模拟
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使用直流稳压电源时的注意事项！
一、直流稳压电源的基本功能直流稳压电源一般具有多路输出：比如提供一路固定输出为5V、2A;提供二路(A路、B路)可调输出为0～24V、0～1A。可调输出一般都具有稳压、稳流两种工作方式，这两种工作方式随负载变化而进行
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高手对模电的理解
电子科学与技术作为一级学科，到了更高阶段分为：微电子学与固体电子学、电路与系统等几个二级学科。现实中，二者之间的区别不像概念上那样明确，微电子始终是本学科一路传承，但是电路与系统在不同学校所侧重的方向
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ADI推出AD9528 JESD204B时钟和SYSREF发生器
21ic讯 Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)近日宣布推出AD9528 JESD204B时钟和SYSREF发生器，以满足长期演进(LTE)和多载波GSM基站设计、防务电子系统、RF试验仪器和其他新兴宽带RF GSPS数据采集信号链的时钟要求
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如何为互阻抗放大器电路选择组件
在高精度光电转换应用中，我们经常使用光电二极管和互阻抗放大器将光信号转换为电信号，并将其放大。如图 1 所示，通过 R1 的光电流可在放大器输出端产生电压，实现电流电压转换。这是最简单、最常用的光电转换电路
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Silicon Labs推出新型PCI Express缓冲器简化数据中心时钟设计
21ic讯 SiliconLabs(芯科实验室有限公司,NASDAQ:SLAB)今天宣布推出PCIExpress(PCIe)Gen1/2/3扇出缓冲器，此产品为包括服务器、存储器和交换机在内的数据中心应用而设计。针对当今领先的x86主板和服务器系统，新型的S
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TDK压敏电阻：多重冲击电流能力
2014 年高交会电子展产品亮点TDK公司已经开发出极其坚固的爱普科斯新型多重脉冲MP压敏电阻。这些保护性元件非常适合于经常产生过电压脉冲的应用，例如开关电源或过电压保护模块。这类压敏电阻的直径包括10、14和20mm
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TDK薄膜电容器：耐久型MKT系列电容器
2014 年 高交会电子展产品亮点TDK公司旗下爱普科斯MKT(金属化聚乙烯对苯二甲酸酯)薄膜电容器，其特点是结构牢固，电容值漂移极低。在85°C、空气相对湿度在85%和电源为240VAC的环境下经受1000小时的测试后，其最大
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TDK铝电解电容器：紧凑型焊片式系列，纹波电流能力显著增强
2014 年高交会电子展产品亮点TDK 公司近日发布了一款新的爱普科斯 (EPCOS) 焊片式系列铝电解电容器。新系列电容器的 纹波电流能力比之前的爱普科斯 (EPCOS) 系列增强了多达 25%，其中新 B43642*系列电容器 尺寸紧凑
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ADI推出AD9528 JESD204B时钟和SYSREF发生器
21ic讯 Analog Devices, Inc. 近日宣布推出 AD9528 JESD204B 时钟和 SYSREF 发生器，以满足长期演进(LTE)和多载波 GSM 基站设计、防务电子系统、RF试验仪器和其他新兴宽带 RF GSPS 数据采集信号链的时钟要求。随着
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美高森美发布面积最小和抖动超低的OTN时钟转换器
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 发布全新高性能光传输网络(Optical Transport Network, OTN)时钟转换器ZL30169，该产品完全符合ITU-T G.8251标准，确保达到互操作性和令
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MEMS领导者MegaChips斥资2亿美元收购SiTime
近日消息，MegaChips将斥资2亿美元现金收购美商赛特时脉(SiTime)。本次交易将两家互补的无晶圆厂半导体厂商结合在一起，为越来越多的可穿戴、移动和物联网市场提供解决方案。MegaChips 公司总裁兼首席执行官Akira Ta
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英特尔推出业界领先的14纳米32Gbps串行解串器
21ic讯—英特尔公司近日公布在14纳米制程上的1至32 Gbps高速串行解串器(SerDes)硅片特性。以先前推出的1至16 Gbps GP 14纳米串行解串器为基础，新增32 Gbps串行解串器是第二款产品，预计于今年年底上市。英特尔
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燃料电池革命性进展：中外学者发现石墨烯类膜材料新特性
日前，中国技术大学吴恒安教授、王奉超特任副研究员，与诺贝尔物理奖得主、英国曼彻斯特大学安德烈·海姆教授课题组及荷兰内梅亨大学研究人员等进行了合作，该团队在石墨烯类膜材料输运特性研究方面取得突破性
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晶振振荡电路的设计
基于晶振等效电路的结论设计晶振电路。1 晶振的等效电气特性(1) 概念[1] 晶片，石英晶体或晶体、晶振、石英晶体谐振器从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片。[2] 晶体振荡器在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件
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晶振与匹配电容的总结
1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。
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