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TDK推出爱普科斯(EPCOS) 高性能LCL 滤波器
21ic讯 TDK 株式会社最新推出了适用于再生式变频器系统的爱普科斯(EPCOS) 高性能 LCL 滤波器 (B84143*405)系列产品。该系列滤波器由一个电源扼流圈、带阻尼电阻器的电容器组以及一个 牢固的扼流圈组成，其滤波器电路
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TDK推出一款新的爱普科斯 (EPCOS) 焊片式系列铝电解电容器
21ic讯 TDK 公司近日发布了一款新的爱普科斯 (EPCOS) 焊片式系列铝电解电容器。新系列电容器的 纹波电流能力比之前的爱普科斯 (EPCOS) 系列增强了多达 25%，其中新 B43642*系列电容器 尺寸紧凑：直径为 22 mm 至 35
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TDK推出三款新型的爱普科斯 (EPCOS) 螺钉式系列铝电解电容器
21ic讯 TDK 公司近日发布了三款新型的爱普科斯 (EPCOS) 螺钉式系列铝电解电容器。新系列电容器 不仅具有超强的纹波电流能力，且尺寸极其紧凑。其中，新 B43703*系列电容器适用额定电压 范围为 350 V DC 至 450 V DC
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不能再低调了！英特尔技压晶圆代工厂3.5年
英特尔技术及制程事业群总经理William Holt在2014年投资人会议中表示，英特尔的电晶体制程技术在过去10年的三个技术世代，均领先晶圆代工厂至少3年以上时间。英特尔上周召开2014年投资人会议(Investor Meeting 2014)
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ECS Inc.构建市场领先的SMD石英晶体产品组合
21ic讯 ECS Inc. International发布其市场领先的ECX-3SX SMD石英晶体的扩展产品，新产品具有更严格的稳定性和容差水平。ECX-3SX具有3.57至70.0 MHz的宽频率范围，在-10至+70°C温度范围具有±50 ppm的出色
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半导体二极管的直流电阻和动态电阻如何区别？
半导体二极管是一种非线性器件，它对直流和交流(或者说动态量)呈现出不同的等效电阻。二极管的直流电阻是其工作在伏安特性上某一点时的端电压与其电流之比。图(a)电路(b)二极管伏安特性和工作点Q(c)二极管的直流电阻
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发光二极管之—工作原理图解分析
发光二极管,通常称为LED,是在电子学世界里面的真正无名英雄。它们做了许多不同工作和在各种各样的设备都可以看见它的存在。基本上,发光二极管只是一个微小的电灯泡。但不像常见的白炽灯泡，发光二极管没有灯丝，而且
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二极管限幅电路工作原理分析与理解
二极管最基本的工作状态是导通和截止两种，利用这一特性可以构成限幅电路。所谓限幅电路，就是指限制电路中某一点的信号幅度大小，当信号幅度大到一定程度时，不让信号的幅度再增大;当信号的幅度没有达到限制的幅度时
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MOSFET(MOS场效应管)工作原理
场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。
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二极管的模型笔记
二极管的模型1.理想模型所谓理想模型,是指在正向偏置时,其管压降为零,相当于开关的闭合。当反向偏置时,其电流为零,阻抗为无穷,相当于开关的断开。具有这种理想特性的二极管也叫做理想二极管。在实际电路中,当电源电压
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场效应晶体管的几点使用知识！
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的
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关于三极管和场效应管
三极管简介:三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是
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增强型N沟道场效应管(MOSFET）的电池反接保护电路
功率场效应管(MOSFET)典型应用电路1.电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电
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Qualcomm宣布推出下载速度最高达450 Mbps的第五代LTE多模调制解调器
21ic讯 Qualcomm Incorporated今日宣布，其全资子公司Qualcomm Technologies, Inc.推出了第五代LTE多模解决方案——Qualcomm® Gobi™ 9x45调制解调器，以及第二代Qualcomm RF360™络追踪器
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安森美半导体与ICs LLC合作 开发抗辐射加固ASIC
21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体与ICs LLC达成授权/开发协议，将能够抗辐射的专用集成电路(ASIC)推向市场。通过这协议产生的抗辐射加固设计(RHBD) ASIC将基于安森美半导体的ONC110 110纳米(nm)工艺，用于ASIC设
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