• 美光:5G引发的内存和存储演进

    美光:5G引发的内存和存储演进

    1. 受新冠疫情和国际形势双生影响,2020年对整个世界来说都是不平凡的一年,同时也是机遇与考验并存的一年。对此,您如何看待整个行业的发展现状和未来趋势?贵公司是如何把握机遇、直面挑战的? Raj Hazra,美光科技新兴产品与企业战略高级副总裁 新冠疫情加速了数字化转型。如果没有基于云的数字化服务(包括在线购物、虚拟会议和远程医疗),2020年的社会格局将大为不同。数据中心的大量数据处理使人们能够在前所未有的短时间内进行疗法和疫苗的研发。这些技术构成了我们新常态的基础,突然之间,诸如AI自学习这种高深的事物也变得更加平易近人了。CIO们的风险承受能力已发生变化,因为他们必须采用更多新兴技术来保持业务持续发展,在未来这一年,这将在大批企业中产生涟漪效应。 2021年,即使在后疫情时期,远程办公的普及将继续加速云端应用的部署。为了应对新常态,企业将寻求新的解决方案,例如为实现灵活办公部署更多的IT解决方案,为推动在线商务的持续增长提供更大的数据存储,以及为应对未来的医疗危机提供稳固的IT系统。这将前所未有地推动对灵活的IT基础架构、多云解决方案和万物互联的需求,以支持边缘到云的应用场景。我们看到,以数据为中心的云服务的发展将为内存和存储带来巨大的机会,我们还将看到,越来越多的数据中心运营商在对可拆分和组合系统进行评估,以更好地满足未来的企业需求。 我们需要更加节能的云端:向可组合基础架构迈进对于减少过度配置的资源至关重要,这将减轻IT部门对环境造成的严重影响。预计到2030年,信息和通信技术将消耗全球20%的电力。随着企业希望将可持续发展纳入业务战略,并减少AI和高性能计算等计算密集型工作负载的运营成本,我们看到对于节能型架构的需求将不断增长。 内存和存储的区别越来越模糊:2021年,“人工智能即服务”将成为主流,智能迁移到边缘,5G应用将成为现实。这会推动服务器系统架构方式的根本改变。内存将扩展至多个基础架构池,并成为共享资源。存储和内存之间的界限将变得模糊。人们将不再认为“DRAM是内存,而NAND是存储”,因为速度更快的NAND将能够用作内存,而随着应用的复杂性将不断提升,它们需要以创新的方式来利用资源。在2021年,我们还将看到企业正在寻求新型解决方案,例如存储级内存和内存虚拟化,以进一步释放AI及激增的数据量带来的价值。 2. 2020年,5G开始走向大规模商用,随着5G基站的进一步部署,5G网络的覆盖越来越广,这将给行业带来哪些机遇?贵公司如何看待? Christopher Moore,美光科技移动产品事业部市场副总裁魏松,美光科技移动产品事业部全球产品营销总监 5G产业链环节主要包括5G网络基础设施、终端设备和应用场景三大环节。手机作为主要的个人移动智能终端设备,同时也是实现5G三大应用场景之一的EMBB(增强移动带宽)相对最早的可以体验的5G应用场景,我们如期的看到各大手机厂商争先发布5G新机,从上半年的多款旗舰机、次旗舰机、到下半年的中低端5G手机,特别是中低端5G手机的价格直逼4G手机,这也是让5G市场开始真正起飞的一年。5G手机拉动了AI拍照(一亿像素,64MP,48MP、四摄-三摄贯穿高中低端手机),高清视频(8k/4k),高刷新屏、高采样率的游戏等功能和应用,尤其是5G中低端手机配置的内存容量和中高端手机非常接近,这带来了移动行业对DRAM和NAND的需求。2021年,我们乐观预期移动行业 DRAM和NAND的年成长率分别为:DRAM高于15%,NAND大于30%,预计手机平均DRAM容量将超过5GB (5.2GB), Flash逼近150GB。 无所不在的5G接入为移动技术带来标志性转变。5G最关键的特性是大大缩短延迟。现在的网络已经足够快,可以满足以前不可能实现的实时数据需求。具体的应用包括自主流量定形、远程医疗、实时增强现实、工业自动化和物联网人机界面。为了满足这些应用,端到端延迟时间必须小于5毫秒。例如,在增强现实中,AR覆盖需要与人类感知一样快,才能无缝融合到现实环境中。 但是,如果没有合适的硬件,这些更快的数据传输速度将毫无用处。随着5G在全球范围内不断扩展,美光将继续支持这些发展机会,以推动内存和存储的增长。作为第一个在1Z节点上量产的供应商,这已经是我们一段时间以来设计和开发技术考虑的重点。我们也已开始对基于1Z制程的DDR5进行出样,为实现5G的下一代以及更先进的技术奠定关键基础。除此之外,5G的内存和存储需求非常多样化,美光独有的产品组合广度在这个领域具有关键优势。我们将以此抓住5G带来的巨大机遇。无论是用于计算和网络的DDR4 / 5,速度更快的LPDDR4 / 5或GDDR6技术,还是用于存储和启动的SSD、NAND或NOR,美光强大的产品组合都能让我们为5G领域中最苛刻的应用提供服务。 5G不仅使网络受益,同时还包括云和数据中心。为了处理移动连接,数据中心必须将内存和存储量增加四到十倍。降低延迟也很重要,因为5G网络的传输速率和带宽要比4G网络高100倍以上。要使5G成为现实,就必须以前所未有的容量和速度来存储、托管和传输数据。 云数据中心是5G数字生态系统的核心,在这一演进过程中至关重要。企业和云存储必须完成从机械硬盘(HDD)到固态硬盘(SSD)的过渡才能为5G做好准备,而云服务器和将它们连接在一起的网络将需要更多的内存。美光的主要工作重点是实现向下一代存储和内存的过渡。我们相信,我们独特的优势可以抓住市场上的这些机会。 3. 在2020年,贵公司有哪些产品和技术您认为可以称得上是对该应用或技术领域有明显提升或颠覆性的贡献?请您分享。 魏松,美光科技移动产品事业部全球产品营销总监 LPDDR5 首先,在5G领域,美光推出了全球首款量产的LPDDR5 DRAM 芯片,并率先搭载于小米10智能手机上。美光 LPDDR5 DRAM 与前代产品相比,数据访问速度提升了 50%,功耗则降低了 20% 以上,满足了消费者对于智能手机中人工智能(AI)和 5G 功能日益增长的需求,为用户带来流畅、无延迟的影像、娱乐、游戏体验,成为 2020 年旗舰手机的标配。 美光 LPDDR5 DRAM 内存能满足多个行业对内存更高性能和更低功耗日益增长的需求,这不仅仅局限于移动行业,还包括汽车、个人电脑以及为 5G 和 AI 应用打造的网络系统。 GDDR6X 其次,美光推出了全球速度最快的独立显卡内存解决方案 GDDR6X,率先助力系统带宽实现 1 TB/秒。美光与图形计算技术领导者 NVIDIA 合作,首次在全新的 NVIDIA® GeForce RTX™ 3090 和 GeForce RTX 3080 图形处理器(GPU)中搭载 GDDR6X,以实现更快速度,满足沉浸式、高性能的游戏应用需求。 美光革新了 GDDR6X 的内存/GPU 接口,增强了下一代游戏应用中的复杂图形工作负载性能。GDDR6X 的突破性速度,为游戏玩家提供最高帧率和即时渲染的高分辨率,带给用户无延迟的高度真实感和沉浸体验。 美光率先在内存中应用创新的信号传输技术——四电平脉冲幅度调制(PAM4),变革内存的数据传输方式,实现了 GDDR6X 的突破性带宽。 176层3D NAND 再次,美光于今年开始出货全球首款 176 层 NAND,实现闪存性能和密度的重大突破,一举刷新行业纪录,使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益,实现性能上的巨大提升。 该款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构,是市场上最先进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比,176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,极大地提高了应用的性能。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计,裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%,是满足小尺寸应用需求的理想解决方案。 美光开创性地结合了堆栈式替换栅极架构、创新的电荷捕获技术和 CMOS 阵列下(CuA)  技术。美光的 3D NAND 专家团队利用专有的 CuA 技术取得了大幅进步,该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈,将更多内存集成封装在更紧凑的空间中,极大缩小了 176 层 NAND 的裸片尺寸,提升了单片晶圆的存储容量。 同时,美光还将 NAND 单元技术从传统的浮动栅极过渡到电荷捕获,提高了未来 NAND 的可扩展性和性能。除了电荷捕获技术,美光还采用了替换栅极架构,利用其中的高导电性金属字线取代硅层,实现了出类拔萃的 3D NAND 性能。采用该技术后,美光将大幅度降低成本,继续领跑业界。 4. 能否介绍下贵公司在中国市场的发展情况?2020年中国市场有哪些突出表现?2021年针对中国市场又有哪些规划和布局?Christopher Moore,美光科技移动产品事业部市场副总裁 在过去的两年中,美光科技真正致力于与存储和内存业务一起拓展我们在中国的移动业务。例如,我们已经扩展了产品线,包括了更多多芯片封装(MCP)产品,以更好地满足中国手机制造商的独特需求。全球排名前六位的手机制造商中有四家在中国,并且他们还在不断扩大自己在全球的市场份额。随着5G在中国的快速部署,这些OEM厂商正在采用更具差异化的解决方案,从而在5G市场中赢得竞争力。他们正通过采用更高的产品规格来实现更出色的用户体验,如高分辨率镜头和屏幕显示,以及数据密集型应用程序等,这些都需要更多、更快的内存和存储,同时具有更低功耗和更小封装尺寸,而这正是美光所长。中国的移动市场正处在令人兴奋的发展阶段,我们在这里看到了巨大商机。

    时间:2021-01-15 关键词: 美光科技 DRAM NAND

  • 三元锂电池能使用多久?哪些因素影响三元锂电池使用年限?

    三元锂电池能使用多久?哪些因素影响三元锂电池使用年限?

