终于,内存条价格要降了。据DRAMeXchange报道,内存价格在2019年将降低15~25%。报道称,第四季度的DRAM芯片合同价的谈判已开始,虽然PC DRAM保持稳定,但随着DRAM需求全面放缓,图形显卡的DRAM价格已经下滑。目前,
目前,功率转换器市场快速演进,将来也会快速发展,从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现,比如,生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。
电平控制LED灯电平转换 单向 12V转3V (其中Vgs>2.5V导通,用的7002所以Vg需要小于60V)
设计步骤1) 分析设计要求 电压增益可以用于计算电压放大倍数;最大输出电压可以用于设置电源电压 输出功率可以用于计算发射极电流;在选择晶体管时需要注意频率特性。2)确定电源电压在第一个图中我们观察到最大输
现阶段MLCC已不是涨不涨价的问题,而是涨多少客户都得接受的问题,MLCC客户若嫌贵不买,到外面拿不到货,再回头向原来的MLCC制造商要货,届时可能已没货,且就算重新下订单,亦不知道要排多久才能轮到。
需求的持续增加刺激了8寸硅片在2017Q1供给紧张,并从2017H2开始涨价,估计2017年全年涨价幅度约为3%(12 寸硅片涨价幅度达37%)。2018Q1 8寸硅片继续紧缺并涨价约10%。
这已经是隆基年内第九次正式下调单晶硅片的价格。相比2017年末报价5.4元,截止目前,180μm厚度P型M2单晶硅片已降低71.4%。可以看到,相比上半年的平缓降价,新政过后,隆基的三次调价力度都很大,以6月14日新政后第一次调价隆基降价最为陡峭。
TDK株式会社推出新系列爱普科斯 (EPCOS) 环形磁芯共模电感- B82724J8*N040系列。新系列产品符合RoHS标准,可在高达800 V DC或250 V AC的额定电压下连续工作,专为变频器中的直流链路滤波而开发
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
日前传闻国巨电子中国区经理表示MLCC电容将降价10%,不过国巨方面马上辟谣否认,表示MLCC没有降价空间,未来只可能继续涨价。
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI) 的四通道1 GSPS ADS54J64模数转换器 (ADC)。14位ADS54J64 ADC提供高信噪比 (SNR)、高带宽以及500 MSPS的最大输出采样率。
这两年,除了内存、显卡价格疯狂涨不停,一些基本的电子元器件也在纷纷涨价,包括PCB电路板、电感、电容等,尤其以MLCC最为典型。MLCC就是片式多层陶瓷电容,集成度高,体积小,常用于高端产品,全球市场规模超过11
12英寸先进模拟芯片集成电路产业基地、OLED面板设备制造、第三代半导体材料氮化镓等多个项目落户即墨区。
中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队,研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。
ROHM面向处理微小信号的光传感器、声纳及硬盘中使用的加速度传感器等需要高精度感测的工业设备应用,开发出业界顶级的低噪声CMOS*1运算放大器“LMR1802G-LB”。