• IBM联手合作伙伴开发28纳米芯片

    北京时间4月16日消息，据报道，IBM、三星、意法半导体及其他几家公司正在联手开发体积更小、能耗更低的芯片。 IBM及其合作伙伴宣布，已经开发了28纳米芯片技术，比英特尔和AMD目前正在使用的45nm技术更加先进。IBM发

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    2009-04-17
    IBM 纳米芯片 纳米技术 英特尔

  • 台积电订单能见度到6月 重启12寸厂扩充脚步

    受大陆家电下乡刺激，台积电、世界先进与联电8寸厂产能利用率急拉，台积电扩充12寸厂脚步也重新启动，上游硅晶圆供货商表示，近期明显感受到8寸硅晶圆产能供不应求，据了解MEMC目前8寸硅晶圆产能呈现满载。半导体业者

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    2009-04-17
    晶圆代工 台积电 硅晶圆

  • iPhone将给三星带来大笔NAND订单

    NAND闪存价格上涨,需求在攀升，至少对于某些厂商来说是这样。在NAND市场略有反弹之际，市场中的初步赢家似乎是韩国的三星(Samsung)电子。 Lazard Capital Markets的分析师Daniel Amir最近在报告中表示：“我们了解到

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    2009-04-17
    三星 苹果 iPhone NAND

  • 集成专用驱动器在开关电源中的应用

    介绍了开关电源中驱动部分的工作情况，集中说明了栅极专用驱动器IR2110的使用方法及其抗干扰措施。由于IR2110本身的缺陷，常规使用方法只能适合小功率场合，在中大功率场合根本无法使用。

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    2009-04-17
    集成 驱动器 开关电源 IR2110

  • 集成专用驱动器在开关电源中的应用

    ADSL接入技术已成为终端用户最主要的宽带接入技术。ADSL技术的关键是ADSL调制解调器，即ADSLMODEM。ADSL用户端调制解调器驱动器是一个宽频带功率放大器，他能不失真放大和传输电话线上已编码的数字信号。本文通过对ADSL调制解调器驱动器特点、结构和性能的分析，给出了一种ADSL用户端MODEM驱动器的实现电路。

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    2009-04-17
    集成 驱动器 开关电源 ADSL

  • 微波pin二极管电阻与温度的关系

    研究了四种pin二极管电阻的温度特性。结果表明二极管结面积的大小，也就是二极管结电容的大小，影响着二极管的表面复合和二极管的载流子寿命，决定了二极管的温度性能。器件的钝化方式和几何结构对二极管电阻的温度性能影响不大。结电容为0．1～1．0 pF的微波二极管，具有正的温度系数，约为线性关系，结电容越大，电阻随温度变化越大。研究结果可以用来预测pin二极管开关和衰减器的温度性能，进一步可以应用于电路温度补偿设计。

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    2009-04-17
    温度 电阻 BSP PIN二极管

  • LED光源在矿井工作面照明灯中的应用

    对目前我国煤矿用灯作了简单的介绍，指出了煤矿用灯的发展方向应为节能、本质安全型；阐述了采煤工作面本质安全型LED照明灯应该具备的条件，分析了LED的发光机理。通过光谱分析，得出了LED在实际照明应用中散热的重要性；介绍了LED灯的一次散热方法及二次散热方法；对LED灯隔爆兼本安驱动电路作了设计并对小功率LED灯进行了合理的排列，结果表明隔爆兼本质安全型LED照明灯在采煤工作面是完全可以应用并具备广泛发展前景的。

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    2009-04-17
    热阻 照明灯 LED光源 BSP

  • 8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计

    为适应目前无线通信领域对高速A／D转换器的要求，采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法，对高速A／D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计，该工艺提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT。基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH，旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积。在SH核心，电源电压3．3 V，功耗44 mW。在相干采样模式下，时钟频率为800 MHz时，其无杂波动态范围(SFDR)为一52．8 dB，总谐波失真(THD)为一50．4 dB，满足8 bit精度要求。结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A／D转换器。

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    2009-04-17
    缓冲器 采样保持电路 BSP PS

  • 三款新型 Gigaspira 积层磁珠产品（TDK）

    TDK公司近日宣布，已新开发出三款MMZ1005-E Gigaspira积层GHz频带贴片磁珠系列产品。该新产品具有业内最高1阻抗效果，并计划于6月开始批量生产。 通过独创的积层结构技术和铁氧体技术的开发，该产品成功实现了阻抗

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    2009-04-17
    阻抗 磁珠 TDK SPI

  • 透视电源产业发展新机遇

    由中国电源学会和赛迪顾问股份有限公司共同主办的“2009电源行业发展高峰论坛”将于6月19日在深圳举行。此次高峰论坛将是电源行业界首次在全国范围内围绕“市场发展与产业升级”研讨的高水平、高

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    2009-04-17
    开关电源 电源 通信电源 UPS

  • 意法半导体推出LIS352AX基于MEMS的运动传感器

    全球领先消费电子和便携设备运动传感器芯片供应商意法半导体推出一款内置绝对模拟输出的三轴加速传感器，进一步扩大超微型高性能的MEMS产品阵容。意法半导体的LIS352AX在2.16V到3.6V之间任何电源电压都可以操作，适用

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    2009-04-17
    运动传感器 意法半导体 加速传感器 MEMS

  • 集成线性霍尔编码器（奥地利微电子）

    奥地利微电子公司发布首款可实现亚微米分辨率并基于线性霍尔效应传感器的磁编码器AS5311。与2mm极对长度的磁条一起使用，AS5311可通过其增量输出和串行输出分别提供1.95微米和488纳米分辨率的信号。奥地利微电子编码

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    2009-04-16
    集成 奥地利微电子 线性 编码器

  • 集成电路Cu互连线的XRD研究

    对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层，使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明，对于在各种条件下获得的lμm Cu镀层，均呈现(111)晶面择优，这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。

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    2009-04-16
    集成电路 脉冲 电流密度 BSP

  • 新型部分耗尽SOI器件体接触结构

    提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构，该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层，采用源漏浅结扩散，形成体接触的侧面引出，适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE一TCAD三维器件模拟结果表明，该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且，该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下，通过适当的增加si膜厚度的方法减小体引出电阻，从而更有效地抑制了浮体效应。

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    2009-04-16
    器件 电容 BSP BOX

  • ∑-△ADC的降采样滤波器的设计与实现

    介绍了一种带宽150 kHz、16 bit的∑-△模数转换器中的降采样低通滤波器的设计和实 现。系统采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)频率补偿技术对通带的下降进行补偿，最后级联三个半带滤波器输出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工艺实现，系统仿真和芯片测试结果表明，性能满足设计指标要求。与传统音频领域的∑-△ADC应用相比，该设计在很大程度上拓展了处理带宽，提高了处理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要应用于医疗仪器、移动通信、过程控制和PDA(personal digital assistants)等领域。

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    2009-04-16
    调制器 滤波器 ADC BSP
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