    锂电池是生活中常见的电池类型之一,但就锂电池而言,它又具备诸多细分类别,如三元锂电池。为增进大家对锂电池的认识程度,本文将对三元锂电池、三元锂电池的使用寿命、影响三元锂电池寿命的因素以及三元锂电池的应用予以介绍。如果你对锂电池具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、三元锂电池 三元聚合物锂电池是指正极材料使用锂镍钴锰或者镍钴铝酸锂的三元正极材料的锂电池,锂离子电池的正极材料有很多种,主要有钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、三元材料、磷酸铁锂等。其中磷酸铁锂作为正极材料的电池充放电循环寿命长,但其缺点是能量密度、高低温性能、充放电倍率特性均存在较大差距,且生产成本较高,磷酸铁锂电池技术和应用已经遇到发展的瓶颈;锰酸锂电池能量密度低、高温下的循环稳定性和存储性能较差,因而锰酸锂仅作为国际第1代动力锂电的正极材料;而多元材料因具有综合性能和成本的双重优势日益被行业所关注和认同,逐步超越磷酸铁锂和锰酸锂成为主流的技术路线。三元材料的电芯代替了广泛使用的钴酸锂电芯,在笔记本电池领域广泛使用。 二、三元锂电池使用寿命 根据国家规定,电动汽车动力电池容量衰减到新电池状态的80%以下,可视作动力电池使用寿命的终结。 而根据电池的标准,三元锂电池的寿命是由电池的循环次数来进行决定,而三元锂电池的容量是会随着充放电次数的增加而不断衰减的。在相关实验室中,以1C的充放电倍率给三元锂电池持续充放电,经过1000次充电循环后,电池容量降至新电池状态的80%。 按照目前三元锂电池的技术水平,目前电动汽车普遍使用的动力电池容量密度为260Wh/kg,按照该能量密度来计算,以一年两万公里来进行计算,根据浅充浅放来计算的话,循环寿命至少有1000次。如果使用得当,在电动汽车上起码可以使用5到8年左右的时间。 三、影响三元锂电池使用寿命因素 至于有哪些因素会影响到三元锂电池的使用寿命,氢云链认为这需要从电池本身的结构上面和使用上面来进行分析,比如:电池材质、使用环境和最佳工作状态等。 具体来说,在使用的过程中,由于使用不当,导致锂电池内部会发生不可逆的电化学反应导致容量下降,比如电池内部的电解液的分解,电池内部的活性材料的失去了活性等都会直接导致三元锂电池寿命锐减。 当然,电动汽车动力电池使用寿命终结,并不是说电池不能充电,也不能放电,而是说此时电池的放电量与新电池状态相比下降较多,继续使用的话,会给用户带来较差的用车体验。由于动力电池使用寿命标准是前几年制定的,那时候电池容量小,电动汽车续驶里程短,衰减到新电池80%以下,的确感觉续驶里程缩短了很多。比如续驶里程本来有200公里的,电池衰减到80%了,行驶160公里就要充电了。现在电动汽车续驶里程已经较高,衰减20%对用户的用车感受已经没有那么大了。 四、三元锂电池的应用 据统计,三元锂电池的应用到明年将会提升百分之八,我们通常使用的乘用车使用三元锂电池,应用渗透率增长非常快,四年前就已经达到了将近百分之六十,而专用车上的使用比乘用车渗透率更高。当今主流销量车,比如北汽和宝马,已经全部使用三元锂电池,因此三元锂电池在各种电动汽车中的应用是十分普遍的。 综上所述,我们知道了三元锂电池的性能相比前几年已经有了大的改善和提升,相比正常的钴酸锂电池,三元锂电池的标称电压以及容量已经大大超越了它们。虽然三元锂电池的制造成本相对较高,但是它的容量密度以及循环性能是非常高的,因此使用寿命相对较长。除此之外,三元锂电池在各种乘用车和专用车的使用上已经应用十分广泛了,所以三元锂电池可以说是电池中的佼佼者。 以上便是此次小编带来的“锂电池”相关内容,通过本文,希望大家对三元锂电池、三元锂电池的使用寿命、影响三元锂电池寿命的因素以及三元锂电池的应用具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-15 关键词: 锂电池 指数 三元锂电池

  • 锂电池为何爆炸起火?锂电池爆炸几率有多大?

    锂电池为何爆炸起火?锂电池爆炸几率有多大?

    锂电池在诸多电子设备中均有所应用,对于锂电池,我们通常也较为熟悉。前文中,小编对锂电池保护板的使用方法以及锂电池保护板的选购要点有所介绍。为增进大家对锂电池的了解程度,本文将对锂电池爆炸起火的原因予以分析,并探讨锂电池的爆炸几率。如果你对锂电池具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、锂电池为何爆炸起火 1.锂电池负极容量不足 当锂电池正极部位的负极部位容量不足时,充电时所产生的锂原子无法插入负极石墨的间层结构中,会析在负极的表面,形成结晶。在锂电池中长期形成结晶会导致短路,这时电芯急剧放电,会产生大量的热,烧坏隔膜。高温会使电解液分解成气体,当压力过大时,电芯就会爆炸。 2.水份含量过高 充电时,水份可以和锂发生反应,生成氧化锂,使电芯的容量损失,易使电芯过充而生成气体,水份的分解电压较低,充电时很容易分解生成气体,当这一系列生成的气体会使电芯的内部压力增大,当电芯的外壳无法承受时,电芯就会爆炸。 3.内部短路 内部电芯短路造成大电流放电,产生大量的热,烧坏隔膜,而造成更大的短路现象,会使电解液分解成气体,内部压力过大,电芯就会爆炸。 4.锂电池过充 电芯过充电时,正极的锂过度放出会使正极的结构发生变化,而放出的锂过多也容易无法插入负极中,也容易造成负极表面析锂,而且,当电压达到4.5V以上时,电解液会分解生产大量的气体。上面种种均可能造成爆炸。 5.外部短路 外部短路可能由于正负极接错所导致,由于外部短路,电池放电电流很大,会使电芯的发热,高温会使电芯内部的隔膜收缩或完全坏坏,造成内部短路,因而爆炸。 二、锂电池爆炸几率是大是小 锂电池容易爆炸吗?锂电池爆炸威力有多大?尽管锂电池总体上非常安全,但它们偶尔会着火或爆炸。我们经常会看到一些由于锂电池而引起的各种安全事故,给人印象最深刻的莫过于锂电池产生的爆炸、起火等现象。 锂电池从诞生到现在已经发展几十多年了,目前市面上的大部分手机也均内置的是锂电池,尽管发展几十年,但锂电池仍不能保证百分百安全,在某些特定环境下,甚至会发生爆炸。 锂在储量方面非常出色。当它作为涓涓细流被释放时,它会为你的手机供电一整天。但当它一次性全部释放时,电池就会爆炸。大多数锂电池起火和爆炸都是由于短路引起的。这种情况发生在塑料分离器失灵的情况下,从而让阳极和阴极直接接触。一旦这两极聚在一起,电池就会开始过热。 只要是锂电池,就有存在爆炸的风险,只是这是风险概率很小。但是一旦爆炸,容量越大的锂电池爆炸的威力就无法想象。 锂电池爆炸有两个重要的诱因,一个是短路,一个是过充。短路很容易理解,就是电池正负极直接接触。第一,正常短时间内的,小面积内的短路所产生的热量其实很少,不会造成热失控。电芯本身设计时使用有个防爆阀,意思就是当电芯内部压力超过了一定的值时,就会冲开防爆阀,热量快速消散。第二就是正常使用的电池充电设备都防过充保护,当电池电压达到一定值时就会停止充电。第三电芯本身壳体就是钢壳,具有很好的保护性。 以上便是此次小编带来的“锂电池”相关内容,通过本文,希望大家对锂电池爆炸起火的原因有所了解,并对锂电池爆炸几率具备一定的认识。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-15 关键词: 锂电池 爆炸 指数

  • 锂电池保护板如何使用?如何选购锂电池保护板?

    锂电池保护板如何使用?如何选购锂电池保护板?

    锂电池在现实中具有众多应用,诸多电子设备中均存在锂电池的身影。在往期文章中,小编对锂电池保护板故障有所阐述。为增进大家对锂电池的了解,本文将对锂电池保护板的使用方法,以及锂电池保护板的选购要点加以介绍。如果你对锂电池,抑或是锂电池保护板相关内容具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、锂电池保护板使用方法 锂电池保护板根据使用IC,电压等不同而电路及参数有所不同,下面以DW01配MOS管8205A进行讲解: 1.锂电池保护板其正常工作过程为:当电芯电压在2.5V至4.3V之间时,DW01的第1脚、第3脚均输出高电平(等于供电电压),第二脚电压为0V。此时DW01的第1脚、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚,8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01的电压,故均处于导通状态,即两个电子开关均处于开状态。此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通,保护板有电压输出。 2.保护板过放电保护控制原理:当电芯通过外接的负载进行放电时,电芯的电压将慢慢降低,同时DW01内部将通过R1电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约2.3V时DW01将认为电芯电压已处于过放电电压状态,便立即断开第1脚的输出电压,使第1脚电压变为0V,8205A内的开关管因第5脚无电压而关闭。 此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。即电芯的放电回路被切断,电芯将停止放电。保护板处于过放电状态并一直保持。等到保护板的P与P-间接上充电电压后,DW01经B-检测到充电电压后便立即停止过放电状态,重新在第1脚输出高电压,使8205A内的过放电控制管导通,即电芯的B-与保护板的P-又重新接上,电芯经充电器直接充电。 3.锂电池保护板过充电保护控制原理:当电池通过充电器正常充电时,随着充电时间的增加,电芯的电压将越来越高,当电芯电压升高到4.4V时,DW01将认为电芯电压已处于过充电电压状态,便立即断开第3脚的输出电压,使第3脚电压变为0V,8205A内的开关管因第4脚无电压而关闭。此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。即电芯的充电回路被切断,电芯将停止充电。 保护板处于过充电状态并一直保持。等到保护板的P与P-间接上放电负载后,因此时虽然过充电控制开关管关闭,但其内部的二极管正方向与放电回路的方向相同,故放电回路可以进行放电,当电芯的电压被放到低于4.3V时,DW01停止过充电保护状态重新在第3脚输出高电压,使8205A内的过充电控制管导通,即电芯的B-与保护板P-又重新接上,电芯又能进行正常的充放电。 4.短路保护控制过程:短路保护是过电流保护的一种极限形式,其控制过程及原理与过电流保护一样,短路只是在相当于在PP-间加上一个阻值小的电阻(约为0Ω)使保护板的负载电流瞬时达到10A以上,保护板立即进行过电流保护。 锂电池保护板,其作用就是防止锂电池充电过充或过放而起到相应的保护作用的。有保护板就能很好的保护电池本身,没有的话,一是锂电池本身容易受损,二是有安全危险,这可不是开玩笑的哦。当然,不采用保护板的,因为内阻小了,使用时间可能会长一点点,价格也便宜点,但个人觉得,还是安全第一。 二、锂电池保护板选购要点 为了保护锂电池组寿命,建议任何时候电池充电电压都不要超过3.6v,就是锂电池保护板保护电压不高于3.6v,均衡电压建议3.4v-3.5v,电池放电保护电压一般2.5v以上就可以。 充电器建议最高电压为3.5串数,自放电越大,均衡需要时间越长,自放电过大的电芯已经很难均衡,需要剔除。所以挑选锂电池保护板的时候,尽量挑选3.6v过压保护的,3.5v左右启动均衡的。 总之锂电池保护板的内阻越低越好,越低越不发热。保护板限流大小是靠康铜丝取样电阻决定的,但持续电流能力是mos决定的。 以上便是此次小编带来的“锂电池”相关内容,通过本文,希望大家对锂电池保护板的使用方法以及锂电池保护板的选购要点具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-15 关键词: 锂电池 锂电池保护板 指数

  • 替代机械按键,未来的手机何必“开孔”?

