设计者经常仅仅根据所接负载的直流输入电流要求,冒险使推拉输出电路的负载达到它的最大直流扇出能力。特别是当设计CMOS总线时这一想法尤其具有诱惑力,因为此时理论上的扇出能力是无限的。实际上重负载的总路线结构
一旦推拉输出电路完全转换,静态功耗等于源电流乘以导通臂上的剩余电压。我们将分别计算出LO和HI状态下的功率,然后取二者的平均值。图2.6说明了理想的TT驱动器在LO和HI状态下的功耗。对于标准的TTL器件,Q2处于饱和
内部电源用于逻辑器件内部节点的偏置和转换。内部功率包括静态功耗和动态功耗。静态内部功耗的定义是在无负载连接、输入端处于随机状态的条件下的功耗求出所有可能的输入状态的平均值可以得到静态功耗。内部动态功耗
芯片的输入功率来自于其他器件。对于输入电路的偏置和触发来说它是必需的。表2.1比较了4种不同逻辑系列的静态和动态输入特性,4种逻辑系列为:SIONETICS 74HCT CMOS,TEXAS INSTRUMENTS 74AS TTL,MOTOROLA 10KH ECL
在图中2.1中,TTL反相顺的输出驱动电路在HI和LO之间交替转换,Q1或Q2交替处于导通状态,而不是两者同时导通。这种电路配置有两个激励电路,一个把输出电压上拉到HI,而另外一个把输出电压下拉到LO,通常称之为推拉输
逻辑电路每一次跳变,都要消耗超过它正常静态功耗之外的额外的额外功率。当以一个恒定速率循环时,动态功耗等于功耗=周期频率*每个周期额外的功率动态功耗最常见的两个起因是负载电容和叠加的偏置电流。图2.2说明了驱
让我们来验证一个关于互感耦合的理论,即:如果其中一个环路反向,耦合的极性也反向。首先回到图1.20中的测量装置,把输出电缆重新边接到RB的另一端,然后把RB的左端接地。实际上类似于把R和RB之间感性耦合变压器的引
图1.20描述了互感的一种简单测量方法。与“互容的测量”的固定方式相同,两个碳膜电阻的中心间距0.1IN。两个电阻的右端都接地,而测量电缆的输入和输出端分别接在每个电阻的左端,电阻RA作为信号源的端接。信号源上升
本文分析了基于表面等离子激元的可调谐共振环滤波器结构原理,并分别对环半径R为1.0μm和1.1 μm时进行了仿真。
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
基于PCI-9812数据采集卡,针对P4-42热释电探测器,设计一个逐点扫描式的太赫兹成像数据采集系统。计算机通过扫描控制装置中控制样品的移动,使数据采集卡采集由P4-42热释电探测器探测到的太赫兹信号。再在计算机中根据采集到的信号重建被测物体的太赫兹图像,可以实现样品的运动控制、太赫兹信号采集以及图像重建等功能。这对于太赫兹成像的实际应用具有一定的意义。
无论在何处,只要存在两个电流回路,就会有互感。一个回路的电流产生一个磁场,而该磁场会影响第二个回路。两个回路相互作用,其相互作用的系数随距离的增加快速地减小。两个回路之间相互作用的系数称为它们的互感,
如果将“互容的测量”例中的电阻接地,将会发生什么呢?如果把“互容的测量”例中的每个电阻的一端接地,容性耦合噪声电压值大约除以6。直观地来分析,如果用连接在两个电阻正中间的寄生电容来表示这个互容,电阻RA的
假设已知一个互容的值为CM,电路的上升时间为T,接收电路的阻抗为RB,我们可以按驱动波形VA的相对值来估算串扰。首先求出波形VA的单位时间电压变化的最大值,其中△V为驱动波形的阶跃幅度,TR是驱动波形的上升时间:
无论何处,只要存在两个电路,就会有互容。一个电路的电压产生电场,该电场会影响第二个电路。两个电路之间的电场相互影响,其互相影响的系数随距离的增加快速地减小。在两个电路之间,电的相互作用系数称为它们的互