18V,关断0V, 在规格范围内，施加负电压时，设计会具有较高的抗噪性能。本文在简要讨论一下驱动电路的具体典型形式基础上，主要讨论一下负压驱动电路。

在Si器件的驱动时，可以通过脉冲变压器进行驱动，如图1所示。但是，由于正负电压相同，所以其不适合SiC MOSFET的驱动。

图1 脉冲变压器驱动

图2 自举电路驱动

对于桥式电路来说，当mosfet上管在关断时，具有如图2所示的电流回路，Low Side的mosfet关断时，通过体二极管续流，此时注意体二极管的电压较大，boot电容被充电到VG+VF，所以在设计时，注意不要将boot电容充电超过门极电压的额定值,以免损坏。