    替代机械按键,未来的手机何必“开孔”?

    “3D超声波传感技术可以作用在任何介质、任何厚度上,现今大多客户追求的是虚拟按键或数字化按键,但今后行业追求更多的将是手势识别。” 从九宫格按键到触摸屏手机,从home键到全面屏,人机交互的趋势一直是在想办法取消机械按键。除去追求真实按键手感的场景外,虚拟按键可以省却实体按键的挖孔和占据的空间,同时拥有防水、防油、防污的特性。 能够实现如此良好的人机交互体验要归功于背后的传感器技术,随着行业的发展,也为传感器提出了新的要求,UltraSense便向21ic中国电子网记者阐释了行业的趋势及其超声传感器解决方案。 超声传感器具有替代机械按键的特性 “UltraSense是一家将现有超声技术结合到触摸式人机交互界面的公司,凭借技术已形成全球首款智能型超声传感器,产品仅有2.6mm x 1.6 mm的面积和低于1mm的厚度,达到了芯片级别” ,UltraSense Systems 公司联合创始人兼首席业务官Daniel Goehl如是说。 记者查阅了UltraSense的官网得知,对应超声技术的传感器产品便是TouchPoint系列,拥有TouchPoint、TouchPoint Z、TouchPoint P三种解决方案,分别针对不同应用进行选择。 通过Daniel Goehl的介绍,依托3D超声波的TouchPoint系列产品,拥有几个特性: 其一是无机械按键、无物理开孔、贴合简单,依托如此特性使得产品设计过程中易于放置和连接,同时这种设计还能带来防水、防油、防污的特性。 其二是穿透性好,超声波能够穿透铝、不锈钢、玻璃、皮毛、皮革在内的任何介质,整体穿透厚度可达5mm左右,同时无论任何功率情况下都可获得完美的穿透效果。值得一提的是,1.2mm x 1.2mm的定位区域,使得触摸更加精准。 其三是小体积低功耗,整体面积不到一枚硬币的五分之一,是世界上最小的超声波传感器,适用于任何紧凑型设备中;<20uA/sensor的长期运行电流,适用于任何安装电池的移动设备上。 其四是可靠性高,产品不受污染物、声学干扰和电磁场影响,传感器间无串扰。另外,传统使用的电阻型传感器对温度非常敏感,TouchPoint内部则为硅裸片,硅材料对稳定敏感性好,可在任何工况下稳定工作,不惧高温和低温,甚至在烤箱内都可正常使用。 其五是换能器和ASIC电路一体化设计,内置MCU和TouchPoint算法,一个传感器就相当于一个按钮,可对上层材料分析,动态调整环境参数,得益于此开发者可减少开发调整,获得上市时间加速。另外,通过Z压力算法实现无误触。 据Daniel Goehl介绍,这家公司成立于2018年4月,专注于超声波传感领域,目前已成功获得超10个超声感知技术专利,客户包括博世、Asahi Kasei、索尼等。根据Daniel Goehl的介绍,虽然从成立时间来看公司较为年轻,但实际上团队源于原InvenSense公司,深耕超声领域15年,团队也曾创过数个业界第一。 小身材潜藏多项技术壁垒 从原理上来看,Daniel Goehl为记者介绍表示,TouchPoint一般是集成在现有标准的集成电路板或任何柔性电路板上,之后传感器上端的基层材料将会被识别,相当于也集成在电路中成为表面触控材料。 因此,使用任何粘贴方式将目标基材层与超声传感器面层粘合都可触发超声波束,超声波束根据不同材料形成不同的声阻,在人对表层材料接触和按压时,垂直的超声波束能够精准识别操作类型。 从结构上来看,TouchPoint本质上是一片SoC,片上包括嵌入式微控制器、内存、模拟前端和单硅片的超声波传感器 ASIC 组成。Daniel Goehl强调,集成所有模块的单传感器是替代机械按钮的最佳之选,使用多个这种传感器也可实现表面手势操作。 事实上,TouchPoint的最关键点正是其内部的高度集成,传统传感器方案多芯片会增加方案的复杂程度,占用更多的面积,而TouchPoint则已经完成了自我的全封闭操作。 从算法上来看,TouchPoint加入了Z压力(Z-Force)检测,手指在按压过程中会产生应力使材料形变,在此过程中加入Z压力检测能够更好感知材料表面的变化,判断触发是否是误触。Daniel Goehl为记者举例表示,假若刚好有一滴水作用在传感器,一般情况会被误认为是人手接触,因为人手组成大部分也是水,而经过Z压力反馈TouchPoint可以避开这种误触情况。 除此之外,TouchPoint还包括U-Sense™自我调节、输入检测分类器算法,这就是上文提到传感器识别基层材料的算法,通过自我调节机制传感器将动态调整各项参数,达到最佳工作状态。 虽然在通俗解释后,超声传感器似乎没有想象中拥有很高的技术壁垒,“实际上从技术复杂性来讲,研发过程远远没有业界部分人想象的那么简单”,Daniel Goehl强调,TouchPoint并不仅仅是单纯信号传导和接受的过程,产品既实现了系统级集成,也囊括了复杂的材质和厚度识别算法,实现过程中存在也拥有很多难点。 极具广阔的应用趋势 根据Daniel Goehl的介绍,今年CES2021期间,已向媒体宣布将在本月完成超声传感器的量产,并将会交付给下游客户,包括手机制造商及消费电子产商。Daniel Goehl预测,大约今年3-4月份就将会有搭载该解决方案的产品在市场浮现。 虽然UltraSense在技术底蕴上超过十余年,不过公司毕竟还是新兴公司,很多人并不熟悉,特别是国内市场。Daniel Goehl强调,UltraSense对中国市场非常熟悉,目前正在和中国市场一些智能手机厂商进行合作,大家将在2021年底或2022年初看到新产品问世。除了手机厂商外,中国细分市场包括消费电子、家电、汽车市场都在接洽之中。 受到国内厂商的簇拥和青睐这要得益于产品本身广阔的应用空间,在UltraSense与手机行业厂商接洽中得知,很多客户希望能将手势操作放置在机身背后,使得用户能够非常轻松自拍或控制手机。 除此之外,大部分主流手机厂商也正在寻求使用超声传感器的方式取代现有的电源键、音量键、AI键,还可以再手机上增设超声传感的游戏键、功能键,模拟手柄操作。“5G手机内部非常紧凑,利用超声传感器代替开孔设计的机械按键,既能帮助手机节省空间,也能使手机全身IP防护等级更好”,Daniel Goehl如是说。 “实际上,我们团队在InvenSense时便有大量的手机行业工作经验,当时我们也向行业交付了超过10亿只以上的运动传感器,所以我们非常清楚地了解到手机行业客户的需求是非常高的。” 值得一提的是,生活中随处可见的消费电子产品的机械按键都可用此方案代替,包括TWS无线耳机、智能手表、笔记本电脑、VR眼睛、电动牙刷、4K电视等一切能够想到的设备。 通过多个超声传感器的协作,用户可以获得非常精准的多种人机交互方式,正因小巧且经济实惠,所以这款产品“没有做不到只有想不到”。 而自身非常出色的稳定性,也适用于工作环境较为恶劣的车载环境,利用这种方案未来汽车驾驶的手感将会更加出色,内饰设计也会更强。 反观整个行业,很多场景下使用的传感器仍然还是传统的解决方案,这种方案的小巧简便、精准识别、节省空间、无孔设计,相信能为未来新产品带来新动能。

    时间:2021-01-14 关键词: 超声传感器 UltraSense

  • 电容器如何检测?大佬教你检测三类电容器!

    电容器如何检测?大佬教你检测三类电容器!

    检测技术在各行各业中均占据重要地位,通过检测,我们能够一定程度上保证产品质量。在本文中,小编将详细介绍电容器检测技术,主要包括三方面:1.可变电容器检测、2.电解电容器检测、3.固定电容器检测。如果你对检测技术,抑或是电容器检测具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、可变电容器的检测 A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象。 B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的。 C将万用表置于R&TImes;10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点;如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。 二、固定电容器的检测 A检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R&TImes;10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B检测10PF~0.01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R&TImes;1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。 C对于0.01μF以上的固定电容,可用万用表的R&TImes;10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 三、电解电容器的检测 A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。 C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。 D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量。 以上便是此次小编带来的“检测”相关内容,通过本文,希望大家对可变电容器检测、电解电容器检测以及固定电容器检测具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-14 关键词: 检测 电容器 指数

  • 电缆电气性能如何检测?电缆机械性能如何检测?

    电缆电气性能如何检测?电缆机械性能如何检测?

