• 为片上系统 SoC 添加缓存

    当今片上系统 (SoC) 的设计人员对中央处理器 (CPU) 中处理器核心的缓存非常熟悉。对主外部存储器的读取或写入访问可能非常耗时,可能需要数百个 CPU 时钟周期,同时处理器处于空闲状态。尽管单个存储器访问所消耗的功率很小,但当每秒执行数十亿次事务时,功率就会迅速增加。

    通信技术
    2024-07-16
    SoC 缓存
  • 通过老化测试,制定全面的质量控制计划

    老化测试涉及将组件暴露在高温和高压下。这种类型的半导体生产测试可让工程师、制造商和其他相关专业人员大幅缩短缺陷出现并可能损害可靠性的时间。老化测试应如何融入整体质量控制计划?以下是公司官员在实施此流程时应该了解的内容。

  • 通过精确的 SOC 测量评估电池运行时间

    多年来,只要看一下电量表,我们就能得到一个直接的答案:我们还能继续开车多久?如今,这个世界充满了电池供电的设备,从笔记本电脑和手机到电动汽车和医疗设备,准确预测剩余运行时间变得至关重要。

    电源
    2024-07-16
    电池 SoC
  • 提高电源设计效率的 7 种方法

    现代电源设计必须考虑多种因素日益增长的需求。高效率是这些考虑因素中最重要的一个。然而,随着设备尺寸的缩小和功能性的增加,实现高效率可能很困难。

    电源
    2024-07-16
    AI 电源设计
  • 探索硅掺杂对块体 GaN 热导率的影响

    宽带隙半导体材料氮化镓 (GaN) 具有出色的电气和光学特性,可用于各种电子和光电设备。然而,与其他半导体相比,其固有热导率明显较低。硅掺杂可以显著影响块状氮化镓 (GaN) 的热导率。

  • 室温下石墨烯的铁磁性

    石墨烯是一种以蜂窝状晶格排列的单层碳原子,在自旋电子学中具有重要应用。石墨烯具有较长的自旋寿命(指电子保持自旋状态的时间)和较高的电子迁移率(使电子能够快速移动)。这些因素对于自旋电子学至关重要,自旋电子学是一门探索利用电子自旋进行信息处理的领域。

  • 使用新型零漂移运算放大器,针对无论温度如何变化都能实现高精度

    运算放大器 (Op-Amp) 是工业和消费电子产品中的基本元件,其用途广泛,从简单的任务(如基本放大和缓冲)到复杂的功能(如模拟数字转换、音频处理和传感器信号放大)。尽管运算放大器无处不在,但其一直存在一个问题,即热漂移 — 即放大器的输入失调电压随时间和温度波动而变化的现象。

  • 石墨烯中电子和空穴的化学势介绍

    石墨烯在导电机制(电子和空穴)方面与半导体的行为相似,但不同之处在于它在绝对零度时不是绝缘体。在本教程中,我们将了解量子统计力学可以告诉我们什么。

  • 如何正确给锂离子锂聚合物电池充电

    如今,锂离子/锂聚合物被广泛用于经常充电的便携式电子设备。高效的充电方法可以延长电池的使用寿命并提高其性能。因此,电子设计师在设计符合工业要求的电池供电设备时,必须了解理想的充电程序。

  • 如何选择固态断路器所需的电压钳位元件?

    本文从工作电压范围、浪涌电流能力、能量吸收能力、成本等方面比较了各种电压钳位元件(例如金属氧化物压敏电阻 [MOV]、瞬态电压抑制 [TVS] 二极管、基于电容器的缓冲电路等)。

  • 如何使用 1.2A 96% 效率的 DC-DC 升压转换器,使用单个电池驱动 5V 负载

    单节电池(如锂离子/聚合物)的额定电压低于 5V,不适合 5V 逻辑应用(如为 Arduino 板供电)。此外,电池电压会随着使用时间的推移而下降。第一个解决方案可能是使用简单的 LDO(低压差线性稳压器)或降压/升压转换器。使用 LDO 的问题在于 LDO 适合将电压调节到低于电池电压的水平(如 3.3V)。同样,降压转换器适合构建较低的电压。解决方案似乎是使用 DC-DC 升压转换器,但是,当输入和输出电压差较小且电流处理、电路板尺寸和效率很重要时,简单的升压转换器无法解决问题。

  • 模拟仿真:给定粒子数的“费米气体”模型的极限

    我们通过费米理想气体模型解释了半导体的行为,考虑了两个不同的物理系统:电子和空穴。我们认为,这有点牵强,在本教程中,我们引入了具有可变粒子数的理想费米气体的概念。

  • 控制量子bit,克服量子中的直流偏置和尺寸挑战

    量子计算因其能够解决普通计算机难以解决的复杂问题而受到关注。在这一过程中,直流偏置源等仪器起着至关重要的作用,尤其是对于通量可调的超导和硅自旋量子比特。直流偏置源有助于调整通量以决定超导量子比特的共振频率,并将直流偏置电压施加到硅自旋量子比特的每个栅极端子。此外,量子计算机中使用的量子比特数量会增加机器的物理尺寸,这取决于控制量子比特所需的直流偏置源数量。

  • 对碳化硅晶体生长行业微小缺陷检测

    为了满足对碳化硅 (SiC) 晶体日益增长的需求,世界需要在不牺牲质量的情况下大幅提高产量。如今,SiC 晶体对于制造更小、更快、更高效的芯片和电力电子系统至关重要。然而,如果没有能够及时检测出微小瑕疵的先进计量工具,SiC 晶体生长行业基本上是盲目操作,导致不可接受的缺陷和昂贵的产品损失。

  • 对电子元件进行合适的保护,以延长使用寿命

    许多关键应用要求设备必须运行很长时间,甚至几十年。对于航空航天、国防、能源和医疗行业来说尤其如此。为了保持设备正常运行,必须在其整个生命周期内持续供应组件。解决此问题的一个方法是在生产结束后长期存储半导体组件。此解决方案可让您在设备的整个使用寿命期间持续供应组件。

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