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台积电购并计划受关注 Lumileds、新日光被点名
台积电10日将召开例行董事会，外传董事会很可能会将入股台湾太阳能电池业者列入议程，并讨论收购LED业者的可能性，其中新日光、Lumileds已遭外界点名，这也很可能是台积电日前突然调高2009年资本支出至23亿美元的主因
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台积电获美国IDT半导体制程及产品制造转移
8月6日消息，台积电今日表示，美国半导体厂商IDT决定将位于奥瑞冈州半导体厂的制程及产品制造业务移转给台积电，并在移转完成之后关闭这座晶圆厂，并已聘请第三人在市场上寻求潜在接手者。 台积电在一份声明中称，I
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直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
针对先进纳米Cu互连技术的要求，比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明，在相同电流密度条件下，脉冲电镀所得cu镀层电阻率较低，表面粗糙度较小，表面晶粒尺寸和晶粒密度较大，而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中，脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
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将PIC16C711片内8位A/D提高到11位的方法
介绍一种将PIC16C711片内8位A/D提高到11位的方法。此方法电路简单，速度快，可提高单片机应用系统的性能价格比，具有一定的推广价值。
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RIM申请混合式触摸屏技术新专利
黑莓的厂商RIM日前为一种融合了电阻/电容式技术的混合式触摸屏设计申请了新专利。使用这种新技术，触摸屏不仅可以保持多点触摸的精度，还可以迅速对手指动作做出反应。电容式触摸屏的缺点主要是价格高昂，因此一般只
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警惕盗版“盯”上3G测试仪器租赁行业
打击盗版是如今信息业界的中心话题之一，盗版在中国的情况也相当严重，当前中国软件盗版主要反映在非法制作、销售盗版软件光盘，计算机硬件服务商非法预装软件，企业用户擅自安装未经授权的软件等方面，为了打击猖獗
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东芝向Obducat订购一台纳米压印光刻设备
纳米压印光刻设备供应商Obducat AB称公司收到来自分销商的订单，将向Toshiba发货一台设备。Toshiba将使用Obducat的纳米压印光刻系统来进行先进的技术研发，包括光电子等。相关链接：http://www.eetimes.com/news/sem
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华虹NEC、宏力新建12寸厂遭搁置 传邱慈云异动
大陆晶圆厂华虹NEC与上海宏力半导体整合案原本传出9月可望有明显进展，然在此关键时刻，大陆半导体业界却传出因金融海啸过后，大陆整体半导体产业并未完全复原，使得华虹NEC与宏力携手兴建12寸厂计画恐再遭搁置，将暂
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基于AT89S52的温湿度检测系统的设计
引言温度、湿度是工农业生产的主要环境参数．对其进行适时准确的测量具有重要意义。利用单片机对温、湿度控制。具有控温、湿精度高、功能强、体积小、价格低，简单灵活等优点，很好的满足了工艺要求。本文介绍了利用
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EVG开发出芯片与晶圆键合新方法，大幅度缩短层叠芯片的时间
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奥地利EV Group（EVG）开发出了在采用TSV（硅通孔）的3维层叠上低成本实现芯片与晶圆键合的技术。该方法能够大幅缩
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WCDMA分布式基站低噪声放大器电路设计
引 言 LNA用于接收机前端电路，主要用来放大从天线接收到的微弱信号，降低噪声干扰，其噪声指标直接影响接收机的灵敏度，而灵敏度是通信接收机的关键指标之一，所以LNA电路设计的优略对于接收机性能至关重要，且
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6月全球芯片设备订单出货比突破1，DDR3 SDRAM开始发力
市场调研公司VLSIResearch指出，6月全球半导体设备订单出货比11个月来首次超过1。 VLSIResearch的数据显示，6月全球芯片设备订单出货比升至1.01，是去年7月来首次突破1。6月全球设备订单额达25亿美元，较5月增长40%
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二季度IC厂商排名剧烈动荡，AMD跌出前十
据市场调研公司IC Insights，第二季度芯片销售反弹，导致整体IC厂商排名出现重大变化。 据IC Insights，按第二季度销售额，IC销售额排名上升的厂商包括海力士半导体、联发科与台积电。排名下降的厂商包括AMD、飞思卡
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基于新型共基质电子传输层的有机发光器件
研究了Liq：Bphen混合层的电子传输特性。采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO／m—MTDATA/NPB／Alq3／Liq(33％)：Bplaen／LiF／A1]的有机发光器件，基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13％而效率却提高了21％。研究表明通过优化混合层的掺杂浓度，可以显著提高电子传输层的导电率，降低驱动电压，从而提高器件的效率。
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2×8低噪声InGaAs／InP APD读出电路设计
对In0．53Ga0.47As／InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础，结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC)，电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成，并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0．6 μm CMOS工艺流片，芯片面积为2 mm×2 mm，电荷存储能力为5×107个，功耗小，噪声低，设计达到预期要求。
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