    检测技术的存在,为产品质量提供了一定保障。通过检测技术,我们可以及时发现产品中存在的问题。前文中,小编对机器视觉检测技术有所介绍。本文中,小编将对电线电缆电气性能检测以及电线电缆机械性能检测予以阐述。如果你对检测技术具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、电线电缆电气性能检测 电线电缆的电气性能占了很大一部分,其好坏直接影响到电缆的使用。主要分为直流电阻检测、电压实验和绝缘电阻检测。 1、直流电阻检测 直流电阻检测是根据电阻定律进行测试,即R=ρL/S,其中ρ为电阻率,L为导体的长度,S为导体截面积。 测试方法:测量直流电阻采用单臂直流电桥或双臂直流电桥。测量范围:双臂电桥测1Ω及以下,单臂或双臂电桥测1Ω~99.9Ω,单臂电桥测100Ω以下。 20℃标准直流电阻的换算:R20=1000Rx/[1+α(t-20]L,其中R20为20℃/km的直流电阻,Rx为实测值,α为电阻温度系数,L为试样的测量长度。在进行电阻测试时需要注意以下事项:测试环境的温度变化不大于±1℃,测试环境温度时温度计离地面至少1m,且离试样不超过1m,测量时电流密度的适当选择,一般铝芯不大于0.5A/mm²,铜芯不大于1A/mm²。 2、电压实验 电线电缆的的绝缘强度取决于其绝缘结构与绝缘材料承受电场作用而不发生击穿破坏的能力。为保证电线电缆的安全工作,一般要进行电压实验。电压实验:在特定条件下对产品施加一定的电压,在一定测试时间是否发生电击穿为判断试样是否符合标准。实验时的电压和时间,可根据不同的产品进行选择。在做电压实验时,需要注意的是,实验区有金属接地护栏,有完整的应急防护措施,试验区内有接地极,接地电阻应小于4Ω。 3、绝缘电阻检测 绝缘电阻是电线电缆产品绝缘特性的重要指标,它反应了产品承受电击穿或热击穿的能力,同时也反应了绝缘材料在工作状态下的耐损耗的能力。我们常说的绝缘电阻是指绝缘上所施加的直流电压U与泄漏电流Ig的比值,即Ri=U/Ig,比较常用的测试方法主要有:直流比较法和电压电流法。在试验中可选择ZC-90型绝缘电阻测试仪等试验设备,其试样有效长度、试验环境和试验电压应按相关标准执行。最终试验结果的计算:RL=RX·L,其中RL为每千米长度绝缘电阻,RX为试样绝缘电阻,L为试样有效测量长度。 二、电线电缆机械性能检测 电线电缆根据生产、运输和使用的要求,应具有一定的机械性能,主要有机械强度试验、弯曲性能试验、扭曲性能试验和卷曲性能试验。 1、机械强度试验 电缆抵抗外力的作用而不被破坏的能力叫作机械强度。机械强度要求主要是抗拉强度和伸长率。具体的检测方法根据抗拉强度公式:δ=Fm/S和断裂伸长率公式:γ=(L1-L0)/L0×100%。电缆常做机械强度试验有:铜丝、铝丝的强度与伸率,绝缘、护套材料老化前后的强度与伸率。 2、弯曲性能试验 电线电缆在生产和使用过程中受到的弯曲应力,将直接影响到产品的质量和寿命。弯曲性能的好坏,取决于产品的弯曲次数,即材料试样在弯曲试验机上连续、均匀、反复弯曲,直到折断的前一次的总次数。 3、扭曲性能试验 扭转试验是确定金属线材在扭转作用下的塑性变形和判断金属组织是否均匀和有缺陷的重要手段。扭曲试验可根据断裂前的扭转次数来判断线材是否满足使用要求。 4、卷绕性能实验 电线电缆产品标准中规定金属线材应具有良好的卷绕性能。卷绕试验方法就是将试件围绕规定直径的试棒卷绕规定的圈数,观察其表面的变化。 以上便是此次小编带来的“检测”相关内容,通过本文,希望大家对电线电缆电气性能检测以及电线电缆机械性能检测具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-14 关键词: 检测 电缆 指数

  • 你知道机器视觉检测技术吗?机器视觉检测技术有哪些分类?

    你知道机器视觉检测技术吗?机器视觉检测技术有哪些分类?

    检测是一个不可绕过的话题,只要存在产品,就存在检测环节。往期文章中,小编对红外检测、CCD检测技术等均有所介绍。为增进大家对检测的认识,本文将对机器视觉检测技术加以阐述,主要内容在于讲述机器视觉检测技术的分类。此外,文章中还将提及机器视觉技术的应用实例。如果你对检测技术具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、机器视觉检测技术分类 为了适应现今这个发展越来越快的社会,机器视觉检测技术是必不可少的。在一些不合适人类工作的环境场所机器视觉就可以代替人类进行。机器视觉检测技术分类: (1)一般来说,机器视觉检测技术依照检测功用可区别:定位、缺点检测、计数/遗失检测、尺度丈量。 (2)机器视觉检测技术依照其装置的载体可分为:在线检测体系和离线检测体系。 (3)依照检测技能区别,一般有立体视觉检测技能、斑驳检测技能、尺度丈量技能、OCR技能等。 机器视觉检测技术在于消除瑕疵,含糊,碎屑或凹陷等商品缺点,以保证商品的功用和性能至关重要。因而现已被广泛用于各大职业的商品缺点检测、尺度检测中。 如使用视觉体系能进行商品多种项目的检测,用视觉体系检测电子部件的缺点或偏移的针脚,用视觉体系丈量注射器部件形状或区别颜色来进行检查错误安装等。 机器视觉检测技术在交通职业的车牌辨认和流量检测、药品职业的包装检测、饮料职业的容量检测和外包装检测、烟草职业的烟标检测和外包装检测、汽车职业的安装检测、打印职业的打印质量检测、纺织职业的布疋瑕疵检测、五金职业的螺丝钉检测、运输职业的货品分拣、食品职业的生果分拣、电子职业的焊接检测和安装定位、钢铁职业的钢板外表缺点检测、智能读表、智能抄表等都有应用。 机器视觉检测技术根据机器视觉图画处置技能之视觉检测技能,对商品全体进行自动检测,关于控制商品品质保障商品质量有着非常重要的效果,能够避免不合格商品的外流,然后进步公司的核心竞争力。公司取得的不仅仅是社会效益,其机器视觉检测技术现已为众多公司带来了实质性的经济效益。 二、机器视觉技术应用实例 机器视觉系统在质量检测的各个方面得到了广泛的应用,例如:采用激光扫描与CCD探测系统的大型工件平行度、垂直度测量仪,它以稳定的准直激光束为测量基线,配以回转轴系,旋转五角标棱镜扫出互相平行或垂直的基准平面,将其与被测大型工件的各面进行比较。在加工或安装大型工件时,可用该认错器测量面间的平行度及垂直度。 以频闪光作为照明光源,利用面阵和线阵CCD作为螺纹钢外形轮廓尺寸的探测器件,实现热轧螺纹钢几何参数在线测量的动态检测系统。 视觉技术实时监控轴承的负载和温度变化,消除过载和过热的危险。将传统上通过测量滚珠表面保证加工质量和安全操作的被动式测量变为主动式监控。 用微波作为信号源,根据微波发生器发出不同波特率的方波,测量金属表面的裂纹,微波的波的频率越高,可测的裂纹越狭小。 总之,类似的实用系统还有许多,这里就不一一概述了。 以上便是此次小编带来的“检测”相关内容,通过本文,希望大家对机器视觉检测技术的分类以及机器视觉技术的实际应用案例具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-14 关键词: 检测 机器视觉 指数

  • 想实现FPGA低功耗设计?先好好了解下FPGA功耗

    想实现FPGA低功耗设计?先好好了解下FPGA功耗

    功耗是我们关注的设计焦点之一,优秀的器件设计往往具备低功耗特点。在前两篇文章中,小编对基于Freez技术的低功耗设计以及FPGA低功耗设计有所介绍。为增进大家对低功耗的了解,以及方便大家更好的实现低功耗设计,本文将对FPGA具备的功耗加以详细阐述。如果你对低功耗具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 FPGA器件的一个比较特别的现象是其上电瞬间的电流比较大,有的时候甚至大于芯片正常工作的电流,这是因为FPGA内部的逻辑和互连线资源(SRAM工艺)在上电的瞬间处于不确定状态,发生电流冲突的结果。 如果用户在设计的时候没有考虑到这个上电瞬间的打电流,电源模块不能够提供这么大的电流,芯片在上电过程中就会出现上电曲线不单调的问题,导致器件上电失败,以至于芯片无法正常工作。一般在器件手册中会给出这个上电电流值。 FPGA在正常工作中,其消耗的总功耗由器件的静态功耗、动态功耗和IO功耗构成。静态功耗也叫待机功耗(standbypower),是芯片处于上电状态,但是内部电路没有工作(也就是内部电路没有翻转)时消耗的功耗;而所谓动态功耗是指由于内部电路翻转所消耗的功耗;IO功耗是IO翻转时,对外部负载电容进行充放电所消耗的功耗。 如下式: 总功耗=静态功耗+动态功耗+IO功耗 芯片的静态功耗是芯片处于待机状态下所消耗的功耗,它主要由芯片内部的漏电流产生。在高速的40nm器件中(如straticIV),芯片的漏电流相对来说较大,因此静态功耗成为主要的电源功耗,也叫漏电功耗(leakagepower)。 静态功耗有一个显著的特点,就是它随着器件结温(junctiontemperature,TJ)的变化而变化较大。TJ越大,功耗越大;TJ越小,功耗越小,如下图所示。因此,控制芯片的结温可以有效的控制芯片的静态功耗。 FPGA设计的总功耗包括静态功耗和动态功耗两个部分。其中,静态功耗是指逻辑门没有开关活动时的功率消耗,主要由泄漏电流造成的,随温度和工艺的不同而不同。静态功耗主要取决于所选的FPGA产品。 动态功耗是指逻辑门开关活动时的功率消耗,在这段时间内,电路的输入输出电容完成充电和放电,形成瞬间的轨到地的直通通路。与静态功耗相比,通常有许多方法可降低动态功耗。 采用正确的结构对于设计是非常重要的,最新的FPGA是90nm的1.2 V器件,与先前产品相比可降低静态和动态功耗,且FPGA制造商采用不同的设计技术进一步降低了功耗,平衡了成本和性能。这些90nm器件都改变了门和扩散长度,优化了所需晶体管的开关速率,采用低K值电介质工艺,不仅提高了性能还降低了寄生电容。结构的改变,如增强的逻辑单元内部互连,可实现更强大的功能,而无需更多的功耗。StraTIx II更大的改变是采用了六输入查找表(LUT)架构,能够通过更有效的资源利用,实现更快速、低功耗的设计。 除常规的可重配置逻辑外,FPGA正不断集成更多的专用电路。最先进的PLD就集成了专门的乘法器、DSP模块、可变容量RAM模块以及闪存等,这些专用电路为FPGA提供了更加高效的功能。总体上看,采用这些模块节约了常规逻辑资源并增加了系统执行的速度,同时可以减少系统功耗。因此更高的逻辑效率也意味着能够实现更小的器件设计,并进一步降低静态功耗和系统成本。 不同供应商所提供的IP内核对于低功耗所起的作用各有侧重。选择正确的内核对高效设计至关重要,有的产品将注意力集中在空间、性能和功耗的平衡上。某些供应商提供的IP内核具有多种配置(如Altera的Nios II嵌入式处理器内核采用快速、标准和经济等三种版本),用户可根据自己的设计进行选择。例如,如果一个处理器在同一个存储分区中进行多个不同调用,则采用带板载缓存的Nios II/f就比从片外存储器访问数据的解决方案节约更多功耗。 如果用户能够从多种I/O标准中进行选择,则低压和无端接(non-terminated)标准通常利于降低功耗,任何电压的降低都会对功耗产生平方的效果。静态功耗对于接口标准特别重要,当I/O缓冲器驱动一个高电平信号时,该I/O为外部端接电阻提供电压源;而当其驱动低电平信号时,芯片所消耗的功率则来自外部电压。差分I/O标准(如典型值为350 mV的低开关电压LVDS)可提供更低的功耗、更佳的噪声边缘、更小的电磁干扰以及更佳的整体性能。 以上便是此次小编带来的“功耗”相关内容,通过本文,希望大家对FPGA功耗具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-13 关键词: FPGA 功耗 指数

  • 痴迷于低功耗设计?基于Freeze技术的低功耗设计

    痴迷于低功耗设计?基于Freeze技术的低功耗设计

    低功耗设计的实现是我们关注的焦点,现代企业越来越注重低功耗。因为,低功耗往往能为器件带来更好的性能。在前文中,小编对FPGA低功耗设计有所阐述。为增进大家对低功耗的认识,本文将对基于Freeze技术的低功耗设计予以介绍。如果你对低功耗设计具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 由于更严格的功耗限制、规范和标准要求,系统设计师现在比什么时候都关注功耗问题。对于下一代的设计,功耗预算通常得到稳定的控制,或者降低,但却增加了更多的特性和处理能力需求。通常,尽管产品特性和性能需求不断增加,功耗预算还是很紧张,功能和性能的增加与降低功耗的目的是相矛盾的。摩尔定律效应缩小了工艺的尺寸加大了功耗问题,而且由于高的晶体管泄漏增加了静态功耗。 如数码相机、无线手持设备、智能电话和多媒体播放器这些电池供电应用的增长,推动了对低功耗半导体器件的需求。这种需求的爆发性增长加之对节能的不断提高的要求,特别是与电池寿命相关的节能要求,导致对低功耗半导体技术的全球性需求。其结果是,半导体设计师开始研究如何在不增加系统的功率条件下,不断地提高性能、降低成本并延长电池的寿命。 需要低功耗的半导体技术的应用可以是电池供电的电器、具有可靠性考虑的热敏感应用,或者具有严格功率预算以及冷却方法受限的交流电供电应用。需要低功耗解决方案的应用包括从便携式电子产品到工业测试和测量设备,以及可移动的医疗电子设备和汽车应用以及军用和航空应用。 对于这些应用,可以使系统快速进入和退出低功耗模式,最终获得最低的功耗和很长的系统空闲时间。其它的考虑包括设计安全性、原型建立、外形尺寸、设计复用以及现场可升级能力。 传统上,专用集成电路(ASIC)和复杂的可编程逻辑器件(CPLD)解决了便携式市场的需求。然而,当今某些低功耗应用中所使用的CPLD开始失去其魅力,这主要因为对更高端特性的需求增加、需要额外的逻辑以及相对较高成本导致。由于产品面市时间更长,并且在满足不断变化的标准以及后期的设计修改上缺乏足够的灵活性,使用ASIC的风险变得更高,常常对于某些便携式应用来说并不适用,这些应用的市场动态改变导致更倾向于采用低功耗的PLD和FPGA。 这样一来,随着终端产品寿命缩短、竞争加剧以及产品上市时间对产品的成功有极大的影响,可编程的半导体平台成为首先的解决方案。使用可编程解决方案是最容易的,且最快上市、获利的。然而,这些可编程平台还应该满足所有其它的设计要求,例如成本、功能和性能、尺寸、安全性,以及必然的功率问题。市场研究公司iSuppli预测,20亿美元的ASIC市场可能有3亿美元的分额转移到低功耗现场可编程门阵列(FPGA)解决方案。 可编程、全功能的FPGA,例如基于闪存的Actel IGLOO系列能满足便携式应用市场的短产品寿命周期和激烈的竞争问题。这些器件能满足便携式应用设计需求,例如以ASIC水平的单位成本实现最高的设计安全性、小的产品尺寸、上电即用(LAPU)、短的产品上市时间,使之成为ASIC和CPLD最具吸引力的替代产品。可编程单芯片系列的静态功耗仅仅5?W,与其最接近的竞争产品相比较,静态功耗降低4倍,与领先的可编程逻辑器件相比,便携式应用可以实现超过5倍的电池寿命,为低功耗设定了新的标杆。 为实现这样的低功耗,同时保持FPGA内容,该系列采用了Flash*Freeze技术,允许器件进入和退出超低功耗模式。 IGLOO器件不需要额的元件就能关断I/O或时钟,同时保持设计信息、SRAM内容和寄存器。Flash*Freeze技术与在系统可编程特性相结合,允许用户在制造后期或应用中很快、轻易地升级和更新设计。支持1.2V内核电压还可以进一步降低功耗,从而获得最低的总系统功耗。 Flash*Freeze技术允许用户让所有连接到该器件的电源、I/O和时钟处于正常的工作状态。当器件进入Flash*Freeze模式时,器件将自动地关断时钟以及到FPGA内核的输入;当器件退出Flash*Freeze模式时,所有的活动都将恢复,数据得到保留。这种低功耗特性加之可编程特性、单芯片、单电压和小的尺寸,使得IGLOO器件最适合便携式电子产品。 通过很多种方法来进行设计以使可用功率最大化,可以使用其它的低功耗模式。低功耗激活功能(静态空闲)允许器件在系统中通过保持I/O、SRAM和寄存器以及逻辑功能的条件下,完全正常执行功能的同时,保持超低的功耗。这样就允许器件根据外部输入来管理系统功耗(即扫描键盘激励),而功耗最低。或者,在睡眠模式下,在FPGA内核电压关断时,更大的设备可以实现最大的功耗节省。这种基于闪存的解决方案的上电可用的独特特性,可以使系统从睡眠模式下快速地唤醒。 而且,像数码相机、智能手机和MP3播放器这样的手持设备通常都采用高端的嵌入式处理器。这些嵌入式处理器需要与一种或几种常用的存储接口一起工作,例如IDE、CE-ATA、SDIO或CF。因此,迫切需要有效的存储器接口管理,将处理器负责的这些任务卸载到低功耗的可编程FPGA上。这些器件可以很容易地管理VLIO或AMBA总线与不同类的存储器之间的接口。 以上便是此次小编带来的“功耗”相关内容,通过本文,希望大家对基于Freeze技术的低功耗设计具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-13 关键词: 低功耗 功耗 指数

  • 如何优化FPGA功耗?低功耗FPGA的设计与实现

    如何优化FPGA功耗?低功耗FPGA的设计与实现

    功耗是所有设计中必须要考虑的事项,对于功耗,我们应当慎之又慎。在往期文章中,DAC功耗数据等内容有所阐述。为增进大家对功耗的认识程度,本文将介绍优化FPGA功耗的设计和实现。如果你对功耗相关内容具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 为设计寻找“完美”FPGA 的重要性日渐升级,其中功耗已成为主要考虑因素。功耗管理在大部分应用中都非常关键。某些标准已为单卡或者单个系统设定了功耗上限。鉴于此,设计人员必须在设计过程中更早地对功耗问题加以考虑,一般来说应该从选择 FPGA 开始。 减少 FPGA 的功耗可以降低供电电压,简化电源设计和散热管理,降低对电源分配面的要求,从而简化电路板设计。低功耗还可以延长电池寿命,提高系统的可靠性(运行温度较低的系统寿命更长)。 功耗挑战 伴随每一代工艺技术的问世,晶体管的尺寸可依照摩尔定律不断缩小。但这种现象也会带来副作用,即每个晶体管内的漏电流会增大,进而导致静态功耗增大(未工作状态下 FPGA 消耗的总电流增大)。FPGA 性能的提升会提高时钟速率,使动态功耗上升。静态功耗是晶体管漏电流造成的,动态功耗则取决于可编程逻辑和 I/O 的开关频率。由于每一代 FPGA 的容量都在增大,会使两种功耗不断增加。更高的逻辑容量意味着每个器件会有更多漏电流和更多在更高速度下运行的晶体管。 鉴于这些问题的存在,设计人员必须在设计过程中尽早对电源和热管理问题有更加清楚的认识。给器件加上散热器并不足以解决这些问题。因此设计人员必须尽量减少设计中的逻辑用量。 首先来看几点指南,有助于理解在设计过程各个阶段应采取何种措施来降低FPGA的功耗。很明显,在设计过程的初期彻底理解这些问题能带来最大的收益。 图 1 说明了包括 FPGA 选择以及低功耗设计技巧在内的贯穿整个设计过程的不同设计点 系列工艺技术 在选择 FPGA 的过程中, 应谨慎考虑工艺技术,它能帮助用户判断器件的漏电流和性能。赛灵思 7 系列FPGA 采用 28 HPL (28nm 高性能低功耗)工艺,在提高性能的同时可显著降低功耗(见第 41 期《赛灵思中国通讯》的封面故事)。选择采用低漏电流的 HPL 工艺制造的器件,可以避免在FPGA 设计中使用复杂且成本高昂的静态功耗管理方案。 尽管 28 HP 工艺 FPGA 的性能并没有超越 7 系列的其它 FPGA,但其静态功耗还不到竞争对手 FPGA 静态功耗的一半,而且不会造成严重的漏电流问题。图 2 显示了 7 系列产品的全面降耗情况,整体功耗仅为上一代40nmFPGA 器件的一半。 设计人员可以在开发阶段选择较大的 FPGA,然后在生产过程中选择较小的 FPGA。选择较小的 FPGA 不仅可以降低成本,还能降低系统功耗。 所有 7 系列 FPGA 均采用统一的架构。这种统一架构便于在赛灵思 7 系列的不同 FPGA 器件之间方便地进行向上或向下迁移。如果需要从 Virtex®-6 或者 Spartan®-6 器件迁移至7 系列器件或者在 7 系列器件之间迁移,请参阅“7系列用户指南”(UG429)。 赛灵思堆叠硅片互联技术 对较大的系统来说,设计人员一般会选择多个 FPGA。这种架构往往需要在各个 FPGA 之间高速传输数据,这是一项复杂、困难的工作。选择采用赛灵思堆叠硅片互联技术制造的大型 7 系列 FPGA,比如 XC7V1500T 和XC7V2000T 器件,就可以避免这个问题。简单地说,堆叠硅片互联技术就是将多片芯片布置在具有成千上万连接关系的插入式结构中,用以制造统一的大型器件。堆叠硅片互联技术的优势之一在于,与采用标准单片电路的类似尺寸的器件相比,可显著降低静态功耗。 堆叠硅片互联技术 (SSI) 还能大幅度降低 I/O 互联功耗。与在电路板上布置多块 FPGA 的方法相比,SSI 技术有很大的优势,其 I/O 互联功耗比采用 I/O 和收发器构建的等效接口低 100 倍(带宽/W)。功耗大幅下降是因为所有连接都构建在芯片上,无需功耗将信号驱动到片外,这样可实现难以置信的高速度和低功耗。 电压扩展增强选项 赛灵思 7 系列 FPGA 提供重要的电压扩展选项。 7 系列 FPGA 为 -3L 和 -2L 器件提供扩展 (E) 温度范围(0-100 摄氏度)。由于 28 HPL 工艺提供的余量,-2LE 器件可在 1v 或 0.9v 下运行。这些器件被分别命名为 -2L (1.0V) 和 -2L(0.9V)。运行在 1.0V 下的 -2L 器件的速度性能与 -2I 和 -2C 器件相当,但静态功耗显著降低。运行在 0.9V 的 -2L 器件性能与 -1I和 -1C 器件相似,但静态和动态功耗都有所下降。 仅仅将这些器件的电压降低到0.9V 就可降低静态功耗约 30%。降低电压也会降低性能,但赛灵思根据速度和更加严格的漏电流规格对这些 -2L(0.9V) 器件进行筛选。这种筛选方法能够使器件在最劣工艺条件下的功耗比标准速度等级器件的功耗降低 55%。 选择 -2L 器件,用户还能进一步降低动态功耗。由于动态功耗与 VCCINT2成正比,VCCINT下降 10% 可带来功耗20% 的降幅。 功耗估算工具 今天的市场上有丰富的工具可供设计人员选择,用以在整个开发过程中评估 FPGA 设计的散热和电源要求。图 3是FPGA 开发过程中每个阶段可供使用的赛灵思工具。 为降低功耗,用户必须尽一切可能减少设计中使用的逻辑数量。首先是使用专用的硬件模块,而不是在 CLB 中实现相同的逻辑。 在设计初期,XPower EsTImator(XPE) 电子数据表能够在初步设计和实施之前对功耗进行早期估测。XPE 可用于架构评估和器件选择,帮助确定应用所需的合适的电源和散热管理组件。 PlanAheadTM 软件则用于估测设计电源在 RTL 级的分配情况。设计人员可以使用约束条件或者 GUI 来设定器件的运行环境、I/O 属性和默认活跃度。PlanAhead 软件随即读取 HDL 代码,估算所需的设计资源,并对每种资源的运行状态进行统计分析,得出功耗估算报告。由于能够掌握有关设计意图的更加详细的信息,因此 RTL功耗估计器的准确性优于 XPE 电子数据表,但不及Xpower Analyzer 得出的后期布局布线分析结果准确。 Xpower Analyzer (XPA) 是一种专门用于分析布局布线设计功耗的工具。它采用全面综合的GUI,可以对特定运行条件下的功耗和发热量信息进行详尽的分析。 用户可以在两种不同视图间切换,用以确认各种类型模块(时钟树、逻辑、信号、IO 模块、 BRAM 等硬 IP核或 DSP 模块)的功耗或设计层级功耗。两种视图都能让用户进行详细的功耗分析。并为确定设计中最耗电的模块或部件提供了一种非常有效的方法,从而简化了功耗优化工作。 以上便是此次小编带来的“功耗”相关内容,通过本文,希望大家对低功耗FPGA的设计与实现具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2021-01-13 关键词: FPGA 功耗 指数

  • 兆易创新:国产替代只是一个现象,不是公司经营的目的

    兆易创新:国产替代只是一个现象,不是公司经营的目的

    在2021年伊始,21ic专门采访了兆易创新CEO、传感器事业部总经理程泰毅先生,邀请他和我们一起回顾2020与展望2021。 程泰毅,兆易创新CEO、传感器事业部总经理 1. 受新冠疫情和国际形势双生影响,2020年对整个世界来说都是不平凡的一年,同时也是机遇与考验并存的一年。对此,您如何看待整个⾏业的发展现状和未来趋势?贵公司⼜是如何把握机遇、直⾯挑战的? 今年突发的疫情给各行各业都造成了不小的影响,半导体行业也受到波及,例如供应链的“断链”风险,原材料的价格震荡,交期周期拉长,终端需求锐减等等。但是作为科技基础领域的半导体行业,在当下人工智能、物联网、5G等新兴科技的加速推动下,仍然会保持增长的势头。 对于兆易创新而言,尽管后疫情时代依然存在着诸多不确定性,但我们也看到了其中隐藏着的诸多机遇。我们一直相信:科学技术是第一生产力,疫情带来的生产力下降等问题将通过技术的发展来破解。目前,兆易创新也在进行积极的布局,不断提高产品在汽车电子、工业、通信、智能手机、消费电子等应用领域的覆盖面和渗透率,同时让产品线保持全面的发展,为未来不断涌现的新应用、新机遇做好准备。 2. 2020年,5G开始走向大规模商用,随着5G基站的进一步部署,5G网络的覆盖越来越广,这将给行业带来哪些机遇?贵公司如何看待? 5G的规模化会像高速带动经济的发展一样带动上层的应用进行发展和普及,例如物联网应用,智慧城市,VR/AR应用,自动驾驶,云计算等。这些领域都需要建立在半导体行业所提供的解决方案和产品设备上。随着计算架构越来越开放,这也激发着硬件进行创新,令芯片从通用化向专用化的方向发展。同时,内核性能的提升必然也要求终端在传输、存储、传感设备上进行更新换代,以适应高数据流量、快速传输的需求,这也会带来巨大的市场增长空间。 兆易创新立足存储,同时布局控制器和传感器,致力于构建完善的半导体生态系统。存储技术是我们一直深耕的领域,同时我们也在加速提升在控制器、传感器领域的技术能力,补足公司在信号、处理、算法和人机交互方面的技术和相关技术产品转化的能力,进一步提升现有芯片产品技术性能,完善和丰富我们的产品线。 3. 从5nm-3nm-2nm,时下的芯片生产技术正走极限,摩尔定律延续面临挑战,贵公司如何看待?贵公司看好哪些新技术或新材料或新工艺,以便延续摩尔定律发展? 回顾科技产业过去的半个多世纪,摩尔定律指引着信息技术产业的发展,推动电子设备在性能和种类上不断实现指数级增长;梅特卡夫定律预言了互联网公司的繁荣,见证了个人PC、平板、手机等各种移动设备,依托互联网平台+社群的指数级增长,联通了世界的每个角落。随着未来AI、5G、物联网、云计算、区块链、量子计算等科技不断取得突破,我们可能会遇到第三次指数级增长的机会:万物互联与5G、VR/AR、人工智能相结合,带来指数级的商业创新势能,颠覆生活、学习、工作、娱乐的方方面面。 面对未来如此庞大的市场机遇,仅凭一家公司,或者一个领域,是不能完全撬动整个市场和生态的。兆易创新希望凭借自身的领先技术和产品以及多年的领域深耕,通过全球化的合作、全球化的IP、全球化的工具、全球化的供应链,投身到下一次的科技创新浪潮中,成为时代的见证者和参与者。 4. 地缘政治摩擦加速了中国半导体产业的自主化发展,国产替代是2020年绕不开的话题,贵公司是否有参与其中?  国产替代其实是一个现象,而不是每个公司经营的一个目的。其实不管是全球性的公司,还是本土的公司,所有公司的目标都是在自己所专注的领域、专注的赛道里面,去把技术、能力、产品提升到国际范围内的一线水平,这样才能开拓更多国际一线客户、国际一线供应商、国际一线合作伙伴……不断良性循环,把整个产品做到最好。 半导体行业归根结底是一个非常全球化的行业。国产替代只是说今年本土的公司出现的比较多,出现了这样的一个现象,所以大家有了这样的一个说法。但其实所有的公司最主要的目的还是把我们的产品做好、做强。 放眼未来,兆易创新将继续以“产品+生态”的组合为用户提供完善的支持服务,不仅会提高产品的种类,拓展应用的场景和领域,还会联合全球合作伙伴提供各种设计所需的开发板卡、软硬件工具、中间件、视频培训教程等资源,并搭建全方位的人才培养体系,在技术创新和生态深耕方面持续发力。 5. 在2020年贵公司有哪些产品和技术您认为可以称得上是对该应用或技术领域有明显提升或颠覆性的贡献?请您分享。 2020年兆易创新推出了多款创新型产品,不管是在工艺制程或是性能方面都有大的突破,以荣获2020“中国芯”最重磅的“重大创新突破奖”的产品GD55LB02GE系列为例。近年来AI、5G、物联网、工业及车载应用蓬勃发展,各类应用对XIP的需求越来越大,并随着应用的扩展,代码复杂性显著加大,因此大容量、高性能、高可靠的NOR Flash成为业界广泛诉求。兆易创新是国内市场上首家推出2Gb大容量高性能SPI NOR Flash的企业,该系列产品能够凭借自身超大容量、高速读取性能与高可靠性等优势,在上述领域大放异彩。 6. 能否介绍下贵公司在中国市场的发展情况?2020年中国市场有哪些突出表现?2021年针对中国市场又有哪些规划和布局?  兆易创新立足存储,同时布局控制器和传感器,致力于构建完善的半导体生态系统。今年,这三条产品线均稳步发力,有出色的表现。其中,我们率先推出了超大容量、高速读取、高性能的SPI NOR Flash,以及全国产化的24nm SLC NAND flash;微控制器方面,我们推出了Arm® Cortex®-M33内核的MCU,全面助力光模块产业链的国产化需求。传感器方面,我们主要方向包括超声、光学、电容等方向,已经推出了大面积指纹识别等新品,未来希望把这些创新产品广泛推向市场。 可以看到,目前我们的三个产品线在Edge端的计算系统里面,从传感器的信号处理、提取,到信息的传输和存储,这样整个一个系统构成了Edge端一个核心的系统。所以我们主要是围绕Edge端AIoT这样核心器件去建一个完整的生态系统,可以为客户提供系统里面通用的器件,以及针对一些特定场景优化的、芯片级的解决方案。

    时间:2021-01-12 关键词: MCU 兆易创新

  • 新基建应用的“法宝“:未来LoRa芯片供应将实现多元化

    新基建应用的“法宝“:未来LoRa芯片供应将实现多元化

    在2021年伊始,21ic专门采访了Semtech中国区销售副总裁黄旭东先生,邀请他和我们一起回顾2020与展望2021。 黄旭东,Semtech中国区销售副总裁 黄旭东先生是Semtech负责中国区销售的副总裁,拥有28年的半导体行业从业经验。黄先生在Semtech已任职超过十年,担任过一系列领导职务,其最近的职务是无线和传感产品事业部市场和应用副总裁。在该职位上,黄先生对LoRa技术的成长发展起到了关键作用,并且与中国区的客户和技术合作伙伴紧密合作,推动了LoRa技术的采用。在Semtech之前,黄先生曾在Intersil和Elantec担任领导职务。 1. 受新冠疫情和国际形势双生影响,2020年对整个世界来说都是不平凡的一年,同时也是机遇与考验并存的一年。对此,您如何看待整个⾏业的发展现状和未来趋势?贵公司⼜是如何把握机遇、直⾯挑战的? Semtech回答:2020年的确是不平凡的一年,新冠肺炎疫情爆发以及国际科技贸易形势的风云变幻带来了巨大的挑战,但同时也带来了一些新的机遇。疫情改变了人们的办公、学习和生活方式,而物联网技术在其中扮演着重要角色,不仅用科技手段抗击疫情,而且解决了各种问题,为社会带来效率和便利。 LoRa作为一种成熟的物联网技术,在疫情管理中得到了广泛应用。例如,Semtech与腾讯云、阿里云合作推出基于LoRa的智能门磁监控设备等,为国内的疫情防控提供了可靠和有力的支撑;成都博高采用LoRa技术推出了智能输液管理和智慧医疗设备管理方案,为医疗行业提供诸多便利。 展望未来,全球各地都将继续推进疫情的进一步防控与经济社会发展相互协同,因而诸如物联网、5G、智能化等技术将在其中扮演更重要的角色。例如,中国政府目前在不断推进“新基建”,而物联网作为“新基建”的重要组成部分,必将在其中大显身手。LoRa凭借其自组、安全和可控的特性,完全适用于这些领域,并可以给用户快速带来投资回报和更多更好的技术支持与服务。 2. 在2020年贵公司有哪些产品和技术您认为可以称得上是对该应用活技术领域有明显提升或颠覆性的贡献?请您分享。 Semtech回答:作为全球领先的模拟混合信号半导体产品和方案供应商,Semtech在2020年继续保持了不断的创新,为物联网、智能终端、5G、数据中心、智能汽车、专业音视频等应用推出了多款新的芯片产品,从而在多个领域内继续保持了增长;我们的LoRa技术发挥了其“自组、安全、可控”的特性,成为了物联网抗疫和恢复经济发展的首选方案之一。 在物联网技术快速发展的今天,无论是从宏观的大数据分析,还是微观层面上许多行业的商业模式创新,都需要在物联网实时数据中打上空间和时间的印记,即位置信息和时间标记,同时还需要确保数据的安全性和可靠性。物联网定位应用是一块非常大的市场,同时需要作为物联网底层技术提供方的芯片厂商不断创新。 Semtech很早就看到了这个发展趋势并做出相应的布局,其在2020年推出的LoRa Edge™ LR1110通信与定位产品平台就是这种前瞻性布局的结果。LoRa Edge产品组合是一个基于LoRa®的低功耗平台,可以软件设置定义。LoRa Edge将为室内和室外资产管理提供广泛的应用组合,其目标应用市场包括工业、楼宇、家居、农业、交通运输和物流等领域。 该产品系列的第一款产品LR1110是一套地理定位解决方案,是一款可为资产管理应用带来革命性变革的物联网器件,其特色是低功耗Wi-Fi和GNSS扫描功能,结合简单易用且经济高效的LoRa Cloud™地理定位以及设备管理服务,可显著降低采用物联网来定位和监测资产的成本和复杂性。 此前的物联网定位解决方案基本上是采用不同的芯片和元件来实现不同的功能,如GPS、Wi-Fi和安全芯片等,这种解决方案需要大量的“连接电路”,从而增加了成本、功耗和设计复杂性。此外,GPS设备固有的高功耗特性迫使客户频繁地更换电池,这是一项成本高昂且艰巨的操作。而LoRa Edge地理定位平台克服了这些问题,可以同时实现精准定位和低功耗。 由于不再需要添加单独的GNSS和Wi-Fi器件,LoRa Edge降低了设备的物料清单成本,并显著降低了设计和采购复杂性。通过添加LoRa Cloud地理定位服务,以及提供简单易用且经济高效的到达时间差(TDOA)数据、GNSS和基于Wi-Fi的云位置计算功能,进而大幅减少了设备的功耗需求,并提高了资产管理效率。在芯片制造时配置的一流密钥和安全连接添加流程,进一步简化了物联网解决方案的开发,恰如其分地满足了客户对安全性的严格要求。 3. 受到疫情等多重因素影响,多类半导体器件在2020年末出现货源短缺的现象。作为分销商的角度而言,2021年是否有面临货源压力? Semtech回答:Semtech作为一家全球性的半导体公司,我们分布在世界各地的资源将保障我们芯片的供应。Semtech的产品研发和知识产权主要在瑞士,还有一些在法国、加拿大,我们有着通畅的渠道和充足的货源供应。在中国使用的LoRa芯片是在瑞士研发和供应,此外,我们已经在欧洲和中国授权了两家芯片技术合作伙伴来生产LoRa芯片产品,这使得LoRa芯片供应实现了多元化,在中国运营的LoRa网络可得到极为可靠和稳定的芯片保证。 4. 能否介绍下贵公司在中国市场的发展情况?2020年中国市场有哪些突出表现?2021年针对中国市场又有哪些规划和布局? Semtech回答:作为一家已有60年发展历史的全球领先半导体企业,Semtech在中国市场上已经建立了完整的产业生态,不仅与领先的中国厂商建立广泛而深入的合作伙伴关系,同时还长期支持中国的许多创新者根据中国市场特性开发可以满足其客户需求的终端和系统产品。 我们全球领先的LoRa技术、电路保护产品、光通信技术与解决方案等在中国得到了广泛的应用,这些创新的技术和产品帮助中国合作伙伴和客户在智能物联(如智慧农业、智能家居、智能建筑和智慧物流……)、新一代智能终端、5G系统、云设备与服务器、智能汽车、高质量视频图像分发等许多领域取得了巨大的成功。我们的LoRa技术在包括中国在内的全球市场上占据了重要地位并保持了持续的增长。 展望2021和未来,Semtech将继续通过自己的不断创新来支持中国伙伴和客户在其应用领域开发世界级的创新,从而取得共同的成功。随着中国“新基建”部署的落实,可以支持其中主要应用的LoRa将在中国市场继续保持稳健的增长。 在众多物联网应用中,地理定位是最为强大、发展势头最为迅猛的细分领域之一。面对巨大的定位市场,Semtech今年推出了LoRa Edge低功耗通信与定位一体化平台,将为中国合作伙伴在多个行业中的物联网应用创新提供强有力的支持。

    时间:2021-01-12 关键词: Semtech LoRa

  • 后疫情时代,Silicon Labs将助力中国市场加快发展

    后疫情时代,Silicon Labs将助力中国市场加快发展

    在2021年伊始,21ic专门采访了Silicon Labs高级副总裁兼首席战略官Daniel Cooley先生,邀请他和我们一起回顾2020与展望2021。 DanielCooley,Silicon Labs高级副总裁兼首席战略官1. 受新冠疫情和国际形势双生影响,2020年对整个世界来说都是不平凡的一年,同时也是机遇与考验并存的一年。对此,您如何看待整个⾏业的发展现状和未来趋势?贵公司⼜是如何把握机遇、直⾯挑战的?  Silicon Lab回答:新冠疫情将对全球经济和相关技术产生持续的影响。整个世界对半导体产品的需求和依赖在2020年变得愈发强烈。虽然对物联网(IoT)和互联网基础设施解决方案的需求之前已经存在,但新冠疫情无疑加速了世界向更加互联化迈进的步伐。 Silicon Labs看到,对我们物联网无线连接解决方案的需求日益增长,这些解决方案可以实现智能家居和智能工业应用,从而使人们在家中通过远程方式来生活、工作、购物和娱乐,并使企业通过现场和非现场混合模式来继续安全地运营。 随着新一年的到来,我们有希望开发出终结新冠肺炎的疫苗,人生中这一史无前例的事件清晰地突显了技术在日常生活中不可或缺的作用,我们很期待看到联网设备在2021年及之后的时间里将人们的生活变得更加美好。就国际形势而言,我们鼓励政策制定者解决国际贸易分歧,并建立更具合作性的政策。怀着这一信念,Silicon Labs仍然对市场保持密切关注,这同样也是因为电子和工业市场的全球供应链是紧密相连的。具体来说,全球半导体市场是多样化的,分布在世界各地,在很多层面上都是彼此依存的,它可以在贸易摩擦等地缘政治问题之外保持高度的稳定。 2. 2020年,5G开始走向大规模商用,随着5G基站的进一步部署,5G网络的覆盖越来越广,这将给行业带来哪些机遇?贵公司如何看待? Silicon Labs回答:5G将于2021年起飞,在数据传输速度和容量方面实现巨大飞跃,同时提供更低的延迟。总体而言,这将对物联网产生巨大的有益影响。但是,为了推动5G技术的大规模采用,5G基础设施提供商需要转向最适合5G小基站的以太网供电(PoE)技术。 Silicon Labs拥有完整的PoE产品组合,可以为5G小基站提供更高的功率、出色的集成度和更先进的功能,既能帮助开发人员简化系统设计,又能满足严格的功率、尺寸和成本预算。 3. 在2020年贵公司有哪些产品和技术您认为可以称得上是对该应用技术领域有明显提升或颠覆性的贡献?请您分享。 Silicon Labs回答:2020年初,Silicon Labs陆续推出了Wireless Gecko第二代平台(Wireless Gecko Series 2)的重要系统级芯片(SoC)产品EFR32BG22、EFR32MG22和EFR32FG22。 EFR32BG22支持蓝牙5.2规范、蓝牙测向和蓝牙网状网络,功耗非常低,可以使蓝牙产品的电池续航时间达到10年,从而满足智能家居等IoT应用对性价比的要求。EFR32MG22是专为Zigbee Green Power(绿色能源)应用而优化的最小尺寸、最低功耗的SoC,是使用纽扣电池或通过能量收集供电的Zigbee设备的理想选择,目标应用包括智能家居传感器、照明控制等。EFR32FG22针对电量和尺寸受限的电池或能量收集供电型IoT产品而设计,为电子货架标签(ESL)、智能照明和楼宇自动化等应用提供了2.4 GHz专有无线解决方案。 2020年9月,Silicon Labs又推出了Wireless Gecko第二代平台的蓝牙模块新品BGM220和BGX220。 BGM220包括BGM220S和BGM220P,其中BGM220S的尺寸仅为6x6毫米,是一种超紧凑、低成本、长电池寿命的SiP模块,可以为超小型产品增加完整的蓝牙连接能力;BGM220P是一款稍大的PCB模块,针对无线性能进行了优化,具有更好的链路预算,可覆盖更大范围。BGM220S和BGM220P属于首批支持蓝牙测向功能的蓝牙模块,同时它们可以支持单个纽扣电池实现长达10年的电池寿命。BGX220也包括SiP和PCB模块,其通过为客户提供经过认证的硬件平台来简化设计,该平台通过将协议栈转化为可与外部微控制器一起使用的简单API,可简化代码开发。 此外,Silicon Labs于2020年3月推出了全新的Secure Vault技术,该技术凭借先进的硬件和软件安全保护功能组合,可以帮助物联网设备制造商提高产品安全性、简化开发并加快上市时间。2020年9月,Silicon Labs推出了新型EFR32MG21B多协议无线SoC,该SoC加载了获得PSA Certified 2级认证的Secure Vault功能,是首款获得PSA Certified 2级认证的射频芯片。 除了无线芯片和模块,Silicon Labs在2020年还推出了重要的时频和隔离产品。2020年9月,Silicon Labs推出新型小尺寸、高性能Si54x/6x Ultra系列晶体振荡器(XO)和压控晶体振荡器(VCXO)产品,它们可在整个工作范围内为整数和小数频率提供低至80飞秒(fs)的抖动性能,从而为数据中心互连、光传输、广播视频和测试/测量等要求严苛的应用提供出色的抖动余量。2020年10月,Silicon Labs推出新型Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器,它们结合了更快更安全的开关、低延迟和高噪声抑制等能力,可以帮助电源转换器设计人员满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸限制,同时支持使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和快速Si FET等新兴技术。 4. 能否介绍下贵公司在中国市场的发展情况?2020年中国市场有哪些突出表现?2021年针对中国市场又有哪些规划和布局? Silicon Labs回答:Silicon Labs作为一家致力于建立更智能、更互联世界的领先芯片、软件和解决方案供应商,2020年在中国市场中继续保持着良好的成长,通过支持中国客户的创新,助力他们在智能家居、物联网、新能源汽车、5G和数据中心等领域内取得了成功。 在即将到来的2021年中,我们相信Silicon Labs领先的多协议无线SoC、数字隔离、高精度低抖动时频、Secure Vault物联网安全、人工智能(AI)和机器学习(ML)等技术和产品平台,将继续支持我们的中国客户和合作伙伴在各领域打造更多的创新性产品和应用,助他们在后疫情时代加快发展步伐。

    时间:2021-01-12 关键词: 物联网 5G SiliconLabs

  • Imagination CEO:在逆境中创新,向更好未来迈进

    Imagination CEO:在逆境中创新,向更好未来迈进

    在2021年伊始,21ic专门采访了Imagination Technologies首席执行官Simon Beresford-Wylie先生,邀请他和我们一起回顾2020与展望2021。 Simon Beresford-Wylie,Imagination Technologies首席执行官 由于疫情不断蔓延,加上大国之间的关系变得冷淡,过去一年对个人和企业来说都是动荡不安的。在2019年底时,没人能预知我们现在的处境,因此未来的12个月及之后的时间同样难以预测和规划。然而,在目睹整个世界特别是半导体产业如何因应疫情的发展之后,也让我们意识到更多积极的事情将不断到来。 受益者和受损者 半导体产业规模庞大,许多领域受到了影响,其中一些领域出现了发展放缓的现象。例如,由于政府将时间和资金都集中用于抗击疫情,因此大型基础设施和智慧城市的部署速度有所减慢。但另一方面,自疫情爆发以来,消费类市场却增长强劲。 随着人们工作、娱乐、消费和社交方式的改变,消费领域技术的重要性更胜以往。笔记本电脑、智能手机和数字娱乐在疫情期间已是不可或缺。半导体领域还有另一个重要的行业,其产品周期远比12个月长,这就是汽车行业。尽管目前汽车销售有所下滑,但其仍是一个对半导体需求很高的重要市场。通常汽车需要五年时间才能上市,因此汽车制造商们都在着手规划未来的自动驾驶汽车(AV)。 在逆境中创新 我们已清楚地看到半导体产业中每个垂直市场对新技术的渴望,以及对新技术愈发快速的采用和部署。人工智能(AI)和5G只是众多新技术中的两个例子,疫情进一步凸显了它们的关键性和重要性,并推动了快速的大规模部署。 5G数据网络提供了一种新的通信标准。它具有无与伦比的能力,可以在极低延迟和无中断的情况下传输大量数据,这对家庭流媒体或AV工程师来说都很重要。5G网络的早期部署恰好与疫情发生的时间一致,疫情期间对数据的大量需求进一步推动了它的快速部署。 AI是另一个因疫情爆发而被推到最前线的领域。AI已在医学领域取得了显著进展,它有助于建立病毒传播模型和加速疫苗开发。此外,在最后一公里递送服务、药品运输和自动化制造等应用中AI技术也被越来越多地使用。 疫情对世界各国政府而言都是严峻的挑战。在这样的全球逆境中,创新和卓越的工程能力成为首要之务。新冠疫情加速推动人们去拥抱AI驱动的未来,并展示了如何利用AI来提升边缘应用的性能和效率。 因疫情而推动的技术加速发展并不会很快消失。在可预见的未来,新冠疫情仍将存在,它将持续影响和塑造消费者的行为,同时也会对半导体产业提出新的需求。 贸易纠纷的冲击 国际贸易是受疫情影响的另一个领域。中美之间的贸易纠纷看来并不会在短期内落幕。这已影响了包括半导体在内的许多市场。中国半导体市场仍然高度依赖从其他国家进口。对中国政府来说,这是攸关国家发展的重要问题,因此他们正致力于大幅、快速地提升自身的半导体产业能力和规模。 当前贸易纠纷中的一个重要因素是,谁拥有半导体知识产权(IP),对图形处理器(GPU)而言尤其如此。GPU早已超越了仅用于图形渲染的范畴,现在已被整合至从云计算到AV的所有应用中。目前,大多数GPU IP都由美国公司持有,如果限制收紧,这将会引发问题。Imagination作为一家总部位于英国的公司,是唯一一家拥有GPU IP的非美资公司,这使我们能与深具创新能力的中国OEM厂商展开更紧密的合作。 时代正在改变 世界各地的半导体产业都在发生变化,于此同时,半导体业务的基本运作方式也在改变。 对于许多采用半导体技术的制造商来说,IP授权正成为越来越受欢迎的选择。取得所需IP的授权是一种更具成本和时间效益的解决方案,制造商需要解决的许多问题事先都已解决好,他们不用再去进行重复的设计。这样一来,制造商就可以将时间用于研究产品的功能和特性,从而使产品与众不同并赢得生意。这种做法还可以大幅缩短产品上市时间和降低开发成本。 我们将看到的另一个重大转变是,相较于完整的系统级芯片(SoC),将会更多地朝着小芯片(chiplet)设计方向发展。近年来,制造商一致希望使用更低的工艺节点去打造其所有产品,使整个SoC变得更小。但是,由于工艺节点尺寸仍在不断发展,因此会极大地增加制造成本并带来更高的风险。更好的做法是,在一些必要的地方采用3nm或5nm架构,同时允许其他系统在更高但更便宜、更可靠的工艺节点上运行,这样能极大地优化系统成本并简化设计难度。 朝小芯片发展的趋势将推动Imagination这样的IP公司提供更完备的服务,从而可以无缝地在各种系统上运行。 向目标迈进目前的全球疫情对许多人和企业来说是一场悲剧。它所造成的影响已从根本上改变了世界的运行方式,并将持续对全球商业的正常运行产生深远的影响。然而,并非所有事情都是消极的,在困难时期,创新层出不穷,新技术不断成长,而那些推动创新和技术发展的企业和从业人员也将因此受益。 无论是AI、物联网(IoT)还是处理技术,值此逆境之际,半导体产业中的每个成员都将扮演推动未来技术发展的重要角色。Imagination Technologies深知这一点,将继续提供全球领先的IP产品,协助所有半导体企业和从业人员提升其竞争优势。

    时间:2021-01-12 关键词: chiplet Imagination

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